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[发明专利]半导体存储器件与半导体器件组-CN200410097323.3有效
发明人：姊崎彻;堤智彦;荒谷达次;儿屿秀之;江间泰示 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：第一CMOS倒相器、第二CMOS倒相器、第一传输晶体管和第二传输晶体管，其中第一和第二传输晶体管分别形成于由器件隔离区域在半导体器件上限定的第一和第二器件区域中，从而彼此平行延伸，第一传输晶体管在第一器件区域上的第一位接触区域处与第一位线相接触，第二传输晶体管在第二器件区域上的第二位接触区域处与第二位线相接触，其中第一位接触区域形成于第一器件区域中，使得第一位接触区域的中心朝向第二器件区域偏移，并且其中第二位接触区域形成于第二器件区域中，使得第二位接触区域的中心朝向第一器件区域偏移。
半导体存储器件半导体器件

[发明专利]一种可控硅整流器的静电放电保护装置-CN201910899074.6在审
发明人：董文静 -专利权人：徐州启祥电气有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控硅整流器的静电放电保护装置，可控硅整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区域。可控硅整流器还包括位于半导体衬底中的与第一n型区域相邻的第一p型区域。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一n型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括n型接触区和位于第一p型区中的p型接触区。可控硅整流器还包括具有比第一p型区域更高的电阻率的阻挡区域。阻挡区域位于第一p型区域的n型接触区域和p型接触区域之间用于减小可控硅的触发电压整流器。
可控硅整流器阻挡区域衬底半导体静电放电保护装置触发电压电阻率可控硅整流器减小

[发明专利]一种显示屏控制方法及电子设备-CN202110560597.5在审
发明人：张震;任晓龙;岳永保;汪晓永 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：具体方案为：获取所述触控式面板的检测区域的电容值；所述检测区域内电容值与第一值之间的差值超过第一预设阈值的位置点为接触区域；所述检测区域内电容值与第一值之间的差值不超过第一预设阈值的位置点为非接触区域；在所述接触区域满足第一预定条件或者所述非接触区域满足第二预定条件时，控制所述显示屏息屏；在所述非接触区域不满足所述第二预定条件或者所述接触区域不满足所述第一预定条件时，控制所述显示屏亮屏。
一种显示屏控制方法电子设备

[发明专利]用于形成地板覆盖物的地板镶板-CN202110721631.2在审
发明人：简·埃迪·德·里克 -专利权人：地板工业有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： E04F15/02 文献下载
摘要：用于形成地板覆盖物的地板镶板，其可根据下折原理安装，具有第一对边缘和第二对边缘，其中，在第二对边缘处设置联接部件，该联接部件允许两个镶板可通过向下运动而彼此联接，在配合到凹形部件(14)中的凸形部件(17)的相对侧处具有两个接触区域(C1‑C2)，其中，一方面第一接触区域(C1)的中部和第二接触区域(C2)的中部之间的水平距离与另一方面第一接触区域(C1)的中部和第二接触区域(C2)的中部之间的竖直距离之间的比率大于5，或者，第一接触区域(C1)的中部和第二接触区域(C2)的中部之间的水平距离(HM)是至少3毫米。
用于形成地板覆盖镶板

[发明专利]弹性体连接器-CN201110034818.1无效
发明人： P·塔尼加查拉姆;R·瓦德;T·埃克哈德特;R·王 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：导电元件的第一部分可布置在弹性主体的第一接触区域中，并可在第一接触区域中提供从弹性主体的第一主侧到相对的第二主侧的导电路径。导电元件的第二部分可布置在弹性主体的第二接触区域中，与第一接触区域隔开，并可在第二接触区域中提供从弹性主体的第一主侧到相对的第二主侧的导电路径。第一和/或第二导电路径可限定接触区域，根据需要该接触区域可为任何合适的形状，包括非圆形，例如大致L形、大致V形、大致四季豆形或任何其它合适的形状。
弹性体连接器

