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[发明专利]一种考虑饱和效应的定子永磁直线振荡电机设计方法及系统-CN202210439519.4在审
发明人：李想;张冬冬;武新章;郭平辉 -专利权人：广西大学;国图硬智能科技（南京）有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H02K41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种考虑饱和效应的定子永磁直线振荡电机设计方法及系统，确定定子永磁直线振荡电机设计指标和参数限制范围，根据效率和铜损耗限制计算特定尺寸参数下电机额定电流有效值，并结合空载和负载非线性等效磁路模型，计算电机易饱和侧定子与动子铁芯对齐部分的饱和系数和电磁推力；通过具体应用对应的设计指标判断铁芯饱和程度和电磁推力等性能参数是否满足要求，如果不满足则更新尺寸参数，重新计算饱和系数和输出推力直至满足设计要求本发明可克服传统子域分析法无法处理饱和问题而三维有限元法计算效率低的问题，定量描述定子的不对称铁芯饱和效应与设计尺寸参数之间的关系，完成定子永磁直线振荡电机的尺寸设计和输出特性评估。
一种考虑饱和效应定子永磁直线振荡电机设计方法系统

[发明专利]一种用于木质文物的原子转移自由基聚合加固方法-CN202211027372.4有效
发明人：周逸航;王恺;胡东波 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B27K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于木质文物的原子转移自由基聚合加固方法，该方法通过使用双官能度单体引入交联过程，有效限制表面引发的ATRP聚合(加固木质文物)过程中的膨胀效应，从而可控地限制聚合程度并提高木质文物的尺寸稳定性
一种用于木质文物原子转移自由基聚合加固方法

[发明专利]硫化镉量子线的制备方法-CN200710044108.0无效
发明人：侯士丽;茅惠兵;王基庆;朱自强;俞建国 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2007-07-23 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C30B29/50 文献下载
摘要：以含有微孔阵列的氧化铝作模板，微孔的直径和孔深分别为8～20nm和2～3μm，用直流电沉积技术在微孔阵列内制得尺寸可调的硫化镉量子线。该制备方法可有效地控制硫化镉量子线的尺寸，使其具有量子限制效应，而且还可由量子限制效应调节禁带宽度，使硫化镉的吸收系数比体材料更大；该制备方法有序地分布在含微孔阵列的氧化铝模板中，量子线之间互相分离，并能被精确定位
硫化量子制备方法

[发明专利]用于地面效应升限限制显示的系统和方法-CN201611168121.2有效
发明人： S.普尔;P.B.V.雷迪;S.维拉巴赖亚;S.萨慕蒂拉潘迪安;S.巴拉萨 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G05D1/10 文献下载
摘要：公开了用于地面效应升限限制显示的系统和方法。提供了用于在显示器上显示与移动平台的操作关联的地面效应升限限制值的系统和方法。所述方法包括接收针对地面效应升限限制值的显示的偏好以及确定移动平台的总重量。所述方法还包括基于总重量和空气温度利用处理器确定地面效应内限制值和地面效应外限制值。所述方法包括在显示器上显示所确定的地面效应内限制值和所确定的地面效应外限制值。
用于地面效应升限限制显示系统方法

[发明专利]一种类岩石试样制作模具及其使用方法-CN202011240660.9在审
发明人：叶义成;周栋;胡南燕;王为琪;谭文侃;崔旭阳;黄建彬;李雪雪 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01N1/36 文献下载
摘要：本发明具有结构简单、操作方便、密封性好、能控制双裂隙不同尺寸和方位的特点，能有效解决岩石原样受切割技术的限制较难预制多裂隙的问题，用于类比研究含裂隙实体岩石材料的破裂机理、裂纹尺寸效应以及裂纹方位效应的测定
种类岩石试样制作模具及其使用方法

[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管-CN201710820457.0有效
发明人：郑锦坚;周启伦;钟志白;臧雅姝;徐宸科;李志明;杜伟华;邓和清;林峰;李水清;陈松岩;康俊勇 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱和P型氮化物半导体，所述多量子阱由阱层和垒层组成的周期结构，多量子阱的阱层两侧具有局域量子态量子限制层，该局域量子态量子限制层至少由每一周期量子阱的子阱层两侧的局域量子态量子限制层形成局域量子态，从而提升量子阱的电子和空穴的注入效率、限制效应、量子尺寸效应和复合效率，提升发光效率和量子效率。
量子态多量子阱量子限制垒层氮化物半导体发光二极管量子阱子局阱层量子尺寸效应空穴发光效率复合效率量子效率周期结构注入效率子阱

