专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202310003147.5在审
  • 盛薄辉;王雪菲 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-01-03 - 2023-06-23 - H01L21/56
  • 该半导体结构的制作方法包括:获取晶圆的背面的补偿量分布,晶圆的正面用于形成功能结构,晶圆的背面与晶圆的正面相对设置;根据补偿量分布,在晶圆的背面形成用于调整晶圆的形变量的调整层,调整层的厚度分布与补偿量分布相对应根据获取的晶圆的补偿量分布,在晶圆的背面形成调整层,调整层的厚度分布与补偿量分布相对应,利用调整层对晶圆产生应力,可以调整和改善晶圆的变形,从而减少功能结构的弯曲,保证功能结构的性能,进而提高半导体结构的良率
  • 半导体结构及其制作方法

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