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[发明专利]一种异质隧道结的多结垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202211056817.1在审
发明人：任翱博;赵飞云;巫江;唐枝婷;李妍 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质隧道结的多结垂直腔面发射激光器及其制备方法，涉及半导体激光器领域，解决了现有垂直腔面发射激光器功率密度、量子效率和斜效率低、且吸收损耗较高的问题，激光器自上而下依次为P电极、P型布拉格反射镜组、第一氧化层、第一有源区、Ⅱ型异质隧道结、第二氧化层、第二有源区、N型布拉格反射镜组、衬底、N电极，通过在激光器中引入Ⅱ型异质隧道结，确保较低的激光器阈值和大功率的同时，减小了串联电阻和隧道结处的价带间吸收，实现了高性能的多结垂直腔面发射激光器。
一种隧道垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种高速DFB激光器外延结构及其制造方法-CN201910873793.0在审
发明人：单智发;张永;姜伟;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构在InP过渡层中，插入两组应变的异质结超晶格层，应变的异质结超晶格层兼顾腐蚀截止层的作用；并有利于二次外延生长时及InP原子的迁移，能提高光栅掩埋层的材料质量，提高DFB激光器的性能；该DFB激光器外延结构无腐蚀截止层，激光器电阻低，阈值低，无低频滚降现象，能提高高温带宽，使激光器能工作在‑40~85℃的宽的温度范围。
超晶格层异质结外延结构过渡层衬底激光器渐变层截止层势垒源区欧姆接触层光栅上波导层上限制层外延生长下波导层光栅层缓冲层联接层量子阱无腐蚀限制层掩埋层电阻两组沉积带宽迁移腐蚀

[实用新型]一种高速DFB激光器外延结构-CN201921537387.9有效
发明人：单智发;张永;姜伟;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高速DFB激光器外延结构，包括InP衬底，在衬底InP衬底由下至上依次沉积有缓冲层、有源区限制层、下波导层、量子阱、上波导层、有源区上限制层、过渡层、光栅层、联接层、第一势垒渐变层、第二势垒渐变层和欧姆接触层，所述过渡层内插入应变的第一异质结超晶格层、第二异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构在InP过渡层中，插入两组应变的异质结超晶格层，应变的异质结超晶格层兼顾腐蚀截止层的作用；并有利于二次外延生长时及InP原子的迁移，能提高光栅掩埋层的材料质量，提高DFB激光器的性能；该DFB激光器外延结构无腐蚀截止层，激光器电阻低，阈值低，无低频滚降现象，能提高高温带宽，使激光器能工作在‑40~85℃的宽的温度范围。
一种高速 dfb 激光器外延结构

[发明专利]基于碲-铋异质结的可饱和吸收体及其制备方法、激光器-CN202210647605.4在审
发明人：葛颜绮;张晗;张也;高晓萌;杨富美 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于混合维度的碲‑铋异质结的可饱和吸收体及其制备方法、激光器，其中可饱和吸收体包括微纳光纤和设置在微纳光纤表面的碲‑铋异质结，碲‑铋异质结包括0D铋量子点和1D碲纳米管，0D铋量子点均匀分布于可饱和吸收体采用碲‑铋异质结的结构，该碲‑铋异质结环境稳定性良好且光吸收较强，非线性吸收系数比大多数二维材料大至少一个量级，且具有较小的可饱和吸收强度，适用于短脉冲激光器，使短脉冲激光器具有低阈值锁模功率和良好的环境稳定性
基于铋异质结饱和吸收体及其制备方法激光器

[发明专利]一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器-CN202011547259.X有效
发明人：何朋飞;陶丽丽 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明属于被动锁模光纤激光器技术领域，公开了一种基于二碲化钨/二硫化钨异质结的可饱和吸收体和制备方法及其制成的锁模光纤激光器。base:Sub>2上制备WTe2，形成WTe2/WS2异质结，然后通过强碱溶液刻蚀，得到WTe2/WS2异质结薄膜。锁模光纤激光器包括泵浦源、波分复用器、掺杂光纤、单模光纤、光隔离器、光纤耦合器、偏振控制器和WTe2/WS2异质结可饱和吸收体，构成环形腔激光器。
一种基于二碲化钨硫化钨异质结饱和吸收体制备方法及其制成光纤激光器

[发明专利]基于WS₂/石墨烯异质结的超短脉冲光纤激光器-CN201610651652.0有效
发明人：陶丽丽;李京波;邹炳锁;陈燚;张荣兴 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本发明提供了一种WS₂/石墨烯异质结薄膜的制备方法，以及基于该异质结薄膜的被动锁模光纤激光器的搭建方法。该方法包括：首先，大面积均匀的WS₂薄膜由磁控溅射法制备，然后将石墨烯转移到|WS₂薄膜上，形成WS₂/石墨烯异质结，再通过强碱溶液刻蚀，得到独立的WS₂/石墨烯异质结薄膜，将其放置于光纤光路系统中可作为可饱和吸收体产生超短脉冲激光。本发明创新地采用WS₂/石墨烯异质结薄膜，同时克服了WS₂被动锁模脉宽不够窄以及石墨烯调制深度小的缺点，从而可以得到调制深度大的超短脉冲光纤激光器。
基于 ws sub 石墨烯异质结超短脉冲光纤激光器