[发明专利]利用改进综合法计算OPGW光缆短路电流热效应的方法-CN200910236070.6有效
发明人：陈希;李杰;丁慧霞;林卫铭;金迦勒;胡雨旺 -专利权人：中国电力科学研究院;广东电网公司电力通信中心
申请日： 2009-10-19 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01B11/22 文献下载
摘要：本发明利用改进综合法计算OPGW光缆短路电流热效应为：给定线路结构和几何尺寸关系，给定电流强度值或有效值，给定(或选定)光缆的结构和相关尺寸，给定短路电流持续时间，将时间和光缆尺寸分别进行分段处理，利用初始条件，开始求解下一时段的参量，根据趋肤效应求解电流在各介质上的分布，根据电流热效应原理，由该时段该区域的电流求解热量，进而求解该区域温度，由该温度求解热交换，并求该区域电阻，并进而再求电流分布，由电流分布再求热量和温度，如此反复，直到完成给定时间的计算；本发明可以用于两方面的计算：一是给定短路电流过程求光缆的最高温度和温度随时间和空间的分布；另一是给定限制温度，求给定光缆的最大允许短路电流，同样也能给出温度分布。
利用改进综合法计算 opgw 光缆短路电流热效应方法

[发明专利]一种基于原子层沉积制备二硫化钼场效应管的方法-CN201810064699.6在审
发明人：刘磊;黄亚洲;吕俊;杨俊杰;陈云飞;倪中华 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原子层沉积制备二硫化钼场效应管的方法，包括如下步骤：将基底样品放入反应腔；利用载气将钼源送入反应腔，使钼源与基底样品表面发生自限制化学吸附；利用载气将硫化氢送入反应腔，使硫化氢与钼源发生自限制化学反应，在基底样品上生成二硫化钼薄膜；将所生成的二硫化钼薄膜按所需的场效应管沟道尺寸，刻蚀成条状二硫化钼；在条状二硫化钼上沉积金属源和漏极；采用本发明的方法制备的二硫化钼薄膜覆盖面积大，质量均匀，在制备场效应管的过程中不需要精确定位
制备二硫化钼二硫化钼薄膜场效应管反应腔钼源硫化氢原子层沉积基底样品载气送入场效应管沟道基底样品表面化学反应沉积金属化学吸附质量均匀放入刻蚀漏极覆盖

[发明专利]一种新型围栅VFET理想开关结构-CN202310636823.2在审
发明人：廖永波;徐丰和;李平;袁丕根;刘金铭 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明所要解决的关键技术问题是：在新结构中引入一种新的机制抑制DIBL效应，减小由短沟道效应引起的阈值电压漂移带来的影响，显著降低导通电阻，增加器件导通电流密度，消除寄生BJT效应。本专利优化了其工艺实现流程，器件沟道长度不再受到光刻精度的限制，沟道长度能够小于12nm，大幅缩小了器件的特征尺寸，降低了单个器件占用面积，提高了集成度，突破了当前摩尔定律的限制。
一种新型 vfet 理想开关结构

[发明专利]光斑取像装置与方法-CN200510127768.6无效
发明人：黄宜裕;陈铭;王茂燃;黄文政;马心一 -专利权人：中山科学研究院第五研究所
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G06F3/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种光斑取像装置与方法，由光源发射一高相干性光，且高相干性光照射表面时，进而产生散射光，此散射光通过限光件，因限光件的孔径效应使散射光发生衍射效应而产生衍射光，此衍射光彼此干涉而产生光斑，并且因为限光件的阻挡作用，限制了散射光进入传感器的入射视角进而降低光斑移动时的变形量，最后传感器撷取此光斑而成为光斑图，连续对比此光斑图，可辨识光斑的移动方向及大小。所以本发明利用了衍射、干涉效应及限制了散射光入射视角，使光斑的尺寸可变大，并且可降低光斑的变形量，使光斑的图像清晰，容易辨别。可见，本发明的光斑取像装置与方法，稳定并且灵敏。
光斑装置方法

