专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]防漏液铵离子微电极-CN202221008365.5有效
  • 张小水;古瑞琴;王成利;刘红霞;付会兵;唐浩 - 郑州炜盛电子科技有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-11-29 - G01N27/333
  • 本实用新型提供了一种防漏液铵离子微电极,包括:电极管、填充在所述电极管内的参比溶液、安装在所述电极管后端并插入所述参比溶液中的电极丝、封装在所述电极管前端的敏感和安装在所述电极管上并容纳所述敏感的盖帽,它还包括容纳在所述盖帽内的密封圈和凹凸槽,所述密封圈套在所述电极管上以固定所述敏感,所述凹凸槽安装在所述敏感和所述盖帽之间以固定所述敏感和所述密封圈,所述盖帽的前端、所述凹凸槽的前端与所述敏感的前端平齐所以,上述铵离子微电极能够较好的保护敏感,使敏感具有较好的耐久性、稳定性和灵敏度,从而防止上述铵离子微电极漏液,使其具稳定性好、灵敏度高和使用寿命长等特点。
  • 防漏离子微电极
  • [发明专利]一种高性能的MEMS压力传感器及其制作方法-CN202111020030.5在审
  • 不公告发明人 - 青岛芯笙微纳电子科技有限公司
  • 2021-09-01 - 2021-11-19 - G01L1/14
  • 本发明公开了一种高性能的MEMS压力传感器及其制作方法,该压力传感器由下到上依次包括衬底、第一牺牲层、下敏感层、第二牺牲层和上敏感层,衬底中部上表面设置金属电极,位于金属电极上方的下敏感层上开设释放孔一和围绕释放孔一外围的一圈通孔一,位于金属电极上方的上敏感层上开设释放孔二,位于金属电极上方的第一牺牲层和第二牺牲层通过释放孔一、释放孔二以及通孔一被腐蚀掉以形成空腔,位于金属电极上方的上、下敏感层分别被释放为上、下敏感膜片,上敏感层和下敏感膜片中心通过中心柱连接,释放孔二内填充有密封塞,下敏感膜片和金属电极形成敏感电容。本发明所公开的压力传感器敏感度高,线性度好,测量结果准确度高。
  • 一种性能mems压力传感器及其制作方法
  • [发明专利]具有温度敏感性的聚丙烯多孔及其制法-CN200810117954.5有效
  • 周建军;王磊;李林 - 中国科学院化学研究所
  • 2008-08-18 - 2009-01-14 - C08J7/04
  • 本发明属于作为锂离子电池隔膜的聚丙烯多孔领域,特别涉及用于锂离子电池隔膜的具有温度敏感特性的聚丙烯多孔及其制备方法。本发明的作为电池隔膜的具有温度敏感特性的聚丙烯多孔,是通过粘结剂在以聚丙烯多孔为基材的一个或两个表面粘结有具有温度敏感特性的材料及无机填料,在聚丙烯多孔的一个或两个表面形成具有温度敏感特性的涂层;所述的具有温度敏感特性的聚丙烯多孔在温度为100~130℃的区间具有温度响应特性,当温度升高到100~130℃时,其中的具有温度敏感特性的材料会发生熔化,使聚丙烯多孔中的部分微孔通道关闭,改变聚丙烯多孔的电导率
  • 具有温度敏感性聚丙烯多孔及其制法
  • [发明专利]离子传感设备-CN202111411854.5在审
  • 竹知和重;岩松新之辅;村山裕纪;渡部善幸 - 天马日本株式会社
  • 2021-11-25 - 2022-06-14 - G01N27/414
  • 一种离子传感设备包括:第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、被配置为直接接触样品溶液的参考电极、第一离子敏感,以及第二离子敏感。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每个包括:半导体、底部栅极、位于底部栅极与半导体之间的底部栅极绝缘,以及顶部栅极绝缘。用于第一离子敏感和第二离子敏感的与样品溶液接触的表面材料是相同的。第一场效应晶体管与第一离子敏感的组合的灵敏度高于第二场效应晶体管与第二离子敏感的组合的灵敏度。
  • 离子传感设备
  • [发明专利]硅基电容式声发射传感器及其制备方法-CN201510881188.X有效
  • 杨恒;王小飞;豆传国;孙珂;吴燕红;李昕欣 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2015-12-03 - 2019-05-28 - G01N29/14
  • 本发明提供一种硅基电容式声发射传感器及其制备方法,包括:声发射敏感;停靠环,位于声发射敏感的下表面;边框,位于声发射敏感外围,且与声发射敏感相隔一定的间距;边框的上表面设有上电极,下表面设有第一绝缘层;支撑,位于声发射敏感与边框之间;下电极硅片,下表面设有下电极,上表面设有第二绝缘层;第二绝缘层与第一绝缘层上下对应,且通过焊料层焊接在一起。支撑在大气压作用下变形,使得停靠环贴置于下电极硅片的上表面,声发射信号可以较好地耦合到声发射敏感上;在大气压作用下停靠环贴置于下电极硅片的上表面之后,声发射敏感与下电极硅片之间形成亚微米/纳米间隙
  • 电容声发传感器及其制备方法

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