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[发明专利]二维光子晶体面发光激光器-CN202080015129.3在审
发明人：野田进;井上卓也;吉田昌宏;M·德佐萨 -专利权人：国立大学法人京都大学
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01S5/18 文献下载
摘要：的一侧的板状的母材(121)上设置的、作为第1二维光子晶体区域的二维光子晶体光放大部(123)以及作为第2二维光子晶体区域的二维光子晶体光反射部(125)，二维光子晶体光放大部(123)具有放大部光子带隙(15)，该放大部光子带隙(15)是在倒易空间的规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，二维光子晶体光反射部(125)设置于二维光子晶体光放大部(123)的周围，具有反射部光子带隙(16)，该反射部光子带隙(16)是在倒易空间的所述规定的点具有能带端的2个光子能带之间形成的光子带隙，其中，放大部光子带隙(15)的能量范围与反射部光子带隙(16)的能量范围不同且有一部分重叠。
二维光子晶体发光激光器

[发明专利]一种带数字控制的带隙基准电流源电路-CN202111549037.6有效
发明人：李雪;田德鑫;陈进;张子扬;简启航;胡尔凯;刘成杰;黄军 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种带数字控制的带隙基准电流源电路，属于集成电路领域。所述一种带数字控制的带隙基准电流源电路，利用运算放大器放大带隙基准核心电路产生的正温度系数电压和负温度系数电压，然后通过数字控制电流源阵列将运放的输出信号映射到输出电流并通过数字控制信号进行配比，实现对带隙基准电流源的电流大小和温度系数的调节解决了现有带隙基准电路不能解决除温度之外其他环境因素(如辐照等)对电路输出稳定参考信号的影响的问题。本发明广泛应用于包含带隙基准电流源电路的视频编解码器、混合信号转换器、电源管理器等高精度控制系统及其他相关领域。
一种数字控制基准电流电路

[发明专利]一种提高带隙基准源精度的乘数修调补偿技术-CN201711316170.0在审
发明人：王军;任贺宇;周小洁;赵传阵 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提出了一种提高带隙基准源精度的乘数修调补偿技术，归属于微电子学和传感技术等领域，其特征在于采用乘数修调曲线与带隙基准源温度特性曲线相乘的方法，并合理设计乘数修调曲线在不同温度区间内的函数值，对带隙基准源的温度特性曲线进行曲率修调；乘数修调曲线是一种函数值随温度变化且最大值为1的曲线，在带隙基准源温漂较小的温度区间，乘数修调曲线的函数值较大，在带隙基准源温漂较大的温度区间，乘数修调曲线的函数值较小；本发明的优越性在于易于实现，简便通用，并极大提升带隙基准源的整体精度，保证高精度电路系统的稳定性；本发明提出的乘数修调补偿技术适用于提高各种带隙基准源的精度。
一种提高基准精度乘数补偿技术

[发明专利]肖特基二极管结构以及与III-V晶体管的集成-CN201910497091.7在审
发明人：邓汉威;P.费希尔;W.哈菲斯;M.拉多萨夫尔杰维奇;S.达斯古普塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：此外，第一III‑V材料具有第一带隙，并且第二III‑V材料具有第二带隙，沟道III‑V材料具有沟道III‑V材料带隙，其中沟道材料带隙、第二带隙和第一带隙形成带隙的单调序列。
带隙源极区域沟道半导体器件材料带隙单调序列沟道材料沟道区域晶格常数

[发明专利]带隙基准电路及其操作方法、电子装置-CN202211056119.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：上海壁仞智能科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：一种带隙基准电路及其操作方法和包括带隙基准电路的电子装置。该带隙基准电路包括：被配置为产生正温度系数电流的正温度系数模块、被配置为复制正温度系数电流以产生基准电压VREF的基准电压发生模块、被配置为复制正温度系数电流以产生感应电压VPTAT的感应电压发生模块、以及与正温度系数模块和基准电压发生模块电连接并且被配置为接收控制信号使得带隙基准电路在第一模式下工作或在第二模式下工作的模式切换模块该带隙基准电路可以在第一模式和第二模式之间进行切换并在相应模式下进行工作，以实现同一带隙基准电路在不同模式下的复用，因而避免了在不同模式下使用多个带隙基准电路，减少了芯片占用面积和功耗。
基准电路及其操作方法电子装置