[实用新型]弹性体连接器-CN201120029727.4有效
发明人： P·塔尼加查拉姆;R·瓦德;T·埃克哈德特;R·王 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2011-01-14 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：导电元件的第一部分可布置在弹性主体的第一接触区域中，并可在第一接触区域中提供从弹性主体的第一主侧到相对的第二主侧的导电路径。导电元件的第二部分可布置在弹性主体的第二接触区域中，与第一接触区域隔开，并可在第二接触区域中提供从弹性主体的第一主侧到相对的第二主侧的导电路径。第一和/或第二导电路径可限定接触区域，根据需要该接触区域可为任何合适的形状，包括非圆形，例如大致L形、大致V形、大致四季豆形或任何其它合适的形状。
弹性体连接器

[发明专利]光伏电池以及制造该光伏电池的方法-CN201480036195.3有效
发明人：英格里德·戈蒂纳·罗梅恩;约翰·安克;德西斯拉娃·西梅奥诺娃·萨伊诺娃;安东尼乌斯·拉德伯德·伯格斯;马丁恩·科普斯;阿斯特丽德·古特雅尔 -专利权人：荷兰能源研究中心基金会
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：在高掺杂表面场层上，基板具有将该表面场层与相应接触件接触的至少一个接触区域。高掺杂表面场层在第一表面的至少一个接触区域位置处的掺杂浓度高于第一接触区域之外的表面区域中的掺杂浓度，并且高掺杂表面场层在第一表面中的每个接触区域位置处具有比该高掺杂表面场层在接触区域之外的部分中的轮廓深度大的轮廓深度
电池以及制造方法

[发明专利]电连接装置和电接触装置-CN201580018904.X有效
发明人： M·伊斯勒 -专利权人：捷温有限责任公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01R13/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于建立至少一个第一电构件(51)和至少一个第二电构件(52、53)之间的电接触的接触装置(2)，该装置具有第一接触区域(21)和与所述第一接触区域(21)间隔开的第二接触区域(22)。
连接装置接触

[发明专利]弯曲关节以及关节驱动系统-CN202211029397.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海微创医疗机器人（集团）股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： A61B1/005 文献下载
摘要：本发明涉及一种弯曲关节，包括关节主体和至少一对控制丝，关节主体包括多个关节件，多个关节件沿着关节主体的延伸方向排列，关节件具有第一端面和第二端面，第一端面具有弧面接触区域，第二端面具有平面接触区域，相邻关节件之间的弧面接触区域和平面接触区域相互滚动接触该弯曲关节中相邻的关节件之间采用的是弧面接触区域和平面接触区域之间的滚动接触形式，相邻之间的关节件依靠控制丝形成连接，并利用控制丝构成连续的关节主体，这种接触形式并没有固定的转动点，会使得相邻关节件之间的转动更加灵活
弯曲关节以及驱动系统

[实用新型]半导体材料的键合结构-CN202120020685.1有效
发明人：赵立新;李朝勇;胡杏;邹文;邱裕明 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体材料的键合结构，包括彼此键合的两片半导体材料，其中至少一片半导体材料具有半导体介质和绝缘介质的混合表面；键合界面既包括半导体介质与半导体介质的接触区域，又包括半导体介质与绝缘介质的接触区域和/或绝缘介质与绝缘介质的接触区域。半导体介质与半导体介质的接触区域用于电荷转移，避免电荷累积造成的电弧效应、产品失效、机台污染等问题；半导体介质与绝缘介质的接触区域和/或绝缘介质与绝缘介质的接触区域用于在较低温度下实现较强的键合强度，减少键合缺陷
半导体材料结构

