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[发明专利]一种复合CoSb3方钴矿基热电材料及其制备方法-CN201910511473.0在审
发明人：王培侨;聂革;刘敏胜;耿金峰;齐会龙;曹聪帅;房娟 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合CoSb3方钴矿基热电材料及其制备方法，包括：制备纳米空心金属球；制备MxCoSbxCoSb3固态材料混合后，在真空环境下烧结，制得纳米空心金属球分布于CoSb3基热电材料基体内的复合CoSb3方钴矿基热电材料。本发明通过采用微纳米空心金属球与钴锑基合金复合，一方面通过引入微纳多孔结构，增强声子的散射作用，从而有效降低方钴矿基热电材料的晶格热导率，另一方面能够保证材料的电导率不发生明显的变化，因此，使得方钴矿基热电材料的热电优值ZT得到了提高，从而优化了方钴矿基热电材料的热电性能。
一种复合 cosb3 方钴矿基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种方钴矿基热电材料表面Al-Ni-Al复合涂层-CN201711367583.1有效
发明人：柏胜强;包鑫;黄向阳;吴汀;刘睿恒;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种方钴矿基热电材料表面Al‑Ni‑Al复合涂层，所述复合涂层包括依次形成于方钴矿基热电材料上的第一Al层、Ni层、第二Al层。本发明的复合涂层阻止基底进一步被氧化，有序金属间铝镍化物形成的细晶结构，其致密性能够有效阻止Sb与氧的通过，能够满足例如方钴矿热电器件中方钴矿材料表面的防护。
一种方钴矿基热电材料表面 al ni 复合涂层

[发明专利]一种通过填充Ga、Te替换Sb提高基方钴矿材料热电性能的方法-CN201810775036.5在审
发明人：王超;张蕊;姜晶;牛夷;周婷;潘燕 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L35/14 文献下载
摘要：该发明公开了一种通过填充Ga替换Sb提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法，属于热电材料领域及其制备邻域。本发明的目的在于提供一种通过填充镓单质(Ga)、碲单质(Te)替换部分锑单质(Sb)形成填充替换方钴矿来提高CoSb₃基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量和碲单质(Te)替换锑单质(Sb)的量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb₃基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产
热电性能替换基方钴矿填充单质热电材料碲单质电导率赛贝克系数制备工艺方钴矿热导率镓单质邻域制备

[发明专利]一种填充Ga的基方钴矿热电材料及其制备方法-CN201810775076.X有效
发明人：姜晶;张蕊;王超;牛夷;周婷;潘燕 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：该发明公开了一种填充Ga的CoSb3基方钴矿热电材料GaxCo4Sb方钴矿来提高CoSb3基方钴矿材料热电性能的方法。该热电材料可通过改变单质镓(Ga)的含量来调节赛贝克系数、电导率和热导率等参数来提升CoSb3基方钴矿材料的热电性能，且制备工艺简单，适合大规模生产。
一种填充 ga 基方钴矿热电材料及其制备方法

[发明专利]一种方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法-CN202211138061.5有效
发明人：张丽霞;潘辉;常青;张博;孙湛;耿慧远 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：一种以MAX或Mxene为阻隔层的方钴矿基热电材料与金属电极的连接方法，涉及一种可用于方钴矿基热电材料与金属电极材料的连接方法。为了解决方钴矿系热电材料与金属电极在焊接以及服役过程中元素扩散问题。本发明选用三元层状化合物MAX相陶瓷或二维MXene作为方钴矿系热电材料与金属电极之间的防止元素扩散阻隔层，MAX相陶瓷与金属电极和方钴矿系热电材料在焊接过程中的没有严重界面反应，元素扩散在MAX相陶瓷晶粒或并且MAX相陶瓷材料或MXene的导电性很高，膨胀系数接近方钴矿系热电材料。
一种方钴矿基热电材料金属电极连接方法

