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[发明专利]一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法-CN201610518118.2在审
发明人：华平壤;陈朝夕 -专利权人：派尼尔科技（天津）有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G02B6/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铌酸锂薄膜波导的耦合方式及其实现方法，包括单模光纤、氧化钽波导光栅、铌酸锂纳米线波导、二氧化硅缓冲层和硅衬底，其中，二氧化硅下包层可以采用热氧化的方式；铌酸锂薄膜层直接键合在二氧化硅缓冲层表面在铌酸锂薄膜表面制备氧化钽波导和光栅结构，最后将经过特殊抛磨的单模光纤直接压在氧化钽波导表面。光信号可以直接从单模光纤进入氧化钽薄膜波导然后通过氧化钽光栅耦合到铌酸锂薄膜波导中。本发明解决了在铌酸锂表面很难直接刻蚀光栅的难题，相比于端面耦合，难度大大降低；同时采用抛光后的普通光纤直接与基片压合的方式，在机械强度上有很大提高，不易受温度变化影响，提高了纳米级铌酸锂薄膜材料的耦合效率
一种用于铌酸锂薄膜波导耦合方式及其实现方法

[发明专利]一种铌酸锂自支撑薄膜及其制备方法-CN202010645070.8在审
发明人：欧欣;徐文慧;游天桂;沈正浩 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂自支撑薄膜的制备方法，包括：获取具有抛光面的铌酸锂单晶晶片；获取高阻衬底，并在所述高阻衬底上沉积一层介电层；在所述介电层的表面刻蚀沟槽；将所述铌酸锂单晶晶片的所述抛光面与所述介电层具有所述沟槽的表面键合形成第一复合结构；对所述第一复合结构进行减薄处理后得到第二复合结构；对所述第二复合结构进行表面处理后得到第三复合结构；将所述第三复合结构放入处理液中进行腐蚀，得到所述铌酸锂自支撑薄膜。通过上述方法得到的铌酸锂自支撑薄膜与铌酸锂单晶晶片的质量一样，从而解决了现有技术中制备铌酸锂薄膜时由于离子束作用而造成的薄膜缺陷问题。
一种铌酸锂支撑薄膜及其制备方法

[发明专利]一种干法刻蚀铌酸锂的方法-CN202110697917.1在审
发明人：冯英雄;戴海成;刘建;车东晨;彭泰彦;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种干法刻蚀铌酸锂的方法，属于半导体加工领域。干法刻蚀铌酸锂的方法的刻蚀步骤包括，将已图形化的铌酸锂放入刻蚀机中；向刻蚀机的刻蚀腔内通入混合后的刻蚀气体Cl2，H2与惰性气体，刻蚀机射频点火起辉，开始刻蚀；达到刻蚀时间后，刻蚀完成。本发明采用干法刻蚀铌酸锂的方法，其气体采用Cl2/H2进行铌酸锂刻蚀，不同于传统的氟基刻蚀铌酸锂体系。本发明可以使用介质材料或光刻胶做掩膜，应用于产线后，可优化生产流程，极大提升产能，节约成本。干法刻蚀铌酸锂可以使用传统的光刻胶掩膜或SiO，SiN，Si等介质材料作为硬掩膜，并获得较好的选择比和良好的形貌。
一种刻蚀铌酸锂方法

[发明专利]一种基于X切周期极化铌酸锂薄膜的片上纠缠源的设计和制备方法-CN202310097079.3在审
发明人：逯鹤;房晓旭 -专利权人：山东大学深圳研究院
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G02F1/355 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于X切周期极化铌酸锂薄膜的片上纠缠源的设计和制备方法，包括：(1)在铌酸锂薄膜上制备极化周期不同的第一组电极和第二组电极；(2)分别对第一组电极和第二组电极进行极化；(3)施加电压，使得电极之间的铌酸锂发生畴反转，在畴反转区域直接刻蚀铌酸锂制备铌酸锂波导，得到周期极化铌酸锂波导；(4)通过第一组电极和第二组电极的自发参量下转换过程，产生两组偏振方向垂直的光子对，当铌酸锂波导的长度满足小于泵浦光的相干长度时，从而制备偏振纠缠源
一种基于周期极化铌酸锂薄膜纠缠设计制备方法

