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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带隙基准电路-CN202111530058.3在审
发明人：邸士伟;冯越 -专利权人：西安格易安创集成电路有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种带隙基准电路，其包括启动电路以及具有运算放大器和尾电流源的带隙基准核心电路，其启动电路设置在运算放大器的输出端与尾电流源之间或者设置在运算放大器的输出端与地之间，不会影响带隙基准核心电路的原有设计，且能够在一电压信号的控制下开启，形成运算放大器的输出端到地的通路，以向带隙基准核心电路提供启动所需的电压，确保带隙基准电路在上电后能够稳妥地进入工作状态，而且该启动电路在带隙基准核心电路稳定工作后能被关断
基准电路

[发明专利]低偏移带隙电路和校正器-CN201410196195.1有效
发明人：李永胜 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：一种低偏移带隙电路和校正器，该低偏移带隙电路包括一核心带隙电路和一偏移消除电路。该低偏移带隙电路于一输出节点提供一参考电位。该核心带隙电路包括一核心运算放大器，以产生一核心电流。本发明能够降低由运算放大器的偏移所造成的输出波动，从而有效地改良核心带隙电路的输出电位的稳定度。
偏移电路校正

[发明专利]一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法-CN201911010999.7有效
发明人：叶思远;李宇波;华飞;邝昊泽;汪小知;杨杭生 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙，或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙，或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控，以无毒无害的靶材和气体为原料，成本较低，设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。
一种氮化薄膜制备调控方法

[发明专利]一种适用于低电压的带隙基准修调电路-CN202110884009.3有效
发明人：吴霖;樊杨;章羚洪 -专利权人：南京慧感电子科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于低电压的带隙基准修调电路。该电路包括带隙基准修调电路、振荡器电路、电压侦测电路、电荷泵电路和逻辑电路。本发明在采用MOS开关管来控制修调带隙基准电压的基础之上，通过引入振荡器电路、电荷泵电路和电源切换电路等，在输入电源VDD偏低的情况下，提高MOS开关管的控制电压，确保MOS开关管能够充分导通，减小导通电阻对带隙基准修调电路中的电阻影响，有效的解决带隙基准电路在输入供电电源低电压状态下基准电压升高的问题，提高带隙基准电路在全电压输入下的基准电压的一致性。
一种适用于电压基准电路

[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法-CN201310316261.X无效
发明人：西森理人;今田忠纮;多木俊裕 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2013-07-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：化合物半导体器件包括如下化合物半导体层：第一层；形成在第一层上方的第二层，其带隙大于第一层的带隙；形成在第二层上方的第三层，其具有p型导电类型；经由第三层形成在第二层上方的栅电极；形成在第二层上方的与第三层接触的第四层，其带隙大于第二层的带隙；以及形成在第四层上方的与第三层接触的第五层，其带隙小于第四层的带隙。
化合物半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有自动调整输出电压的全CMOS带隙电压基准电路-CN201310113983.5无效
发明人：赵建中;赵撼坤;刘海南;黑勇;周玉梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： G05F3/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有自动调整输出电压的全CMOS带隙电压基准电路，该带隙电压基准电路包括启动电路和带隙基准产生电路，其中：启动电路，用于防止因放大器负输入端一直为低使输出端一直为高而出现锁死状态；带隙基准产生电路本发明通过采用PMOS型晶体管代替双极型晶体管的方式，实现了一种全CMOS的带隙基准电路。该带隙基准电路具有功耗低、面积小，噪声性能好，在不考虑工艺误差的情况下稳定性好等优点，适用于不能制造双极型晶体管或制造双极型晶体管有困难的工艺。
具有自动调整输出电压 cmos 基准电路

[实用新型]一种带隙基准源电路和带隙基准源-CN201320843782.6有效
发明人：韦世进;吴小晔;陈璐;杨智昌 -专利权人：深圳创维-RGB电子有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本实用新型属于基准源电路领域，提供了一种带隙基准源电路和带隙基准源。所述带隙基准源电路与电源连接，包括与所述电源连接的偏置电路、与所述电源以及所述偏置电路连接的启动控制电路；以及与所述电源、所述偏置电路以及所述启动控制电路连接的基准电压生成电路。本实用新型提供的带隙基准源电路通过偏置电路为启动控制电路和基准电压生成电路提供偏置电压，然后由启动控制电路驱动带隙基准源电路正常上电并停止接入所述偏置电压，通过基准电压生成电路生成可调基准电压，解决了温度补偿型齐纳基准源精度低以及现有带隙基准源只能输出约
一种基准电路

[实用新型]无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片-CN201721448627.9有效
发明人：聂海;王银 -专利权人：成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片，其中，无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路，包括依次连接的启动电路单元、反馈回路单元、微电流源单元、带隙基准单元；启动电路单元采用稳压二极管结构，作为带隙基准源电路的输入级；反馈回路单元采用NPN管作为反馈回路，用于将输出电压反馈到微电流源单元的电流输入端；微电流源单元采用三极管的比例电流镜结构，用于将输出电流输入到带隙基准单元的输入端；带隙基准单元采用
无运放 bjt 温度系数基准电路芯片

