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[发明专利]存储器写入装置以及方法-CN201510391984.5有效
发明人：林立伟;蔡宗寰;林家鸿;曾逸贤;郑如杰 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2019-01-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器写入装置，包括：电压产生器、电阻式随机存取存储器、电流检测器以及控制器。电压产生器用以产生写入电压。电阻式随机存取存储器接收写入电压而产生写入电流。电流检测器用以检测写入电流。控制器执行写入程序，其中写入程序包括利用电压产生器逐步增加写入电压，并利用电流检测器检测写入电流；找出写入电流的最大值并设为参考电流；利用电压产生器继续增加写入电压，并判断电流检测器检测的写入电流是否不小于参考电流；当写入电流不小于参考电流时，控制器利用电压产生器停止输出写入电压。
写入电流电压产生器写入电压电流检测器控制器电阻式随机存取存储器存储器写入装置参考电流写入程序检测参考电流时逐步增加输出

[发明专利]快速数据写入的电流型像素单元电路、方法、组合及阵列-CN202010638852.9有效
发明人：赵博华;黄苒 -专利权人：天津中科新显科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种快速数据写入的电流型像素单元电路、方法、组合及阵列，快速数据写入的电流型像素单元电路，包括：一像素驱动电路以及连接于所述像素驱动电路的写入电流调整电路，所述写入电流调整电路用于对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。本发明设置有一写入电流调整电路，通过该写入电流调整电路对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。
快速数据写入电流像素单元电路方法组合阵列

[发明专利]调节磁存储单元的写入电流-CN200410100129.6有效
发明人： F·A·佩纳 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2004-12-01 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： G11C7/00 文献下载
摘要：本发明包括调节磁存储单元写入电流的装置和方法。所述方法包括：通过对磁存储单元写入电流的写入电流偏差求和来修正磁存储单元的写入电流；以及确定利用修改后的磁存储单元写入电流写入磁存储单元的操作是否导致写入误差条件。如果出现写入误差条件，那么所述方法包括将磁存储单元写入电流增量或者将磁存储单元写入电流减量，直至消除所述写入误差条件为止。
调节存储单元写入电流

[实用新型]快速数据写入的电流型像素单元电路、组合及阵列-CN202021296264.3有效
发明人：赵博华;黄苒 -专利权人：天津中科新显科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种快速数据写入的电流型像素单元电路、组合及阵列，快速数据写入的电流型像素单元电路，包括：一像素驱动电路以及连接于所述像素驱动电路的写入电流调整电路，所述写入电流调整电路用于对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。本实用新型设置有一写入电流调整电路，通过该写入电流调整电路对像素驱动电路的写入电流进行调整，从而提高其数据写入速度。
快速数据写入电流像素单元电路组合阵列

[发明专利]磁盘驱动器以及磁盘驱动中的控制方法-CN200610144633.5无效
发明人：冈田知久 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G11B5/012 文献下载
摘要：本发明提供磁盘驱动器以及在该磁盘驱动器中的控制方法，该磁盘驱动器通过根据记录方法和记录频率放大写入电流就能够获得良好的记录性能。一种HDD，包括写入电流供应部分和写磁头(112a)。写入电流供应部分基于写入电流产生用于记录到磁盘的写入信号以及产生写入电流I_W。写磁头(112a)通过写入电流I_W将数据记录到磁盘。写入电流供应部分包括：写入信道(121)，产生写入信号V1；写入驱动器A(202)，用于产生来自于写入信号V1的写入电流I_A；高频模式提取电路(201)，从写入信号中提取高频模式部分；以及写入驱动器B(203)，产生来自于所提取的高频模式部分的写入电流I_B。将写入电流I_A和IB加在一起，作为只有当频率处于高频时才放大其幅度的写入电流I_W提供给写磁头(112a)。
磁盘驱动器以及磁盘驱动中的控制方法

[发明专利]电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法及其电路-CN201810035565.1有效
发明人：黄志仁 -专利权人：珠海兴芯存储科技有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种电阻性内存单元的准定压降自我中止写入方法。该方法包含下列步骤：建立写入电压及流过电阻性内存单元的写入电流；复制该写入电流，以产生复制写入电流；使该复制写入电流流过仿真电路，以产生仿真写入电压；将仿真写入电压以一随写入时间依比例微幅增加与参考电压相加，以产生写入参考电压；及根据写入参考电压来调整写入电压及写入电流，致使电阻性内存单元的两端跨压在写入期间保持固定或微幅增加。当该复制写入电流到达预定的目标电流值时，发出中止信号；及该中止信号将相关写入电路关闭，以使该电阻性内存单元的写入期间优化。
电阻内存单元准定自我中止写入方法及其电路

[发明专利]一种提高数据写入速度的电流型像素单元电路及方法-CN202010638853.3有效
发明人：赵博华;黄苒 -专利权人：天津中科新显科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种提高数据写入速度的电流型像素单元电路及方法，该电路包括：一像素驱动电路，用于对发光器件进行驱动；一写入电流调整电路，连接于所述像素驱动电路，对像素驱动电路的写入电流进行调整；以及一调整控制电路；连接于写入电流调整电路，对写入电流调整电路的开启以及关闭进行控制。本发明在像素驱动电路上增加一写入电流调整电路，通过该写入电流调整电路对像素驱动电路的写入电流进行调整，调高写入速度；同时设置有一调整控制电路，对写入电流调整电路的开启以及关闭进行控制，使得本发明的电路在提高像素驱动电路的写入电流的同时，不影响其驱动电流。
一种提高数据写入速度电流像素单元电路方法

