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[发明专利]一种采用层流等离子体束对热喷涂涂层热处理的方法-CN201410246894.2在审
发明人：朱华;王鹏飞;黄佳华 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C23C4/18 文献下载
摘要：一种采用层流等离子体对热喷涂涂层热处理的方法，属于等离子体应用领域。本发明采用层流等离子体发生器作为热源，改变层流等离子体发生器的参数、发生器出口与工件的距离以及层流等离子体束与工件的相对移动速度，对热喷涂涂层进行整体或局部热处理。
一种采用层流等离子体喷涂涂层热处理方法

[发明专利]等离子体射流速度的监测方法与设备-CN201910922191.X有效
发明人：曹进文;黄河激;孟显;潘文霞 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种等离子体射流速度的监测方法与设备，其方法包括:撷取层流等离子体的多个光图案，基于输出功率与等离子体的浓度正相关由所述光图案的发光边界确定等离子体射流的射流边界;基于所述等离子体射流由射流出口到射流末端的轴向射流边界，确定层流等离子体的射流长度;由所述层流等离子体的射流长度计算出等离子体的射流平均速度，在预定不同的弧电流射流速度保持不变下，建立层流等离子体的射流长度与弧电流的关系。本发明具有等离子体射流速度测量过程简化与降低系测量统设备建置成本的效果。
等离子体射流速度监测方法设备

[发明专利]一种层流等离子体的金属表面强化复合加工装置及方法-CN201810232456.9在审
发明人：曹修全;姚进;陈艳;余德平 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种层流等离子体的金属表面强化复合加工装置及方法，该装置包括层流等离子体喷涂系统（1）、控制装置（2）和精加工装置（3），所述控制装置（2）分别与层流等离子体喷涂系统（1）和精加工装置（3）电连接，所述层流等离子体喷涂系统（1）的层流等离子体发生器（101）与精加工装置（3）的刀具（301）平行设置，所述刀具（301）同步跟随层流等离子体发生器（101）沿待处理工件轴向运动，该方法包括步骤：工件装夹在工作台上；加工装置复位；层流等离子体发生器喷涂同时精加工装置工作；完成工件表面喷涂及涂层精加工；金属粉末和切削回收；停车，取下工件；本发明具有可控性好、稳定性高、涂层质量好且涂层表面精度高等优点。
层流等离子体精加工装置喷涂系统发生器复合加工装置金属表面强化控制装置刀具工件表面喷涂待处理工件工件装夹加工装置金属粉末平行设置涂层表面轴向运动电连接可控性切削精加工复位喷涂取下停车回收

[发明专利]一种层流等离子体雾化金属粉末生产设备及其生产方法-CN202110922903.5有效
发明人：严圣军;李要建;裴思鲁;孙钟华;钟雷;陈乐文;李申杰;吕浩;顾本华 -专利权人：江苏天楹等离子体科技有限公司;中国天楹股份有限公司;江苏天楹环保能源成套设备有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种层流等离子体雾化金属粉末生产设备，包含冷却收集塔和高温层流等离子体射流发生器，冷却收集塔上开有原材进料口，高温层流等离子体射流发生器设置在冷却收集塔内，原材进料口和高温层流等离子射流发生器沿着同一直线相对设置在冷却收集塔内本发明采用高温层流等离子体射流发生器生产层流式的等离子体射流与原材相对运动，旋转式的层流射流的射流距离远并且将原材包裹在射流内层，从而延长了与原材的接触距离和加热时间，提高了射流的能量利用率，无需增加额外的辅助热源
一种层流等离子体雾化金属粉末生产设备及其方法

[发明专利]基于层流等离子体束合成AlN粉体的制备方法与装置-CN202210510524.X在审
发明人：徐浩铭;曹修全;张洁梅;王林;邓志远 -专利权人：四川轻化工大学;宜宾四川轻化工大学产业技术研究院
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： B01J19/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层流等离子体束合成AlN粉体的制备方法与装置，属于等离子体材料制备领域。本发明所公开的基于层流等离子体束合成AlN粉体的制备方法为送粉系统通过管道将铝粉以指定速度送入层流等离子体束中；在等离子体高温环境下，Al粉与氮离子化合生成AlN粉体；AlN粉体经冷却系统急冷后进入收集部件，完成高品质AlN粉体得制备。对应的制备装置包括层流等离子体发生系统、送粉系统、AlN反应部件、冷却部件、排气部件、收集部件和监测系统，其中：前六部分顺序密封固连，监测系统与对应部件电连接。本发明提供的基于层流等离子体束合成AlN粉体的制备方法与装置，解决了等离子体合成法存在的含氧量高、纯度低等问题，有利于制备高品质AlN粉体。
基于层流等离子体合成 aln 制备方法装置