[实用新型]一种低功耗高PSR的带隙基准电路-CN201920162152.X有效
发明人：唐小丽 -专利权人：芯海科技（深圳）股份有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低功耗高PSR的带隙基准电路，包括带隙基准电路，RC滤波电路，钳位电路；带隙基准电路提供不随温度变化的基准电压和电流且功耗严格控制，便于与后面的RC滤波来实现高PSR；钳位电路则主要用于过压保护，以此来抵抗电源瞬间过充；RC滤波电路包括第一电阻和第一电容，第一电阻与电源的正极连接，第一电容与第一电阻的另一端连接，第一电容的另一端接地；第一电阻的另一端分别与钳位电路和带隙基准电路连接，以通过RC滤波对钳位电路和带隙基准电路的输入电源进行滤波，实现低功耗高PSR的带隙基准电路。
带隙基准电路钳位电路电阻电容低功耗滤波滤波电路电源本实用新型过压保护基准电压输入电源一端连接正极连接接地功耗过充抵抗

[实用新型]一种低压低功耗的带隙基准电路-CN202022668168.3有效
发明人：卿琼 -专利权人：东莞市郡仁司电子科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供一种低压低功耗的带隙基准电路，属于集成电路技术领域，包括带隙基准结构、启动电路、自偏置电路和分压网络；电路在传统的带隙基准结构的基础上增加启动电路、自偏置电路和分压网络，降低带隙基准的电压在‑55℃～125℃温度范围内，该电路的带隙基准输出电压变化量仅为2.661mV，整个带隙基准电流消耗最大仅为19uA，最低工作电压可以到2V，并留有足够余量。
一种压低功耗基准电路

[实用新型]一种CMOS电压基准源-CN202021049097.2有效
发明人：张金勇;梅逢城;曹建民;相韶华 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种CMOS电压基准源，包括：带隙基准电路、电源纹波抑制电路以及软启动电路；电源纹波抑制电路的输入端与外部输入电源电压连接，电源纹波抑制电路的输出端与带隙基准电路的输入端连接，带隙基准电路的输出端输出参考电压，软启动电路分别连接外部输入电源电压以及带隙基准电路；带隙基准电路用于产生参考电压，电源纹波抑制电路用于抑制电源纹波以使带隙基准电路不随外部输入电源电压变化，软启动电路将稳压电路从零电流工作点状态转换为正常工作点状态
一种 cmos 电压基准

[实用新型]一种光子带隙光纤及光子带隙光纤激光器-CN201020596266.4无效
发明人：闫培光;阮双琛;郭春雨;赵健;杜戈果 -专利权人：深圳大学
申请日： 2010-11-08 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本实用新型适用于黄色激光技术，提供了一种光子带隙光纤及光子带隙光纤激光器，所述光子带隙光纤包括包层和设于所述包层内的纤芯，所述包层由外包层和内包层构成，所述外包层与内包层之间设有多个空气孔，所述纤芯的外侧设有由多根高折射率玻璃线组成的微结构阵列所述光子带隙光纤具有PBG效应、传输损耗低、偏振输出等特点。基于所述光子带隙光纤的光子带隙光纤激光器输出高效率、大功率1100～1200nm的激光，相应倍频产生的黄光效率高、功率大。
一种光子光纤激光器

[发明专利]多层膜和光伏模块-CN201380025586.0有效
发明人：金贤哲;程在植;安度源 -专利权人： LG化学株式会社
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本申请的实施方式提供一种在不同层中包含带隙能为3.3eV以上的无机粒子和带隙能低于3.3eV的无机粒子的多层膜，其中，包含带隙能为3.3eV以上的无机粒子的层被设置在包含带隙能低于3.3eV的无机粒子的层的上部，并且，通过包括包含带隙能为3.3eV以上的无机粒子的层位于更接近入射光的部位以增加在紫外光区的反射率并引起内反射，形成的光伏模块由此提高电池的能量转化效率，同时，通过包括包含带隙能为3.3eV以上的无机粒子的下部密封材料层或背板
多层模块

[发明专利]具有可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管-CN201480076343.4有效
发明人： U·E·阿维奇;D·E·尼科诺夫;I·A·扬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明描述了包括可变带隙沟道的隧穿场效应晶体管(TFET)。在一些实施例中，可以通过诸如电压或电场等力的施加或撤除的至少其中之一来动态改变可变带隙沟道的一个或多个带隙特性。在一些实施例中，可变带隙沟道可以被配置为响应于力的施加和/或撤除而从导通调制到截止状态，反之亦然。可变带隙沟道在导通状态中可以呈现出比在截止状态中更小的带隙。
具有可变沟道场效应晶体管

[发明专利]带隙基准电路及带隙基准源电路-CN202310253865.8在审
发明人：孙亚楠;王嘉奇 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种带隙基准电路及带隙基准源电路，带隙基准电路包括：共源共栅电流镜、第一共源共栅单元、第一运算放大单元以及输出单元，其中：第一共源共栅单元，与共源共栅电流镜耦接，适于对共源共栅电流镜的输出电流进行镜像；
基准电路

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