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[发明专利]基于掺镧锆钛酸铅的光学相控阵光束扫描器-CN200710041584.7无效
发明人：叶青;董作人;瞿荣辉;方祖捷 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H05B33/14 文献下载
摘要：一种基于掺镧锆钛酸铅的光学相控阵光束扫描器，包括一片状掺镧锆钛酸铅，其特点是在该掺镧锆钛酸铅的下表面设导电的下电极，该下电极直接与电压驱动器的负极相连或接地；在该掺镧锆钛酸铅的上表面形成多条条形电极组成的调相阵列电极
基于掺镧锆钛酸铅光学相控阵光束扫描器

[实用新型]基于掺镧锆钛酸铅的光学相控阵光束扫描器-CN200720070558.2无效
发明人：叶青;董作人;瞿荣辉;方祖捷 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种基于掺镧锆钛酸铅的光学相控阵光束扫描器，包括一片状掺镧锆钛酸铅，其特点是在该掺镧锆钛酸铅的下表面设导电的下电极，该下电极直接与电压驱动器的负极相连或接地；在该掺镧锆钛酸铅的上表面形成多条条形电极组成的调相阵列电极
基于掺镧锆钛酸铅光学相控阵光束扫描器

[发明专利]一种掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷材料及其制备方法-CN201610871989.2有效
发明人：鲁圣国;蔡志宏;陶涛;梁波;姚英邦 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷材料及其制备方法。该材料是将原料PbO、La₂O₃、ZrO₂和TiO₂按照固相反应法合成掺镧锆钛酸铅粉体，然后再通过流延成型工艺制成生膜，将生膜排胶烧结，得到掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷。
一种掺镧锆钛酸铅铁电厚膜陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种镧掺杂锆钛酸铅薄膜的制备方法-CN200610143422.X无效
发明人：王海;陶龙忠;胡长征 -专利权人：桂林工学院
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺镧锆钛酸铅薄膜的制备方法。本发明以分析纯的硝酸铅，氧氯化锆、硝酸镧和四氯化钛为反应原料，以纯乙二醇甲醚作溶剂。SUB>)_{(1－x/4)/100}O₃，x取8～10，y＝35作计算依据，严格按照化学计量计算各原料的添加量(为防止铅在退火过程中挥发，配料时铅过量10％)制得镧掺杂锆钛酸铅前驱液；然后通过匀胶工艺制得镧掺杂锆钛酸铅薄膜，最后通过快速热处理工艺制得在具有铟锡氧化物涂层(ITO)玻璃基片上电光性能优越的镧掺杂锆钛酸铅薄膜。
一种掺杂锆钛酸铅薄膜制备方法

[发明专利]一种水系掺镧钛酸锂负极浆料的制备方法-CN201310441411.X有效
发明人：赵东辉;戴涛;周鹏伟 -专利权人：东莞市翔丰华电池材料有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开一种水系掺镧钛酸锂负极浆料的制备方法，包括以下步骤：a、制备掺镧钛酸锂，b、按质量100%计称取原料：掺镧钛酸锂47~60%、粘结剂0.3~8%、导电剂6~10%、分散剂3~7%以及去离子水25~40%；c、向去离子水中加入分散剂，搅拌12小时后放置2~3天，得到分散剂母液，向分散剂母液加入导电剂和掺镧钛酸锂，搅拌6小时，再加入粘结剂，抽真空搅拌2小时，得到水系掺镧钛酸锂负极浆料。本发明在制备水系掺镧钛酸锂负极浆料过程中，掺镧钛酸锂采用去离子水作溶剂，同时采用水性粘合剂，使得整个水系掺镧钛酸锂负极浆料无毒、无污染，是真正意义上的绿色能源，从根本上解决了锂电的安全、污染等问题；通过钛酸锂掺杂镧能够有效改善负极材料的性能，大幅度地提高钛酸锂材料的比容量。
一种水系掺镧钛酸锂负极浆料制备方法

[发明专利]一种掺锡的锆钛酸铅镧厚膜陶瓷及其制备和应用-CN201811108192.2有效
发明人：鲁圣国;钟米昌;简晓东;邹艺轩;姚英邦;陶涛;梁波 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明提出了一种掺锡的锆钛酸铅镧厚膜陶瓷及其制备和应用，属于储能陶瓷材料技术领域。该掺锡的锆钛酸铅镧厚膜陶瓷，化学成分符合化学通式Pb0.94La0.06(Zr0.95～x掺锡的锆钛酸铅镧陶瓷厚膜能够承受400kv/cm的电场强度，明显提高陶瓷厚膜的储能密度和储能效率，具有广泛的应用前景。
一种锆钛酸铅镧厚膜陶瓷及其制备应用

