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[发明专利]一种低压结构的带隙基准源电路-CN202111678032.3在审
发明人：傅珅;王海力 -专利权人：京微齐力（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请提供了一种低压结构的带隙基准源电路。该带隙基准源电路包括：核心带隙基准源生成电路和带隙基准源输出电路，核心带隙基准源生成电路包括第一支路和第二支路，第二支路与第一支路连接。其中，第二支路用于将第一支路上形成的第一基准电压转换成小于第一基准电压的第二基准电压并输出到带隙基准源输出电路，带隙基准源输出电路基于第二基准电压输出目标电压或者目标电流。
一种低压结构基准电路

[发明专利]低功耗的带隙基准电路、芯片及电子设备-CN202310353996.3在审
发明人：张志辉 -专利权人：辰芯半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗的带隙基准电路、芯片及电子设备，其中，本发明技术方案为由第一电源以及均与所述第一电源连接的带隙基准核心模块、PN结支路、上拉模块、自偏置电流模块、电流注入模块和启动判断模块组成的低功耗的带隙基准电路；通过启动判断模块在第一电源上电时，对公共节点的带隙基准电压是否低于带隙基准参考电压的判断，输出对应控制信号，指示各模块的工作状态。本发明技术方案可使所述的低功耗的带隙基准电路在不增加额外的电流的情况下，减小工艺\电压\温度对启动电路正常工作的影响，产生适用于电压模和电流模的带隙基准电压，能够适应电源电压的快速上电和缓慢上电。
功耗基准电路芯片电子设备

[发明专利]一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路-CN202310035395.8在审
发明人：叶美耀;熊欢;陈敏华;李雪;袁兴林;唐毓尚 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种高阶温度补偿基准电压源和集成电路，所述基准电压源包括：偏置电路、运算放大电路、带隙基准电压源核心电路和温度曲率补偿电路；所述偏置电路用于将外部电源端的输出电压转换成偏置电流；所述带隙基准电压源核心电路用于根据所述偏置电流产生带隙基准电压；所述运算放大电路用于构成负反馈，控制所述带隙基准电压的大小；所述温度曲率补偿电路用于对所述带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿；本发明通过温度曲率补偿电路对带隙基准电压进行高阶温度曲率补偿，使带隙基准电压源核心电路输出电压的温度特性可以和曲率补偿项互补抵消
一种温度补偿基准电压集成电路

[发明专利]一种通用的带隙基准启动电路-CN201010268996.6有效
发明人：黄伟;马成炎;叶甜春 -专利权人：杭州中科微电子有限公司
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开一种通用的带隙基准启动电路，该启动电路为电流比较结构，由自偏置电路、电流镜比较电路以及下拉晶体管组成，用于电压模带隙基准启动电路时，基准电流只需满足一定范围，电路结构简单，用于电流模带隙基准电路，当带隙基准电路因多简并点而工作在一个错误工作状态时，电流比较结果迅速将启动电路开启，使带隙基准电路进入正常工作状态，同时新的电流比较结果立即将启动电路关断，不对基准电路产生影响。本发明有效解决两种模的带隙基准电路启动问题，通用于CMOS工艺下带隙基准电路结构。
一种通用基准启动电路

[发明专利]一种无运放的带隙基准电路-CN201810013863.0有效
发明人：来新泉;王慧;王宇恒;李琴琴 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种无运放的带隙基准电路，该带隙基准电路包括带隙核心单元、钳位单元和启动单元；带隙核心单元用于产生零温度系数基准电压VREF；钳位单元的输入端分别连接钳位电压VA和钳位电压VB，输出端连接基准电压VREF，与带隙核心单元构成负反馈，用于保证带隙核心单元输出的钳位电压VA与钳位电压VB相等；启动单元的输入端连接钳位电压VB，输出端输出启动信号Vstart至钳位单元，用于保证钳位单元和带隙核心单元在上电时迅速进入正常工作状态
一种无运放基准电路

