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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物-CN201680043047.3有效
发明人：李昇勋;李昇炫;尹相雄;李秀珍;崔映喆 -专利权人：荣昌化学制品株式会社
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及用于形成半导体图案的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物。更详细地说，提供如下的KrF激光用负性光致抗蚀剂组合物：为了改善现有的负性光致抗蚀剂的物理性质而包含特定化合物，进而相比于现有的负性光致抗蚀剂，在短波长曝光源中具有高透明度、高分辨率，同时具有优秀的轮廓
用于形成半导体图案 krf 激光用负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]光致抗蚀剂聚合物及包含其的光致抗蚀剂组合物-CN200410069633.4无效
发明人：李根守 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光致抗蚀剂聚合物及光致抗蚀剂组合物。本发明公开的光致抗蚀剂聚合物及含有它们的光致抗蚀剂组合物具有优异的透射比、耐蚀刻性、耐热性和粘附性、低光线吸收度及对在193nm及157nm波长下的显影溶液具有高度亲和性，因而具有改良的LER(线边缘粗糙度
光致抗蚀剂聚合物包含组合

[发明专利]用于EUV负性光致抗蚀剂的低排气和非－交联聚合物系列-CN200480039655.4无效
发明人： W·岳;H·曹;马尼什·钱德豪克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-12-23 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本文描述了不基于交联化学反应的化学放大的负性光致抗蚀剂的一系列结构。所述光致抗蚀剂可以包括：与环烯烃共聚合的第一芳族结构，其中所述环烯烃用二醇官能化。所述光致抗蚀剂还可以包括光酸产生剂(PAG)。当所述负性光致抗蚀剂的至少一部分被曝光(EUV或UV辐射)时，PAG释放酸，所述酸与官能化的二醇反应以重排成酮或醛。然后，新的酮或醛在显影溶液中较少溶解，导致负性光致抗蚀剂。
用于 euv 负性光致抗蚀剂排气交联聚合物系列

[发明专利]一种深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂-CN201210429479.1有效
发明人：刘陆;薛建设;惠官宝 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-10-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂。本发明的深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂包括环戊烯海松酸、二乙烯基醚、光产酸剂和有机溶剂。本发明的深紫外化学增幅型正性光致抗蚀剂具有良好的感度和良好的透明性。
一种深紫外化增幅型正性光致抗蚀剂

[发明专利]制造光致抗蚀剂图案的方法-CN200810134017.0无效
发明人：姜在贤 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造光致抗蚀剂图案的方法。该方法包括在蚀刻目标层上涂覆光致抗蚀剂，采用使用掩模的曝光工艺形成最初的光致抗蚀剂图案，以及采用包含反应性有机材料的光致抗蚀剂材料生长最初的光致抗蚀剂图案以形成最后的光致抗蚀剂图案。本发明无需功能特定的高价设备即可制造光致抗蚀剂图案，有利于生产，可确保稳定的工艺余量并实现微观设计规则。
制造光致抗蚀剂图案方法

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物-CN200480012725.7无效
发明人：广崎贵子;新堀博 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种负性光致抗蚀剂组合物，该组合物用于这样形成图案的方法中：其中将底层膜置于基片上，含有负性光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀层置于所述底层膜上面，该光致抗蚀膜被选择地曝光，然后所述底层膜和所述光致抗蚀膜同时经受显影处理该负性光致抗蚀剂组合物可以形成分辨率改善的抗蚀图案。
负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]具有光透射性、高柔性以及高耐湿性的电致变色元件用组合物及电致变色部件的制造方法-CN202180048977.9在审
发明人：裵津玗;吴承注 -专利权人：韩国技术教育大学校产学协力团
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光透射性和伸缩性改善的电致变色元件用组合物及电致变色部件的制造方法。根据本发明的实施例的电致变色元件用组合物包含光透射性高分子树脂、增塑剂以及电致变色物质。
有光透射柔性以及高耐湿性变色元件组合部件制造方法

[发明专利]负性光致抗蚀剂组合物-CN200610072012.0无效
发明人：金玟秀;李学俊;朴赞硕 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2006-04-04 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种负性光致抗蚀剂组合物，具体地说，本发明提供了一种包含聚(2－乙基－2－噁唑啉)、叠氮化物类光敏剂和纯水的负性光致抗蚀剂组合物。本发明的负性光致抗蚀剂组合物可以防止环境危害，当应用于CRT的B/M生产过程、荫罩生产过程等时可代替采用Cr的光致抗蚀剂，并且可以在曝光时通过适当地选择光使光吸收带符合加工条件，从而增加感光度，使得可以得到具有优异粘附性和分辨率的点状/条状光致抗蚀剂膜。
负性光致抗蚀剂组合