[发明专利]一种锆钛酸铅镧陶瓷粉体及其制备方法和应用-CN201910978898.2在审
发明人：鲁圣国;姚丽丽 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明属于无机非金属材料技术领域，公开了一种锆钛酸铅镧陶瓷粉体及其制备方法和应用。该锆钛酸铅镧陶瓷的分子式为PbxLa1‑xZryTi1‑y，x＝0.94，y＝0.52～0.95；所述粉体是将乙酸铅和乙酸镧溶于去离子水中得到铅镧水溶液，正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于无水乙醇中得到锆钛醇溶液；再将锆钛醇溶液加入铅镧水溶液中搅拌，制得锆钛酸铅镧混合液；在磁力搅拌下，将氢氧化钾加入锆钛酸铅镧混合液中得到锆钛酸铅镧悬浊液前驱体；将该前驱体在160～180℃进行水热反应，制得锆钛酸铅镧浆料，经离心
一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]锆酸镧/钛酸钇薄膜材料及其制备方法-CN200610161478.8无效
发明人：雷和畅;朱雪斌;孙玉平;宋文海 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种锆酸镧/钛酸钇薄膜材料及其制备方法。材料为(100)轴取向的金属镍或镍合金基带上依次覆有(100)轴取向的锆酸镧种子层、(100)轴取向的锆酸镧层、(100)轴取向的钛酸钇种子层和(100)轴取向的钛酸钇薄膜；方法为先分别按照镧∶锆为1∶1、钇∶钛为1∶1的摩尔比配制出锆酸镧种子层前驱胶体和锆酸镧后续层前驱胶体，以及钛酸钇种子层前驱胶体和钛酸钇后续层前驱胶体，再于(100)轴取向的金属镍或镍合金基带依次涂覆上述前驱胶体，并将其分别先后于300～450℃下热解15～30分钟后，在还原气氛中于850～1150℃下退火15分钟以上，制得锆酸镧/钛酸钇薄膜材料。
锆酸镧钛酸钇薄膜材料及其制备方法

[实用新型]微小型光电马达-CN200520079319.4无效
发明人：樊慧庆;唐波;刘来君;柯善明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-08-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H02N1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微小型光电马达，包括上定子(2)、转子(3)、下定子(4)、上定子电极(5)、转子电极(6)、下定子电极(7)以及转轴(8)，其特征在于：还包括锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)，锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)与下定子(4)固连，上定子电极(5)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的正极电连接，下定子电极(7)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的负极电连接。由于本实用新型将锆钛酸镧铅压电陶瓷材料与现有的微小型马达集成在一起，利用锆钛酸镧铅压电陶瓷材料的光生伏特效应产生的电压驱动微小型光电马达，将微小型马达的驱动方式由现有技术的电源驱动转变为光驱动。
微小光电马达

[发明专利]掺锆掺镧钛酸钠铋‑钛酸钡陶瓷的制备方法-CN201610363715.2在审
发明人：樊慧庆;赵扬;董广志;彭彪林 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锆掺镧钛酸钠铋‑钛酸钡陶瓷的制备方法，用于解决现有制备的钛酸钠铋‑钛酸钡陶瓷储能密度低的技术问题。技术方案是采用高温固相合成法，以碳酸钡、碳酸镧、碳酸钠、氧化铋、氧化钛和氧化锆为原料，按化学计量比称量，以酒精为介质、氧化锆球为磨球进行混料，待浆料干燥后将其过筛并轻压成块状坯体高温煅烧。煅烧后的块料研磨成细粉，压制成型后经过高温烧结，制得掺锆掺镧钛酸钠铋‑钛酸钡陶瓷。该材料弛豫弥散度得到增加，抗击穿强度高，获得了较高的储能密度。
掺锆掺镧钛酸钠铋钛酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用-CN201810712825.4在审
发明人：鲁圣国;钟米昌;路标 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明属于储能陶瓷技术领域，尤其涉及一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用。本发明提供了一种锆钛酸铅镧陶瓷，化学结构式为:Pb_1‑xLax(Zr_1‑yTi_y)_1‑x/4O_{3锆钛酸铅镧陶瓷的制备方法，本发明还提供了一种上述锆钛酸铅镧陶瓷以及上述制备方法得到的锆钛酸铅镧陶瓷产品在微位移器件、固态制冷以及储能器件领域的应用。本发明提供的一种锆钛酸铅镧陶瓷及其制备方法与应用，解决了现有技术中，锆钛酸铅镧陶瓷存在着储能密度低和储能效率低的技术缺陷。}
锆钛酸铅镧陶瓷制备储能效率储能应用化学结构式微位移器件储能器件储能陶瓷固态制冷技术缺陷结构致密实验测定陶瓷产品陶瓷晶粒地经