[发明专利]基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法-CN202311143878.6在审
发明人：焦文婷;张磊;高阳;张萌徕;刘玲玲;王盼;尹坤 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铌酸锂的集成环形布拉格金属光栅耦合器及制备方法，包括衬底层、铌酸锂限制层、铌酸锂波导层、环形布拉格金属光栅层以及光纤；所述铌酸锂限制层设置于衬底层表面；所述铌酸锂波导层设置于铌酸锂限制层表面本发明通过制作工艺简单，流程独立且耦合效率高，在制备量产和成本优化等方面具有独特的优势，可广泛应用于铌酸锂片上集成器件和系统中。
基于铌酸锂集成环形布拉格金属光栅耦合器制备方法

[发明专利]一种静态工作点温度稳定的共路干涉电场传感器-CN201811405897.0有效
发明人：曾嵘;庄池杰;汪海;马昕雨 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：所述传感器包括铌酸锂晶体、钛扩散铌酸锂波导、电极和天线，以所述钛扩散铌酸锂波导的传播方向为z轴，将二氧化钛作为磁控溅射靶，在所述钛扩散铌酸锂波导的上表面进行磁控溅射，磁控溅射的压强为2.5～5毫托，磁控溅射时间为2～16.5小时，在钛扩散铌酸锂波导的上表面得到二氧化钛薄膜。本发明所述传感器，在铌酸锂波导上镀了一层二氧化钛薄膜，在不影响已有传感器原有测量灵敏度和准确性的基础上，对铌酸锂波导的正温度系数进行了补偿，从而大大提升了传感器静态工作点的温度稳定性。
一种静态工作温度稳定干涉电场传感器

[发明专利]低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法-CN201310714376.4有效
发明人：郑国康;夏君磊;刘福民;黄韬;汪飞琴;关涛 -专利权人：北京航天时代光电科技有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法，该调制器包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极，铌酸锂衬底采用x切y传晶片，钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层，且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧，金属电极位于退火外扩散区的表面，且正负电极关于钛扩散区域对称；第一
偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法

[发明专利]一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法-CN202310436129.6有效
发明人：耿文平;乔骁骏;陆昊;丑修建;牛丽雅;李稼禾;余楠鑫;段志刚;张亦驰;游亚军 -专利权人：中北大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N30/045 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米调控方法

[发明专利]光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法-CN200810064778.3无效
发明人：王锐;王佳;刘维海;徐超;徐衍岭 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法，它涉及一种铌酸锂晶体上转换材料及其制备方法。它解决了现有技术制备的Er掺杂铌酸锂晶体上转换材料存在发光强度不高的问题。本发明光子雪崩机制Zn和Er双掺杂铌酸锂晶体上转换材料由Li₂CO₃、Nb₂O₅、ZnO和Er_{2铌酸锂晶体上转换材料。本发明在Er掺杂铌酸锂晶体中掺杂元素Zn，使其上转换机制由双光子过程改变为光子雪崩机制，明显提高了铌酸锂晶体上转换材料的发光强度。}
光子雪崩机制 zn er 掺杂铌酸锂晶体转换材料及其制备方法

[实用新型]铌酸锂调制器偏置电压供给系统-CN202220813411.2有效
发明人：焦康平 -专利权人：世维通河北科技有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01R12/71 文献下载
摘要：本实用新型公开一种铌酸锂调制器偏置电压供给系统，包括：铌酸锂调制器、偏压控制器、偏压控制夹具、以及光源，光源与铌酸锂调制器的输入端连接，铌酸锂调制器的输出端与偏压控制器的输入端连接，偏压控制器的输出端与偏压控制夹具的一端电连接，铌酸锂调制器的偏置端的引针插入偏压控制夹具的另一端并电接触。本实用新型偏压控制器通过偏压控制夹具给铌酸锂调制器施加偏置电压。本实用新型的偏压控制夹具使用简单易操作，提高了效率，增大了接触面积，避免虚接短接，保证偏压控制器给铌酸锂调制器施加电压时的稳定性，另外还可以根据环境的实际情况改变电路板的大小，非常方便。
铌酸锂调制器偏置电压供给系统