[发明专利]一种提高低气压等离子体喷涂沉积率的方法-CN201410275216.9在审
发明人：朱华;李向阳;王鹏飞;黄佳华 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：一种提高低气压等离子体喷涂沉积率的方法，是涉及低气压等离子喷涂的改进。本发明以层流等离子体作为喷涂热源，以电场作为辅助来提高等离子喷涂的沉积率。层流等离子体射流稳定且有效高温区长，能够增加粉体颗粒的熔化时间；层流等离子体束对电场有约束作用，使得层流等离子体束区域的电场强度增加，其中的熔滴颗粒更加容易荷电，并且约束熔滴颗粒的飞行状态，使熔滴颗粒在到达基底时获得优化的速度与角度
一种提高气压等离子体喷涂沉积方法

[发明专利]一种热等离子体弧焰发生器-CN201010191204.X无效
发明人：朱华;马再敏;袁洁 -专利权人：成都阳流科技发展有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H05H1/32 文献下载
摘要：本发明属于高频感应热等离子体技术领域，针对目前高频感应热等离子体发生装置存在的点火困难、工作稳定性差、维弧功率大、效率低等问题，本发明提供了一种热等离子体弧焰发生器。本发明包括层流电弧热等离子体产生器[1]和高频感应热等离子体发生器[2]，其特征在于沿高频感应热等离子体发生器[2]中心轴线[5]方向射入层流电弧热等离子体射流[3]，起高频感应热等离子体焰流[4]的电弧引导层流电弧热等离子体射流[3]具有射流长度长，流场参数波动小，几乎不卷吸环境气体，高温区长度长，温度等参数的轴向梯度小等优点。采用本发明的技术方案，可以解决高频感应热等离子体发生装置点火困难，容易断弧的问题，降低高频感应热等离子体发生装置的工作频率和减少维弧功率，并通过感应增强作用提高效率，便于开发更大功率高频感应热等离子体发生装置
一种等离子体发生器

[发明专利]利用层流状态的直流等离子体炬进行金属部件快速成形方法-CN201510021067.8在审
发明人：朱晓东;王建龙;杨宽 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用层流状态的直流等离子体炬进行金属部件快速成形方法，包括等离子体炬系统、进料系统和部件移动系统；等离子体炬系统包括电源、等离子体炬和炬移动装置、保护气体和保护气罩；进料系统为线材进料装置或环形送粉器；部件移动系统包括三维移动平台、控制器、伺服电机和电脑；等离子体炬为直流非转移弧放电的层流状态的等离子体炬。等离子体束准直、能量集中，具有温度高、温度梯度小、高温区长、噪音小等特点，能够大大提高成形的精度。
利用层流状态直流等离子体进行金属部件快速成形方法

[实用新型]制备纳米SiO2气凝胶的层流等离子体发生装置-CN201620997677.1有效
发明人：何泽;李露;李向阳;窦志勇 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了制备纳米SiO2气凝胶的层流等离子体发生装置。通过依次连接的气路结构、发生器和电弧通道结构，将层流等离子的产生和输送一步完成，中间不需要中断，减少能量的损失和危险系数。所述的气体输出管直径大小可以调节，调节范围在50‑300㎜，通过调节气体输出管的直径从而调节层流等离子射束的直径，提高层流等离子的适用范围。本实用新型的螺旋导电弹簧通电时，形成一个电磁压缩环，起到压缩等离子电弧的作用，也能使等离子电弧着弧点处于动态均布状态，延长了阳极的寿命和层流稳定。阳极喷嘴对电弧等离子体进行机械压缩。本实用新型实现了可生成射束直径大小可调节的层流等离子体的目的。
制备纳米 sio2 凝胶层流等离子体发生装置

[实用新型]一种等离子体刀头及等离子体发生装置-CN201822100988.5有效
发明人：杨欣灵;龚平涛 -专利权人：成都普璐生医疗科技有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H05H1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种等离子体刀头，包括第一绝缘层形成的腔体，所述腔体用于通入惰性气体并经电极电离形成等离子体后射出，所述第一绝缘层沿等离子体喷射方向包括至少一纺锤形的层流段，靠近第一绝缘层内周面的等离子体沿着第一绝缘层内周面流动，形成包覆在第一绝缘层轴线上高速等离子体射流的层流，本申请的等离子体刀头和等离子体发生装置射出的等离子体流的流体集中度高、稳定性高、惰性气体消耗量有效减少，使用较小的气体流速即可以满足手术需要的流体长度
绝缘层等离子体刀头流体腔体射出等离子体发生装置惰性气体消耗量等离子体喷射高速等离子体本实用新型等离子体流绝缘层形成内周面流动电极电离惰性气体气体流速手术成本有效减少层流层流段纺锤形集中度包覆内周射流申请