[发明专利]正性光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的方法-CN200480020267.1无效
发明人：增田靖男;奥井俊树 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C08G8/00 文献下载
摘要：一种包含碱溶性酚醛清漆树脂(A)和光敏剂(B)的正性光致抗蚀剂组合物，所述碱溶性酚醛清漆树脂(A)含有下列通式(I)表示的结构单元(a1)和下列通式(II)表示的结构单元(a2)。
正性光致抗蚀剂形成光致抗蚀剂方法

[发明专利]形成反色调图像的硬掩模方法-CN200980131798.0无效
发明人： D·J·阿卜杜拉;R·R·达莫尔;M·尼瑟 -专利权人： AZ电子材料美国公司
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： G03F7/40 文献下载
摘要：本发明涉及在器件上形成反色调图像的方法，包括：a)在基底上形成吸收性底层；b)在所述底层上形成正性光致抗蚀剂的涂层；c)形成光致抗蚀剂图案；d)用硬化性化合物处理所述第一光致抗蚀剂图案，从而形成经硬化的光致抗蚀剂图案；e)在所述经硬化的光致抗蚀剂图案上由硅涂料组合物形成硅涂层；f)干蚀刻所述硅涂层以除去所述硅涂层直到所述硅涂层具有与所述光致抗蚀剂图案几乎相同的厚度；和g)干蚀刻以除去所述光致抗蚀剂和底层，从而在所述光致抗蚀剂图案的原始位置下方形成沟槽
形成色调图像硬掩模方法

[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和光致抗蚀剂图案的制造方法-CN201880001512.6有效
发明人：林敏映;李泰燮;金智慧 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明涉及正性光致抗蚀剂组合物、使用其的光致抗蚀剂图案和用于制造图案的方法，所述正性光致抗蚀剂组合物包含含有特定结构的重复单元的丙烯酸类树脂、和光敏酸产生化合物。
正性光致抗蚀剂组合使用光致抗蚀剂图案制造方法

[发明专利]灵敏度增强的光致抗蚀剂-CN201680023321.0在审
发明人：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊;安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德;亚历山德拉·麦克莱兰德;托马斯·拉达;约翰·罗斯 -专利权人：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊;安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德;亚历山德拉·麦克莱兰德;托马斯·拉达;约翰·罗斯
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本公开内容涉及新的正性光致抗蚀剂组合物和负性光致抗蚀剂组合物以及使用这些组合物的方法，该正性光致抗蚀剂组合物和负性光致抗蚀剂组合物包含基于一种或更多种特定金属、金属盐和/或金属络合物的组分。光致抗蚀剂组合物和方法对于使用例如紫外线辐射、极端紫外线辐射、超极端紫外线辐射、X射线、电子束和其他带电荷的颗粒射线的高速的精细图案处理是理想的。金属的特征在于高吸收截面和选择的弹性和非弹性电子截面。
灵敏度增强光致抗蚀剂

[发明专利]微影方法-CN201611193075.1在审
发明人：郑雅玲;王筱姗;陈建志;林纬良;陈俊光;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。
方法

[发明专利]用于胶版印刷的铅版的制造方法以及用于胶版印刷的铅版-CN201680004462.8有效
发明人：孙镛久;李承宪 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： B41C1/10 文献下载
摘要：所述用于胶版印刷的铅版的制造方法包括以下步骤：在基板上形成遮光掩模图案；在上面形成有遮光掩模图案的基板上形成负性光致抗蚀剂层；通过向基板施加光来使负性光致抗蚀剂层曝光；以及通过使曝光后的负性光致抗蚀剂层经受显影来形成具有突出凸雕部分和显影凹槽图案的负性光致抗蚀剂图案层，其中负性光致抗蚀剂层的平均厚度为3μm以上，负性光致抗蚀剂图案层具有线宽不同的至少两种凹槽图案，并且所述至少两种凹槽图案之间的线宽差为10μm以上且所述至少两种凹槽图案彼此连接。
用于胶版印刷铅版制造方法以及

[发明专利]光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法-CN202110337729.8在审
发明人：郭怡辰;刘之诚;翁明晖;魏嘉林;陈彦儒;李志鸿;郑雅如;杨棋铭;李资良;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本申请涉及光致抗蚀剂层表面处理、盖层和形成光致抗蚀剂图案的方法。具体地，一种在光致抗蚀剂层中形成图案的方法包括在基板上方形成光致抗蚀剂层，以及降低所述光致抗蚀剂层的湿气或氧气吸收特性。使所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至所述经选择性暴露的光致抗蚀剂层使所述潜在图案显影以形成图案。
光致抗蚀剂层表面处理盖层形成光致抗蚀剂图案方法

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