[发明专利]方钴矿基热电材料及器件用热防护涂层及其制备方法-CN201110401251.7有效
发明人：陈立东;董洪亮;李小亚;黄向阳;江莞;唐云山;夏绪贵;唐锦城;何琳 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明涉及方钴矿基热电材料及器件用热防护涂层及其制备方法，提供了一种方钴矿基热电材料及器件用热防护涂层，包括以下组分：20-80重量份的有机硅烷；3-60重量份的硅溶胶；3-55重量份的玻璃粉；以及3-本发明还提供了一种方钴矿基热电材料及器件用热防护涂层的制备方法。
方钴矿基热电材料器件防护涂层及其制备方法

[发明专利]一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法-CN202011418595.4有效
发明人：耿慧远;冯杭彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法，涉及一种用于方钴矿热电材料与电极的连接方法。目的是解决现有的方钴矿与铜电极连接存在元素扩散和装夹难度大的问题。方法：在方钴矿表面镀覆含Co元素的防扩散阻隔层，然后在防扩散阻隔层表面涂纳米银焊膏，再在纳米银焊膏表面放置Cu电极，构成焊接件，进行真空钎焊，即完成。本发明采用膏状纳米银焊膏实现低温连接方钴矿与电极，连接后接头未发生元素扩散，接头接触电阻低。连接速度快，效率高，能够实现器件的大规模制备。本发明适用于方钴矿热电材料与Cu电极的连接。
一种用于方钴矿热电材料 cu 电极低温纳米连接方法

[发明专利]方钴矿基热电元件设备及其制备方法-CN201310338239.5有效
发明人：陈立东;李菲;黄向阳;顾明;李小亚;夏绪贵;唐云山;何琳;庄承刚 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;康宁股份有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L35/02 文献下载
摘要：本发明涉及方钴矿基热电元件设备及其制备方法，提供了一种方钴矿基热电元件设备，包括由具有表面的方钴矿基材料形成的热电元件；以及偶联到所述热电元件的表面以用于将电载向所述热电元件或者从所述热电元件载电的至少一个电极还提供了一种制备方钴矿基热电元件设备的方法。
方钴矿基热电元件设备及其制备方法

[发明专利]一种方钴矿基热电材料及其制备方法-CN201811542346.9在审
发明人：王培侨;聂革;姜恒;刘敏胜;房金刚;曹聪帅;齐会龙;耿金峰;房娟 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L35/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种方钴矿基热电材料及其制备方法，所述热电材料的化学式如下：M_xCoSb₃+yZnO，其中：x的取值范围为0≤x≤0.4，0＜y≤3％，y为ZnO本发明通过将适量的氧化锌纳米颗粒均匀地分散在方钴矿基热电材料内部，能够增强对低频声子的选择性散射，从而有效降低了方钴矿基热电材料的晶格热导率，同时由于氧化锌具有较高的载流子迁移率，能够保证热电材料的塞贝克系数和电导率维持在稳定的变化范围内，从而有利于提高方钴矿基热电材料整体的热电性能。
热电材料方钴矿制备氧化锌纳米颗粒载流子迁移率碱金属晶格热导率塞贝克系数质量百分数电导率碱土金属热电性能稀土元素掺杂的低频声氧化锌散射保证

[实用新型]一种n型锑化钴基方钴矿热电元件-CN201721206884.1有效
发明人：顾明;夏绪贵;柏胜强;黄向阳;李小亚;吴汀;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种n型锑化钴基方钴矿热电元件，其包括：由n型锑化钴基方钴矿构成的热电材料层、以及依次形成于所述热电材料层上的由Mo构成的阻挡层和由Ti构成的连接阻挡层。
热电元件锑化钴基方钴矿阻挡层本实用新型热电材料层热电材料防止扩散层界面稳定性快速生长迟滞扩散