[发明专利]一种微波耦合等离子体激发光源-CN201810542204.6在审
发明人：宋大千;曹彦波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波耦合等离子体激发光源，通过外导体、微波天线、内导体、中管、内管、中心管、标样入口、内层炬气体入口、中层炬气体入口以及外层炬气体入口的设置分别产生内层等离子体、中层等离子体与外层等离子体；内、中、外三层等离子体共同形成三层复合的、由微波耦合产生的三重复合层流微波耦合等离子体，因此提高了激发能力；并且由于激发光源为等离子体，只要微波源的输出功率稳定，并且腔室流出的气流也处于层流稳定状态，就能够从根本上实现等离子体炬焰本身的稳定；在此基础上，本发明提供的微波耦合等离子体激发光源结构简单、使用方便，在保证激发光源激发能力和稳定性的情况下大大降低了成本。
等离子体微波耦合等离子体激发气体入口激发光源层流内层光源中层等离子体炬焰光源结构三层复合输出功率微波天线内导体外导体微波源中心管激发标样内管腔室三层流出复合保证

[发明专利]一种用于孔道内壁处理的层流等离子体枪体-CN201410597120.4无效
发明人：余德平;苗建国;刘金光;姚进;曹修全;岳景辉 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：一种用于孔道内壁处理的层流等离子体枪体，其特征在于枪体由阳极部分、阴极部分和中间级部分组成，其中阳极喷嘴和阳极外壳采用螺纹连接构成阳极部分；中间绝缘壳、陶瓷隔离环和气体分配环组成中间级部分；阴极头、阴极头座、引水端盖和阴极外壳共同组成阴极部分；三大部分紧固后构成等离子体枪体。本发明的层流等离子体枪体结构简单，具有很好的结构互换性和参数可变性；枪体能够产生稳定的层流等离子体射流；阳极和阴极使用寿命长；其整体尺寸可以很小，特别适用于尺寸较小管道内壁的等离子体表面热处理。
一种用于孔道内壁处理层流等离子体

[实用新型]一种制备纳米SiO2气凝胶的装置-CN201621088851.7有效
发明人：窦志勇;李露;何泽;李向阳 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C01B33/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备纳米SiO2气凝胶的装置，包括层流等离子体发生器、冷凝装置和静电吸附装置。层流等离子体发生器包括电弧通道，电弧通道连接反应室，反应室上连接微量给粉器；所述反应室通过分配管连接静电吸附装置；静电吸附装置包括静电发生器和基板；所述反应室内部横向设置有滑动机构，基板放置在滑动机构上等离子体发生器设置有功率调节器，来调节发生器的功率，从而调节层流等离子射束的长短。微量给粉器将纳米SiO2粒子处理后送入反应室内，在反应室内通过层流等离子体发生器产生的层流等离子体射束对纳米SiO2粒子蒸发、汽化，再通过冷凝装置进行冷凝，冷凝后的纳米SiO2粒子通过分配管送入静电吸附装置成型
一种制备纳米 sio2 凝胶装置

[实用新型]一种微波耦合等离子体激发光源-CN201820824376.8有效
发明人：宋大千;曹彦波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波耦合等离子体激发光源，通过外导体、微波天线、内导体、中管、内管、中心管、标样入口、内层炬气体入口、中层炬气体入口以及外层炬气体入口的设置分别产生内层等离子体、中层等离子体与外层等离子体；内、中、外三层等离子体共同形成三层复合的、由微波耦合产生的三重复合层流微波耦合等离子体，因此提高了激发能力；并且由于激发光源为等离子体，只要微波源的输出功率稳定，并且腔室流出的气流也处于层流稳定状态，就能够从根本上实现等离子体炬焰本身的稳定；在此基础上，本实用新型提供的微波耦合等离子体激发光源结构简单、使用方便，在保证激发光源激发能力和稳定性的情况下大大降低了成本。
等离子体微波耦合等离子体激发气体入口本实用新型激发光源层流内层光源中层等离子体炬焰光源结构三层复合输出功率微波天线内导体外导体微波源中心管激发标样内管腔室三层流出复合保证

[发明专利]单晶金刚石的层流等离子体的制备方法-CN201110164532.5无效
发明人：陈广超 -专利权人：中国科学院研究生院
申请日： 2011-06-19 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：一种单晶金刚石的层流等离子体的制备方法，属于单晶金刚石制备技术领域。通过调控等离子体的流体特性，构建出稳定的层流等离子体边界层，使单晶金刚石能够在大尺寸衬底上进行稳定生长。从而避免当前直流等离子体沉积单晶金刚石的多晶化和小尺寸衬底的问题。优点在于提供了一条适合采用大尺寸籽晶、稳定制备单晶金刚石的途径，使单晶金刚石稳定生长区尺寸在等离子体运动轴线方向达到7厘米，并有效抑制了单晶生长表面的多晶化。
金刚石层流等离子体制备方法

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