[发明专利]一种具有多局域共振带隙的周期振子结构-CN202310560263.7在审
发明人：李威;任瑞文;刘山尖;陈荣 -专利权人：浙江理工大学;中国船舶集团有限公司第七〇四研究所
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： F16F15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多局域共振带隙的周期振子结构，由周期振子结构和多类型LR吸振器组成，其中，周期振子结构由无数个相同周期单元通过两个节点串联连接而成，每个周期单元由振子质量块和振子弹簧组成，振子质量块为刚体本发明的多局域共振带隙的周期振子结构很好的揭示了周期结构中高频Bragg带隙和低频局域带隙特性，揭示了该周期结构中多个LR带隙和Bragg带隙的共存，在带隙频率范围内，振动在周期结构中的传递将出现大幅的衰减
一种具有局域共振周期结构

[发明专利]一种高精度低温漂的基准电压电路-CN202310392494.1在审
发明人：韩前磊;林中瑀;孔祥艺;王成皓 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及模拟集成电路技术领域，特别涉及一种高精度低温漂的基准电压电路，启动偏置模块；带隙基准模块，基于Brokaw带隙基准源模型完成设计，结合P型基区电阻，实现带隙基准电压的二阶温度补偿；所述带隙基准模块由三极管N14管、三极管N15管、金属薄膜电阻R16、金属薄膜电阻R17、金属薄膜电阻R18、金属薄膜电阻R19、金属薄膜电阻R22和P型基区电阻R23构成；运算放大器OPA，与所述带隙基准模块组成闭环回路，同时具有足够的电流放大能力本发明可以为带隙基准模块提供一个具有正温度系数的二阶电压分量，用来降低带隙基准电压的温度系数，最终实现输出基准电压的低温漂特性。
一种高精度低温基准电压电路

[发明专利]一种高精度的超低功耗比较器电路-CN202111288028.6在审
发明人：肖飞;于翔 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：一种高精度的超低功耗比较器电路，其特征在于：电路包括电路选择单元、带隙基准单元、电荷发生单元和比较器；其中，电路选择单元，分别与带隙基准单元和电荷发生单元连接，用于选择基于带隙基准单元输出的基准带隙电压Vbg和电荷发生单元输出的缓冲电压VC作为比较器负向输入端的选择电压VX；带隙基准单元，用于生成基准带隙电压Vbg，并基于电路选择单元的选择将其输入至比较器；电荷发生单元，用于生成缓冲电压VC，并基于电路选择单元的选择将其输入至比较器；比较器，基于输入电压与基准带隙电压Vbg和缓冲电压VC的比较实现比较信号的输出。
一种高精度功耗比较电路

[发明专利]基于空芯光子带隙光纤和微光纤的可调谐F-P滤波器-CN201110048243.9有效
发明人：朱涛;邓明 -专利权人：重庆大学
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于空芯光子带隙光纤和微结构光纤的可调谐F-P滤波器，它由第一单模光纤、空芯光子带隙光纤、微直径光纤段和普通单模光纤段组成；微直径光纤段与普通单模光纤段为整体结构；第一单模光纤的一端与空芯光子带隙光纤的一端熔接；微直径光纤段的直径小于空芯光子带隙光纤的中孔直径，微直径光纤段端部插接在空芯光子带隙光纤的中孔内；微直径光纤段长度大于或等于空芯光子带隙光纤的长度；第一单模光纤与空芯光子带隙光纤熔接处形成第一反射面，
基于光子光纤微光调谐滤波器

[发明专利]带隙基准源的启动电路-CN201210454455.1有效
发明人：唐成伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙基准源的启动电路，包括由两个PMOS管组成的对称的差分对管，两个PMOS管的源极连接在一起并和第一电流源连接；第三PMOS管的源极连接第一PMOS管的漏极，第三PMOS管的漏极接地，本发明通过对称的差分对管的设置，并通过一对由带隙基准源的主体电路提供的控制信号，能够在带隙基准源的主体电路正常工作时，能使第一电流源的电流泄放到地而不会进入到带隙基准源的主体电路中；当带隙基准源的主体电路未启动时，能使第一电流源的电流进入到带隙基准源的主体电路中进行启动而不再泄放到地，最后能够提高带隙基准源的精度。
基准启动电路