[发明专利]一种降低p型Ce填充铁基方钴矿热电材料热导率的方法-CN202011431730.9在审
发明人：刘志愿;童鑫;朱江龙;夏爱林 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C22C12/00 文献下载
摘要：本发明涉及新能源材料领域，具体涉及一种降低p型Ce填充铁基方钴矿热电材料热导率的方法，采用Ce、Fe和Sb为初始原料，按化学计量比CeFe4Sb基方钴矿化合物热电材料，这种降低p型Ce填充铁基方钴矿热电材料热导率的方法，优化了p型填充方钴矿材料的淬火温度保证良好的烧结致密度、较低的热导率前提下减少杂质相的形成。
一种降低 ce 填充铁基方钴矿热电材料热导率方法

[发明专利]一种微波快速加热-机械合金化两步合成制备高性能方钴矿的方法-CN201810834784.6有效
发明人：雷鹰;高文圣;李雨;万润东;马雷强;郑睿 -专利权人：安徽工业大学;昆明理工大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C22C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波快速加热‑机械合金化两步合成制备高性能方钴矿的方法，属于热电材料的制备技术领域。本发明的一种微波快速加热‑机械合金化两步合成制备高性能方钴矿的方法，将微波快速加热技术与机械合金化相结合，先采用微波加热制备得到CoSb₃，然后将CoSb₃粉与填充用In粉混合后进行机械合金化处理，最后再进行烧结即制备得到高纯度的CoSb₃基填充方钴矿热电材料。采用本发明的制备工艺可以制备得到常规工艺难以合成的CoSb₃基填充合金，并有效提高了所得CoSb₃基填充热电材料的热电优值与纯度。
机械合金化制备高性能快速加热两步合成热电材料微波方钴矿制备填充快速加热技术制备技术领域填充方钴矿常规工艺微波加热制备工艺烧结高纯度热电合金合成

[发明专利]一种方钴矿基热电块体材料的制备方法-CN200810201440.8无效
发明人：蔡克峰;王玲 -专利权人：同济大学
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：一种方钴矿基热电块体材料的制备方法，采用溶剂热合成结合真空熔融方法。所述方钴矿MSb₃，M＝Co，Rh，Ir，包括方钴矿MSb₃；M位或Sb位掺杂的MSb₃；Ag，Cu，Zn，Cd，Pb，Sn，Ga或In一种与第二相复合的方钴矿基热电块体材料的制备方法，采用上述的方法，在其配料步骤中还补充加入质量百分比0.05％-5％的第二相纳米粉如ZrO₂。
一种方钴矿基热电块体材料制备方法

[发明专利]一种高力学性能方钴矿基热电复合材料及其制备方法-CN201410226090.6有效
发明人：黄向阳;万舜;仇鹏飞;柏胜强;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C22C49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高力学性能方钴矿基热电复合材料及其制备方法，所述复合材料由方钴矿热电材料基体和补强增韧的第二相材料组成，其中，所述第二相材料为纤维和/或晶须，第二相材料的体积为所述复合材料体积的0.2%-所述方法包括：称量方钴矿热电材料基体和补强增韧的第二相材料，将两种原料均匀混合后，进行放电等离子体烧结或者热压烧结，得到所述复合材料。
一种力学性能方钴矿基热电复合材料及其制备方法

[发明专利]一种利用高熵合金中间层连接方钴矿与电极的扩散焊方法-CN202111240754.0有效
发明人：孙湛;张钧诚;张丽霞;耿慧远 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： B23K20/00 文献下载
摘要：一种利用高熵合金中间层连接方钴矿与电极的扩散焊方法，涉及一种方钴矿与电极的扩散焊方法。为了解决方钴矿与电极的连接和所得器件在服役中存在元素扩散、热膨胀系数不匹配和接触电阻大的问题。方法：方钴矿热电材料和电极预处理，制备FeCoNiCrMo高熵合金铸锭，将高熵合金薄片与置于方钴矿和电极待焊面之间进行扩散焊。本发明采用高熵合金作为方钴矿与电极连接的中间层实现阻隔二者之间元素持续扩散的作用。同时利用高熵合金能够通过改变元素配比来调节其热膨胀系数的特性，实现了高熵合金、方钴矿和电极热膨胀系数的良好匹配，并且所得接头具有低的接触电阻率，接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿与电极。
一种利用合金中间层连接方钴矿电极扩散方法

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