[发明专利]一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路-CN201910327106.5有效
发明人：李泽宏;胡任任;杨尚翰;洪至超;仪梦帅 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G05F1/575 文献下载
摘要：一种具有预稳压结构的高电源抑制比带隙基准电路，包括第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路、预稳压电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路，第一启动电路、第二启动电路、第三启动电路分别用于启动预稳压电路、基准电流源电路、带隙基准核心电路；预稳压电路用于产生局部电压为第二启动电路、第三启动电路、基准电流源电路和带隙基准核心电路供电，达到抑制电源纹波的效果；基准电流源电路用于产生基准电流，带隙基准核心电路产生基准电压本发明通过设置带隙基准核心电路的共源共栅电流镜、运放输出端的前馈通路、基准电流源电路增添第三条支路、基准源输出端串联RC低通滤波电路等技术有效改善了带隙基准电路的电源抑制比。
一种具有稳压结构电源抑制基准电路

[发明专利]一种低功耗的带隙基准电路-CN202111002490.5有效
发明人：何越峰;袁国顺 -专利权人：江苏集萃智能集成电路设计技术研究所有限公司
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域,公开了一种低功耗的带隙基准电路，包括带隙核心模块、电源输入端、启动模块和运算放大器模块，带隙核心模块被配置于产生正温度系数电压和负温度系数电压，电源输入端分别与带隙核心模块、启动模块和运算放大器模块电连接，启动模块被配置于向带隙核心模块的启动开关的控制端输入启动信号，带隙核心模块接收到启动信号后产生的正温度系数电压和负温度系数电压分别输入到所述运算放大器模块，在实际使用时当运算放大器模块的输出电压的幅值大于等于关断阈值时，启动模块停止向带隙核心模块的启动端输入启动信号，即启动模块停止工作，进而降低本发明在使用时的功耗。
一种功耗基准电路

[实用新型]一种基准电压源电路-CN201820848837.5有效
发明人：汤小虎 -专利权人：上海汉容微电子有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本申请公开了一种基准电压源电路，包括第一三极管、电流镜电路和带隙基准电路；其中，第一三极管的输入端与电源连接，第一三极管的输出端与带隙基准电路的第一输入端连接；带隙基准电路的输出端作为基准电压源电路的输出端；电流镜电路的第一电流输出端与第一三极管的控制端连接；电流镜电路的第二电流输出端与带隙基准电路的第二输入端连接；用于对带隙基准电路的工作电流进行补偿，降低带隙基准电路的输出电压的温度系数。本申请通过引入补偿电流可有效降低带隙基准电路的输出电压的温度系数，抑制温漂问题，进而提高输出电压的精确度和稳定性。
带隙基准电路三极管基准电压源电路电流镜电路输出电压输出端电流输出端输入端连接温度系数补偿电流电源连接工作电流控制端输入端温漂申请引入

[实用新型]渐变带隙纳米硅薄膜-CN201320180577.6有效
发明人：于化丛 -专利权人：于化丛
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本实用新型公开了渐变带隙纳米硅薄膜，为纳米硅薄膜材料；晶体硅的带隙为1.12eV，非晶硅为1.75eV；所述器件质量级的纳米硅薄膜晶化率范围为40%-70%；所述渐变带隙纳米硅薄膜的带隙为1.3eV～1.5eV本实用新型的渐变带隙纳米硅薄膜用于纳米硅电池的I层（也即光吸收层），充分吸收不同波段的太阳光能，还改善了光生空穴的传输，从而可以有效提高电池的光电转换效率；同时渐变光吸收层结构解决了纳米硅太阳电池开路电压较低的问题，而且渐变结构使其与P层及N层的带隙差别较小，较大程度的解决了P/I、I/N界面的带隙失配问题，避免了异质结的界面效应，降低光致衰退效应，降低成本。
渐变纳米薄膜

[实用新型]高电源电压抑制比带隙基准源及模拟/数模混合芯片-CN201220066332.6有效
发明人：徐敏;肖君宇;谢文刚;任民 -专利权人：成都国微电子有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高电源电压抑制比带隙基准源，包括电源切换模块、带隙基准源及低压差线性稳压源，其中：电源切换模块一输入端接入外部电源，输出端接带隙基准源输入端；带隙基准源输出端接低压差线性稳压源输入端；低压差线性稳压源输出端反馈接入电源切换模块另一输入端；并且，带隙基准源和低压差线性稳压源分别向电源切换模块提供使能信号，用以电源切换模块在逻辑判断后切换供电模式，给带隙基准源提供外部电源电压或低压差线性稳压源电压本实用新型还公开一种模拟/数模混合芯片，设有上述高电源电压抑制比带隙基准源。本实用新型通过供电开关作用，使基准电源的抑制比得到很大改善，可以满足低功耗、高电源电压抑制比设计需求。
电源电压抑制基准模拟数模混合芯片