[发明专利]一种铁电阻变存储器及其开关比的调控方法-CN201610557208.2在审
发明人：王占杰;白宇 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器及调控其开关比的方法，该铁电阻变存储器由上电极材料金，下电极和衬底材料掺铌钛酸锶以及锆钛酸铅铁电材料所构成。该器件的制备方法是利用化学溶液沉积法在掺铌钛酸锶衬底上沉积锆钛酸铅铁电薄膜，然后利用溅射法在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积金作为上电极。其中锆钛酸铅铁电材料的厚度为100～450nm。通过调控锆钛酸铅铁电材料的厚度，实现了金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器开关比从17到846的变化，提高了50倍。该方法可以有效地调控铁电阻变存储器开关比，简单易行，便于实际应用。
一种电阻存储器及其开关调控方法

[发明专利]一种锆钛酸铅镧压电陶瓷及其制备方法-CN201910210395.0在审
发明人：徐建梅;胡智慧;李文昊 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供一种锆钛酸铅镧压电陶瓷，由硝酸锆、氯化钛、氧化铅和氧化镧制得，所述锆钛酸铅镧压电陶瓷的结构式表示为：(Pb_1‑xLa_x)(Zr_{y锆钛酸铅镧压电陶瓷的制备方法，步骤如下：将硝酸锆和氯化钛分别溶解于水中，得到硝酸锆溶液和氯化钛溶液，混合硝酸锆溶液和氯化钛溶液，并加入碱溶液反应，得到沉淀，对沉淀进行洗涤、加热，得到(Zr,Ti)O₂粉体；将(Zr,Ti)O₂粉体与氧化铅、氧化镧混合研磨，然后进行烧结；研磨烧结后的粉体，加入聚乙烯醇进行造粒，压制成坯体，对坯体进行成型处理，得到成型坯体；将成型坯体烧结成瓷，涂上银浆，然后在电场中极化，即得到锆钛酸铅镧压电陶瓷。}
锆钛酸铅镧压电陶瓷粉体氯化钛溶液成型坯体烧结氯化钛硝酸锆氧化铅氧化镧制备沉淀硝酸锆溶液电场成型处理混合硝酸混合研磨聚乙烯醇烧结成瓷研磨成坯体碱溶液上银浆锆溶液极化坯体水中造粒加热洗涤溶解压制

[发明专利]磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法-CN01136690.7有效
发明人：龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-10-26 - 公布日： 2003-04-30 - 主分类号： C30B23/08 文献下载
摘要：一种磊晶成长锆钛酸铅薄膜的方法，其是先以临场的方式在基底上磊晶成长一层氧化镧镍薄膜，其晶型与所需的锆钛酸铅薄膜相同，且晶格参数与所需的锆钛酸铅薄膜相近。接着以临场的方式，在350℃～500℃的温度下，在氧化镧镍薄膜上磊晶成长锆钛酸铅薄膜。
成长锆钛酸铅薄膜方法

[发明专利]一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法-CN201910945865.8有效
发明人：王根水;蔡恒辉;闫世光;董显林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法，所述氧化钛纳米线阵列/锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料包括：形成在基底表面的氧化钛纳米线阵列和用于覆盖和填充所述氧化钛纳米线阵列的锆酸镧铅薄膜；所述锆酸镧铅薄膜的化学组成为Pb1‑3x/2LaxZrO3，其中0≤x≤0.12；所述氧化钛纳米线阵列由若干沿基底垂直方向生长的氧化钛纳米线组成
一种氧化纳米阵列锆酸镧铅反铁电复合薄膜材料及其制备方法

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