[发明专利]启动电路和包括启动电路的带隙基准源电路-CN201210146682.8有效
发明人：潘少辉;胡胜发 -专利权人：安凯（广州）微电子技术有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种用于带隙基准源电路的启动电路，所述带隙基准源电路包括由运算放大器和两个PMOS管构成的负反馈电路以及两个双极型晶体管，所述启动电路包括一个开关管，该开关管一端连接在带隙基准源电路的运算放大器一个输入端，所述开关管由power down控制信号的电平高低控制导通与关闭，当关断带隙基准源电路时，开关管关闭，启动带隙基准源电路时，开关管导通。相应地，本发明还提供一种包括启动电路的带隙基准源电路。通过控制信号的电平高低使开关管导通或关闭，在power down为高电平时启动电路能够完全关断带隙基准源电路，同时能够保证启动电路的正常工作，并且启动电路本身具有极低的功耗。
启动电路包括基准

[发明专利]具有用于背侧接点的通孔的倒置变形太阳能电池-CN200710302234.1有效
发明人：保罗·R·夏普斯 -专利权人：昂科公司
申请日： 2007-12-20 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种通过以下步骤形成包括上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法：提供第一衬底以供外延生长半导体材料；在所述衬底上形成具有第一带隙的第一太阳能子电池；在所述第一子电池上方形成具有小于所述第一带隙的第二带隙的第二太阳能子电池；在所述第二子电池上方形成具有大于所述第二带隙的第三带隙的分级夹层；形成具有小于所述第二带隙的第四带隙的第三太阳能子电池，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配；以及从所述第三子电池的顶部向所述衬底蚀刻通孔
具有用于接点倒置变形太阳能电池

[发明专利]倒置变质多结太阳能电池中的障壁层-CN200810211416.2有效
发明人：阿瑟·科恩费尔德;马克·A·斯坦;坦森·瓦格赫塞;弗雷德·纽曼 -专利权人：昂科公司
申请日： 2008-09-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种形成包括上部子电池、中部子电池和下部子电池的多结太阳能电池的方法，所述方法包括：提供第一衬底，其用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成障壁层，以减少穿透位错；在所述障壁层上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池而晶格失配。
倒置变质太阳能电池中的障壁层

[发明专利]一种高精度的温度传感器电路-CN201810372794.2有效
发明人：李泽宏;张成发;孙河山;熊涵风;罗仕麟 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01K7/42 文献下载
摘要：首先利用带隙基准模块产生一个带隙基准电压和一个正温度系数电压，然后用两个相同的压频转换电路分别将正温度系数电压与带隙基准电压转化为正温度系数电压频率和带隙基准电压频率，最后通过两个计数器计数，当第二计数器计满之后通过反馈信号使得第一计数器停止计数，通过获得正温度系数电压与带隙基准电压比值来获得温度值大小，所设计的温度传感器结构简单，可以做到低功耗；带隙基准模块中使用斩波运放用于消除运放失调所引起的误差，带隙基准模块后增加一个系统斩波模块来减小比较器失调电压对温度检测的误差
一种高精度温度传感器电路

[发明专利]一种基于复合导光机制的空芯光子带隙光纤环与集成光学芯片直接耦合方法及装置-CN201911113193.0有效
发明人：徐小斌;何程;宋凝芳;高福宇;刘嘉琪;王晓阳;朱云浩 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明针对制约空芯光子带隙光纤陀螺性能的空芯光子带隙光纤环耦合问题，提出一种基于复合导光机制的空芯光子带隙光纤环与集成光学芯片直接耦合方法及装置，属于光纤器件制造技术领域。装置包括：具有复合导光机制的空芯光子带隙光纤环、夹具以及集成光学芯片。方法包括：步骤1、获取空芯光子带隙光纤环的平整端面；步骤2、分别向端面的纤芯大空气孔和包层小空气孔内注入高折射率和低折射率光学胶；步骤3、将具有复合导光机制的空芯光子带隙光纤环与集成光学芯片直接耦合。本发明无需熔接，消除了熔接点对光路互易性影响，通过选择填充合适的高低折射率光学胶，实现空芯光子带隙光纤环与集成光学芯片低损耗、低背向反射、高可靠的直接耦合。
一种基于复合机制光子光纤集成光学芯片直接耦合方法装置