[发明专利]一种缓冲组件的制造方法、装置、存储介质及电子设备-CN202310407367.4有效
发明人：张宇;谢安桓;朱世强;顾建军;聂大明;孔令雨 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本说明书公开了一种缓冲组件的制造方法、装置、存储介质及电子设备，缓冲组件包括由若干胞元构成的点阵，初始化用于制造所述点阵的材料和胞元尺寸，将预设载荷、所述材料、所述胞元尺寸输入预先训练的胞元取向确定模型，确定所述缓冲组件所需采用的胞元取向，判断在该条件下制成的缓冲组件，受到预设载荷产生的等效应力场是否均匀，若是，则利用所述材料制造所述胞元尺寸及所述胞元取向的所述缓冲组件，若否，则调整所述胞元取向，直至所述等效应力场均匀本方法利用预设载荷作为限制条件，确定构成缓冲组件所需要的材料、胞元取向及胞元尺寸，以利用该缓冲组件降低仿人机器人的脆弱零件被损坏的可能性。
一种缓冲组件制造方法装置存储介质电子设备

[发明专利]在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路-CN201110282710.4无效
发明人： A·K·卡泊 -专利权人：苏伏特股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明描述了一种在硅中使用结型场效应晶体管构造互补逻辑电路的方法。本发明理想地适用于深亚微米尺寸，尤其适于65nm以下。本发明的基础是在增强模式下工作的互补结型场效应晶体管。JFET的速度-功率性能在亚70纳米尺寸下变得能够与CMOS器件相比。然而，JFET的最大电源电压仍然限制在内建电势(二极管压降)以下。
合金使用互补场效应晶体管 mos 集成电路

[发明专利]在硅和硅合金中使用互补结型场效应晶体管和MOS晶体管的集成电路-CN200680039832.8有效
发明人： A·K·卡泊 -专利权人： DSM解决方案股份有限公司
申请日： 2006-10-30 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明描述了一种在硅中使用结型场效应晶体管构造互补逻辑电路的方法。本发明理想地适用于深亚微米尺寸，尤其适于65nm以下。本发明的基础是在增强模式下工作的互补结型场效应晶体管。JFET的速度－功率性能在亚70纳米尺寸下变得能够与CMOS器件相比。然而，JFET的最大电源电压仍然限制在内建电势(二极管压降)以下。
合金使用互补场效应晶体管 mos 集成电路

[发明专利]金属互连线的自限制效应阈值的确定方法及其确定装置-CN202110296965.X有效
发明人：王志强 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本申请提供了一种金属互连线的自限制效应阈值的确定方法及其确定装置，自限制效应阈值为金属互连线的电迁移临界值，该方法包括：获取多个不同的第一参数值和多个不同的第二参数值，第一参数值为金属互连线的长度与金属互连线的电迁移寿命的比值，第二参数值为金属互连线的电流密度与长度的乘积；根据多个第一参数值和多个第二参数值，构建第一参数值和第二参数值的函数关系；根据函数关系，确定预定材料的自限制效应阈值，自限制效应阈值为第一参数值为0时对应的第二参数值，金属互连线由预定材料构成，在金属互连线的第二参数值小于自限制效应阈值的情况下，金属互连线不发生电迁移。根据自限制效应阈值，可以缓解金属互连线的电迁移效应。
金属互连限制效应阈值确定方法及其装置

[发明专利]一种适用于托卡马克装置的极向布置的平板限制器结构-CN202210847267.9在审
发明人：钱新元;卯鑫;彭学兵;陆坤;宋伟;刘鹏 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G21B1/11 文献下载
摘要：本发明提出一种适用于托卡马克装置的极向布置的平板限制器结构，由多个内部流道相同但外形几何尺寸相异的平板结构，通过多个同轴管及数个管道极向排列串联而成。这种限制器布置形式，可有效降低平板之间因装配误差造成的局部热负荷过大效应，减少高能粒子轰击冷却管道的可能性，提高限制器表面承受热负荷能力，具有简单、可靠、稳定等优点。
一种适用于马克装置布置平板限制器结构

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