[发明专利]可变电阻式存储器、及其操作方法与操作系统-CN201510540530.X有效
发明人：吴昭谊;王典彦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：分别操作一写入电压及一写入电流为一第一预定电压值及一第一预定电流值。施加写入电压及写入电流至可变电阻式存储器的一存储单元。若存储单元的一读取电流未落入一预定电流范围，则验证写入电流是否达到一第二预定电流值。若写入电流未达到第二预定电流值，则增加写入电流。若写入电流达到第二预定电流值，则验证写入电压是否达到一第二预定电压值。若写入电压未达到第二预定电压值，则增加写入电压。
可变电阻存储器及其操作方法操作系统

[发明专利]半导体器件-CN201910823753.5在审
发明人：森保孝宪;吉原和雄;神田明彦;浅井良彦;小川大也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的一个目的是增加对闪存存储器的写入速度同时抑制噪声的增加。在高速写入模式中，存储器控制器关于第二数量的存储器单元利用第二写入电流同时执行第一写入操作，该第二写入电流具有比第一写入电流小的电流值，第二数量比第一写入电流的存储器单元的数量大。在第一写入操作完成时，存储器控制器关于由感测放大器在确定过程中确定为未完成写入操作的存储器单元、通过第三写入电流同时执行第二写入操作，该第三写入电流具有比第二写入电流大的电流值。
半导体器件

[实用新型]一种提高数据写入速度的电流型像素单元电路-CN202021304487.X有效
发明人：赵博华;黄苒 -专利权人：天津中科新显科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高数据写入速度的电流型像素单元电路，该电路包括：一像素驱动电路，用于对发光器件进行驱动；一写入电流调整电路，连接于所述像素驱动电路，对像素驱动电路的写入电流进行调整；以及一调整控制电路；连接于写入电流调整电路，对写入电流调整电路的开启以及关闭进行控制。本实用新型在像素驱动电路上增加一写入电流调整电路，通过该写入电流调整电路对像素驱动电路的写入电流进行调整，调高写入速度；同时设置有一调整控制电路，对写入电流调整电路的开启以及关闭进行控制，使得本实用新型的电路在提高像素驱动电路的写入电流的同时，不影响其驱动电流。
一种提高数据写入速度电流像素单元电路

[发明专利]写入驱动器电路、使用其的半导体装置以及存储系统-CN201310069109.6无效
发明人：林相局;严浩锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种写入驱动器电路、使用所述写入驱动器电路的半导体装置、以及存储系统，所述写入驱动器电路包括写入控制单元和写入驱动器。所述写入控制单元被配置成根据要储存的数据来产生写入控制电流。所述写入驱动器被配置成响应于写入控制电流和地址信号而产生用于将数据写入存储器单元中的写入电流，其中，所述写入驱动器根据写入控制电流和地址信号来改变写入电流的幅值。
写入驱动器电路使用半导体装置以及存储系统

[发明专利]电流阈值检测器-CN200510006711.0无效
发明人： F·A·佩尔纳;M·K·巴塔查里亚 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2005-01-28 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：一种磁存储单元写入电流阈值检测器[510]。磁存储单元写入电流阈值检测器[510]包括接收写入电流并检测何时写入电流超出第一阈值的第一MRAM测试单元[512]和接收写入电流并检测何时写入电流超出第二阈值的第二MRAM测试单元[514]。
电流阈值检测器

[发明专利]多比特阻变式随机存储器写入电路、方法及存储器装置-CN202210766589.0在审
发明人：林龙扬;孔镇;李瑚淼;李毅达;周菲迟 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多比特阻变式随机存储器写入电路、方法及存储器装置，多比特阻变式随机存储器写入电路与存储器单元连接，其包括：第一电压钳位模块、第二电压钳位模块、写入电流采样模块、电流比较模块与关断控制模块；第一电压钳位模块与第二电压钳位模块用于控制存储器单元两端的电压不随写入电流的变化而变化；写入电流采样模块用于采样流过存储器单元的写入电流大小并输出采样电流至电流比较模块；电流比较模块用于提供预设电流并在采样电流接近或达到预设电流时生成写入关断控制信号，以控制写入电流的大小；关断控制模块用于根据写入关断控制信号中断写入过程。本发明实现了多比特RRAM存储器阵列的恒压低功耗写入。
比特阻变式随机存储器写入电路方法装置

[发明专利]有源矩阵型显示设备,有源矩阵型有机电致发光显示设备,及其驱动方法-CN02120655.4无效
发明人：汤本昭 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2002-05-24 - 公布日： 2003-01-01 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明的有源矩阵型显示设备包括像素电路和电流型像素驱动电路,每个像素电路有根据流过其中的电流改变其亮度的电光器件,并基于经数据线提供的亮度数据,驱动所述电光器件;电流型像素驱动电路给每个所述像素电路提供写入电流,写入电流的电流值幅度在写入所述亮度数据的循环内随时间增大。在本发明的矩阵型显示设备中,写入电流的电流值幅度在写入循环内随时间增大,从而使写入电流在写入循环的开始阶段限制在低电平(或零电平)上。因此,减小了写入电流的平均值。
有源矩阵显示设备有机电致发光及其驱动方法

[发明专利]显示设备，有机电致发光显示设备，及其驱动方法-CN200610051366.7无效
发明人：汤本昭 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2002-05-24 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明的有源矩阵型显示设备包括：像素电路和电流型像素驱动电路，每个像素电路有根据流过其中的电流改变其亮度的电光器件，并基于经数据线提供的亮度数据，驱动所述电光器件；电流型像素驱动电路给每个所述像素电路提供写入电流，写入电流的电流值幅度在写入所述亮度数据的循环内随时间增大。在本发明的矩阵型显示设备中，写入电流的电流值幅度在写入循环内随时间增大，从而使写入电流在写入循环的开始阶段限制在低电平(或零电平)上。因此，减小了写入电流的平均值。
显示设备有机电致发光及其驱动方法

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