[实用新型]一种小型化的铌酸锂光器件-CN202223544921.3有效
发明人：朱赟 -专利权人：合肥芯智华光子科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型化的铌酸锂光器件，其技术方案要点是：包括封装外壳，所述封装外壳的顶面固定安装有顶板，所述封装外壳的两侧均固定安装有两个固定块，所述固定块的顶面设置有螺栓，所述封装外壳的内部设置有铌酸锂薄膜调制器芯片；控温组件，所述控温组件设置在所述封装外壳的内部，用于对铌酸锂薄膜调制器芯片控温，通过设置铌酸锂薄膜调制器芯片，通过铌酸锂薄膜调制器芯片可以有效减少实现铌酸锂光器件所需要的光路长路和封装尺寸，通过温度传感器可以对封装外壳的内部温度进行感应，防止了封装外壳内部温度过高与过低，从而改善铌酸锂薄膜调制器芯片的加热与散热能力，进而提高了工作温度的稳定性。
一种小型化铌酸锂光器件

[发明专利]双波长可调谐内腔太赫兹参量振荡器及其使用方法-CN200910069519.4无效
发明人：徐德刚;王与烨;姚建铨;钟凯;王鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明采用的技术方案是：由平面全反镜、激光器、输出镜组成泵浦光谐振腔，所述激光器为准连续半导体激光器阵列侧面泵浦掺钕钇铝石榴石Nd:YAG5激光器；在平面全反镜和激光器之间配置有磷酸二氢钾KD^*P晶体和偏振片组成的退压式电光Q开关；在激光器和输出镜之间设置有由掺镁铌酸锂MgO:LiNbO₃晶体和两个腔镜组成的TPO谐振腔，TPO谐振腔与泵浦光谐振腔光轴非共线，掺镁铌酸锂MgO:LiNbO₃晶体侧面与阵列硅棱镜耦合输出太赫兹波。
波长调谐内腔太赫兹参量振荡器及其使用方法

[发明专利]一种铌酸锂黑片的制作方法-CN201710266783.1在审
发明人：龙勇;石自彬;于明晓;丁雨憧;徐扬;付昌禄 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌酸锂黑片的制作方法，将待处理的铌酸锂晶片放入容器A中，同时将还原剂放入容器B中，然后将装有铌酸锂晶片的容器A和装有还原剂的容器B放置于热处理炉中，在空气气氛下，于还原温度下进行还原处理，冷却即得到铌酸锂黑片。本发明操作简单、安全，效率高、成本低且不影响晶片表面的加工质量的铌酸锂黑片制作方法，本方法在不影响铌酸锂压电性能以及单畴性的前提下降低了晶片的电阻率，减弱甚至消除了晶片自身具有的热释电效应，增强了可见光区的吸收能力
一种铌酸锂黑片制作方法

[发明专利]一种高能太赫兹波产生装置-CN201710979132.7在审
发明人：吴晓君;戴军;方兆吉 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明提供一种高能太赫兹波产生装置，包括飞秒激光器、用于波前倾斜的光栅以及铌酸锂晶体，所述光栅制备在所述铌酸锂晶体的入射面上；所述飞秒激光器发射的泵浦飞秒激光通过所述光栅射入所述铌酸锂晶体中，从而在所述铌酸锂晶体中产生太赫兹辐射，其中，所述泵浦飞秒激光通过所述光栅射入到所述铌酸锂晶体时的所述泵浦飞秒激光的偏振方向与所述铌酸锂晶体的晶轴平行。
一种高能赫兹产生装置

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜的电控可擦写光波导及其应用-CN202010685084.2在审
发明人：尹锐;刘枫榆;季伟;黄庆捷 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸锂薄膜的电控可擦写光波导及其应用，基于铌酸锂薄膜的电控可擦写光波导包括自上而下依次设置的上限制层、铌酸锂薄膜层和下限制层；上限制层的上表面设置有上电极，下限制层的下表面设置有下电极本发明基于铌酸锂薄膜的电控可擦写光波导，巧妙利用铌酸锂薄膜的电光效应，实现波导结构的电控可擦写。本发明基于铌酸锂薄膜的电控可擦写光波导，可实现多种光器件的现场可定制，进一步提高光网络的灵活性和工作效率。
一种基于铌酸锂薄膜电控可擦写波导及其应用