[发明专利]一种太阳能电池选择性发射极的制备方法-CN201811270526.6在审
发明人：张俊兵;张峰;周艳方 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;晶澳（扬州）太阳能科技有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池选择性发射极的制备方法，该方法可获得更低表面浓度、更浅结深、更高方阻的发射极轻掺杂区域，从而获得更好性能的发射极。本发明所述的太阳能电池选择性发射极的制备方法包括以下步骤：（1）提供硅基体，所述硅基体的表面包括用于与金属接触电极接触的金属接触区域和位于所述金属接触区域以外的非金属接触区域；（2）在所述硅基体表面的非金属接触区域上设置掺杂过滤层，所述掺杂过滤层包括硅薄膜；（3）对硅基体进行掺杂，在硅基体表面设置有掺杂过滤层的非金属接触区域形成选择性发射极的轻掺杂区域，在硅基体表面未设置掺杂过滤层的金属接触区域形成选择性发射极的重掺杂区域。
硅基体选择性发射极过滤层掺杂金属接触区域非金属接触太阳能电池制备轻掺杂区域发射极金属接触电极重掺杂区域表面设置区域形成低表面硅薄膜方阻浅结

[发明专利]光电子设备，发光装置和装配带-CN202180083607.9在审
发明人：乌尔里希·弗雷 -专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子设备，其具有封装的壳体(50)，所述壳体具有放射区域(62)和集成的控制芯片(70)。提出至少一个集成到放射区域中的光电子器件(20)，所述光电子器件为了电操控与集成的控制芯片(70)耦联。在封装的壳体(50)的至少一侧上的多个接触区域部分地与集成的控制芯片(70)电连接。多个接触区域中的至少一个第一和第二接触区域(52、59、52’、59’)与集成的控制芯片电连接，并且构成为分别与设置在壳体(50)之外的光电子器件(30、31)电连接。第一组接触区域(52、59、52’、59’)构成为用于接收在集成的控制芯片(70)上的控制信号。第二组接触区域(61、53)具有用于接地端子的至少一个接触区域和用于连接至少用于集成的控制芯片的供应电压的接触区域。
光电子设备发光装置装配

[发明专利]一种接触元件-CN202210064473.2在审
发明人：张帅帅;李松韬;张航宇 -专利权人：苏州华太电子技术有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01R13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触元件。所述接触元件包括支撑部，所述支撑部具有第一接触面，所述第一接触面具有第一接触区域和第二接触区域，所述第二接触区域环绕第一接触区域设置，所述第一接触区域的周向上间隔设置有两个以上的第一连接板，所述第二接触区域的周向上间隔设置有两个以上的第二连接板，所述第一连接板、第二连接板在所述第一接触面的径向上交错分布，且所述第一接触面的边缘间隔分布有两个以上的凹槽结构，所述凹槽结构位于相邻的两个第二连接板之间。本发明提供的接触元件能够有效地抑制焊料裂纹扩展，并能够提高接触强度。
一种接触元件

[发明专利]电容接触开关-CN200810130487.X无效
发明人： U·海曼;M·普林茨 -专利权人：迪尔阿扣基金两合公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：一电容接触开关，其具有带顶面(14)和底面(16)的接触区域(12)；一布置在接触区域(12)的底面(16)下方空间的电路板(28)；以及一电容传感元件(20)，其被布置在接触区域(12)的底面(16)上并且导电接触电路板(28)，其中电容传感元件(20)被布置在一电路载体(18)上，其中所述电路载体(18)是柔软并可三维变形的，以适应接触区域(12)的任意形状的底面(16)。
电容接触开关

[发明专利]具有嵌入多晶半导体材料中的主体接触区域的半导体结构-CN202111111645.9在审
发明人：史蒂芬·M·宣克;西瓦·P·阿度苏米利;伊夫·恩古;M·谢拉克 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及具有嵌入多晶半导体材料中的主体接触区域的半导体结构，揭示了主体接触半导体结构和形成主体接触半导体结构的方法。一种包含单晶半导体材料的半导体基板，其包括设备区域和多个主体接触区域，各主体接触区域由单晶半导体材料构成。在半导体基板中形成多晶层和多晶区域。多晶区域位于多晶层和设备区域之间，且多晶区域具有横向间隔排列，在多晶区域的各相邻对之间具有间隙。多个主体接触区域中的一个设置在多晶区域的各相邻对之间的间隙中。
具有嵌入多晶半导体材料中的主体接触区域半导体结构

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