[发明专利]一种相干多波长激光器-CN202211015834.0在审
发明人：孙振兴;徐真真;王亚光;杨子江;王鸿基;肖如磊;陈向飞 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种相干多波长激光器，包括F‑P激光器、可饱和吸收体和波长选择镀膜单元；所述F‑P激光器采用双异质结多量子阱结构作为增益介质提供增益，利用端面反射提供反馈实现多波长的激射；所述波长选择镀膜单元，用于在激光器输出端面和可饱和吸收体后端面进行指定光学带宽的光学镀膜；所述可饱和吸收体集成在F‑P激光器背光段，采用与F‑P激光器相同的双异质结多量子阱结构，F‑P激光器以及可饱和吸收体隔离分别加电。
一种相干波长激光器

[发明专利]垂直腔表面发射激光器-CN201580051823.X有效
发明人： P.H.格拉奇;R.A.贾格 -专利权人：皇家飞利浦有限公司
申请日： 2015-09-03 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明描述了一种垂直腔表面发射激光器和一种制造这种垂直腔表面发射激光器的方法。该垂直腔表面发射激光器包括第一电触点（105,405,505,605,705）、衬底（110,410,610,710）、第一分布式布拉格反射器（115,415,615,715）、有源层（120,420,620,720）、分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）、第二分布式布拉格反射器（130,430,630,730）和第二电触点（135,435,535,635,735），分布式异质结双极光电晶体管（120,420,620,720）和分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管（125,425,625,725）提供有源载流子限制，使得垂直腔表面发射激光器的光学模式在垂直腔表面发射激光器的操作期间是根据有源载流子限制而自定位的。
垂直表面发射激光器

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN201880079276.X有效
发明人： P·H·格拉赫;R·米查尔齐克;S·巴德尔 -专利权人：通快光电器件有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明描述一种垂直腔面发射激光器和制造这种垂直腔面发射激光器的方法。垂直腔面发射激光器包括第一电触点(105)、第二电触点(135)和光学谐振器，所述光学谐振器包括第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、分布式异质结双极光电晶体管(125)、第二分布式布拉格反射器(130)和光学引导结构(137)，所述分布式异质结双极光电晶体管(125)包括集电极层(125a)、光敏层(125c)、基极层(125e)和发射极层，其中，分布式异质结双极光电晶体管(125)布置成使得有源层(120)与分布式异质结双极光电晶体管(125)之间存在光学耦合，以用于借助于分布式异质结双极光电晶体管(125)提供有源载流子限制，其中，光学引导结构(137)设置为能够在垂直腔面发射激光器的操作期间引导垂直腔面发射激光器的光学谐振器内的光学模式，其中，光学引导结构(137)布置在能够在垂直腔面发射激光器的操作期间借助于第一电触点(105)和第二电耦合(135)提供的电流之外，其中，光学引导结构(137)在垂直腔面发射激光器的竖直方向上布置在第一电触点
垂直发射激光器

[发明专利]一种量子阱结构的宽谱激光器-CN201410289761.3在审
发明人：酉伟英 -专利权人：南京青辰光电科技有限公司
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明公开了一种可以呈现宽谱特性的量子阱激光器，属于半导体光电子领域。本发明的激光器包括依次层叠的N型电极、N型衬底、N型缓冲层、第一N型重掺杂层、第一无掺杂的有源区、第二N型重掺杂层、第二无掺杂的有源区、P型重掺杂层、P型接触层和P型电极。本发明的宽谱激光器在两个有源区中间引入异质结，其中异质结由重掺杂N层和本征掺杂P层组成。可以实现有源区是量子阱的宽谱激光器。
一种量子结构激光器

[实用新型]一种异质结可饱和吸收镜、锁模光纤激光器-CN201620532351.1有效
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本实用新型提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收光纤激光器

[发明专利]一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法-CN201811178258.5有效
发明人：张恩;李紫谦;刘建军;许海明 -专利权人：湖北光安伦科技有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺
一种发散掩埋异质结 dfb 激光器制作方法

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201280051908.4有效
发明人：京野孝史;盐谷阳平;上野昌纪;梁岛克典;田才邦彦;中岛博;风田川统之 -专利权人：住友电气工业株式会社;索尼株式会社
申请日： 2012-06-22 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：在｛20－21｝面上的半导体激光器中，在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时，该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面，在c面上的半导体激光器中，在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时，在从半导体隆脊流出的载流子，不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
氮化物半导体发光元件

[其他]阶梯衬底内条形激光器-CN87103851无效
发明人：杜国同 -专利权人：吉林大学
申请日： 1987-05-24 - 公布日： 1988-12-14 - 主分类号： H01S3/19 文献下载
摘要：本发明为一种半导体激光器。本发明为一种内条形双异质结激光器，这种激光器是在衬底上预先腐蚀出倒梯形阶梯、窄台阶等适当的形状，利用非平面衬底液相外延的性质，使电流隔离层和双异质结构一次外延完成生长，电流通路在外延生长中自然形成。其优点是工艺简单、工序少、工艺周期短、低阈值、良好的线性输出和稳定大功率单基模式振荡，并可提高激光器的可靠性。
阶梯衬底条形激光器

[发明专利]阶梯衬底内条形激光器-CN87103851.X无效
发明人：杜国同 -专利权人：吉林大学
申请日： 1987-05-24 - 公布日： 1990-09-19 - 主分类号： H01S3/19 文献下载
摘要：本发明为一种半导体激光器。本发明为一种内条形双异质结激光器，这种激光器是在衬底上预先腐蚀出倒梯形阶梯、窄台阶等适当的形状，利用非平面衬底液相外延的性质，使电流隔离层和双异质结构一次外延完成生长，电流通路在外延生长中自然形成。其优点是工艺简单、工序少、工艺周期短、低阀值、良好的线性输出和稳定大功率单基模式振荡，并可提高激光器的可靠性。
阶梯衬底条形激光器

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