[发明专利]确定时隙格式的方法、终端设备和网络设备-CN201710301535.6有效
发明人：夏金环;冯淑兰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H04W72/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种确定时隙格式的方法、终端设备和网络设备。该方法包括：确定多个子带中的参考子带对应的时隙格式；根据该参考子带对应的时隙格式，确定该多个子带中的目标子带对应的时隙格式，该目标子带中子载波间隔的类型与该参考子带中子载波间隔的类型不同。
确定格式方法终端设备网络设备

[发明专利]叠层太阳能电池的制备方法和叠层太阳能电池-CN202310240093.4在审
发明人：夏锐;朱俊;张学玲;陈奕峰;冯志强 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种叠层太阳能电池的制备方法和叠层太阳能电池，该制备方法，包括：提供透明基底，透明基底具有沿所述透明基底的厚度方向相对的第一侧和第二侧；在透明基底的第一侧形成第一带隙电池，第一带隙电池具有第一透明导电层；在透明基底的第二侧形成第二带隙电池，第二带隙电池具有第二透明导电层，第一带隙电池的带隙值大于第二带隙电池的带隙值；以及形成分别与第一透明导电层和第二透明导电层连接的第一电极和第二电极，或形成两端分别与第一透明导电层和第二透明导电层连接的连接电极
太阳能电池制备方法

[发明专利]采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块-CN201810337212.7有效
发明人：孙永澈;金光五;艾民.米塔 -专利权人：恒景科技股份有限公司
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明揭示一种采用带隙参考机制和相关驱动方法实现的模拟区块。该模拟区块包括一模式控制单元与一带隙参考电路。该模式控制单元构成产生有关该装置操作模式的一模式选择信号。该带隙参考电路包括一偏压产生器、一误差放大器、与一带隙回路电路。该偏压产生器构成当该装置以正常模式操作时，提供在一第一偏压状态下的一带隙参考电压，或当该装置以待命模式操作时，提供在一第二偏压状态下的一带隙参考电压。该误差放大器构成根据该偏压以产生一误差电压。该带隙回路电路构成根据该误差电压以提供一带隙参考电压。在该第一偏压状态下流过该偏压产生器的第一电流大于在该第二偏压状态下流过该偏压产生器的第二电流。
采用参考机制相关驱动方法实现模拟区块

[发明专利]半导体器件以及包括该半导体器件的发光器件封装-CN201880015967.3有效
发明人：罗锺浩;权五敏;宋俊午;吴正铎 -专利权人：苏州立琻半导体有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：根据实施例的半导体器件可以包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上并包括V形坑；有源层，设置在第二半导体层上；第三半导体层，位于有源层上，具有比有源层的带隙宽的带隙；第四半导体层，其带隙窄于第三半导体层上的第三半导体层的带隙；第四半导体层，位于第三半导体层上，其带隙比第三半导体层的带隙窄；其中，第三半导体层和第五半导体层包括铝组分，第五半导体层的带隙等于或宽于第三半导体层的带隙。
半导体器件以及包括发光器件封装

[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法-CN201210104646.5无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;王良均;熊伟平;宋明辉;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：制备艺如下：提供一p型Si衬底；在其上方扩散法形成第一子电池，具有一第一带隙；在第一子电池上方外延生长组分渐变的GaAsxP1-x渐变缓冲层，具有大于第一带隙的第二带隙；在渐变缓冲层上方形成GaAsP第二子电池，有大于第一带隙的第三带隙；在第二子电池的上方形成InGaP第三子电池，具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与第二子电池匹配。通过同时调节GaAsxP1-x第二子电池和InyGa1-yP第三子电池中As和P的组分x、y，可以实现两结电池在晶格匹配的情况下，带隙组合的多样性，此举大大拓宽了多结太阳能电池的选择空间。
太阳能电池及其制备方法