“多层介质薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1563081个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法-CN202210840993.8在审
发明人：张众;何佳莲;伊圣振;王占山;黄秋实 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G21K1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件及其制作方法，一种用于中子自旋翻转器的多层中子薄膜自旋翻转元件包括双面抛光的超光滑硅片基底、多层铁硅合金薄膜层和多层铬薄膜层，多层铁硅合金薄膜层与多层铬薄膜层依次交替沉积于超光滑硅片基底表面，多层中子薄膜自旋翻转元件的顶层为铬薄膜层；多层中子薄膜自旋翻转元件的制备方法中，铁硅合金薄膜层及铬薄膜层的制备工艺都为磁控溅射，本发明主要以铁硅合金薄膜层为主，采用铬薄膜层作为插层的方法提升薄膜的饱和磁感应强度，使薄膜的饱和磁感应强度超过了1T，铬薄膜层可以有效调控铁硅合金薄膜层的微观结构，促进合理晶面的生长，抑制不需要晶面的生长。
一种用于中子自旋翻转多层薄膜元件及其制作方法

[发明专利]大屏幕投影用电选址反射型液晶光阀-CN96121295.0无效
发明人：杜丕一;韩高荣;寿瑾珲 -专利权人：浙江大学
申请日： 1996-12-19 - 公布日： 1997-09-03 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种大屏幕投影用电选址反射型液晶光阀，它依次包括光学玻璃，透明导电膜，定向层，液晶层，定向层，介质反射镜，阻光层，控制基板。介质反射镜为SiO2/TiO2多层高反射膜或ZnS/MgF2多层高反射膜，阻光层是一种以非晶硅或SiCx或SiNx为基质材料以对光敏感的硅或锗作为纳米晶粒材料复合制成的薄膜或是以CdTe制成的薄膜。
大屏幕投影用电选址反射液晶

[发明专利]一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜及其制备方法-CN201811353049.X有效
发明人：高俊华;曹鸿涛;臧睿;胡海搏;王晓龙;高文杰 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： G02B5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜，自衬底向外依次包括金属层、电介质层和金属纳米线阵列‑陶瓷复合层；所述金属纳米线阵列‑陶瓷复合层中，金属纳米线直立分布于陶瓷相中，金属纳米线的直径不小于2nm该多层金属陶瓷薄膜在可见光波段范围内的吸收特性易于调控，所获得的颜色色域范围大、亮度和饱和度较好。还公开了一种具有结构色彩的多层金属陶瓷薄膜的制备方法，该制备方法简单，成本低，适合大面积制备。
一种具有结构色彩多层金属陶瓷薄膜及其制备方法

[发明专利]多层封装薄膜-CN201610807905.9在审
发明人：赵成珉;郑昊均;蔡熙烨;徐祥准;徐昇旴 -专利权人：成均馆大学校产学协力团;三星显示有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明提供一种多层封装薄膜和用于制备多层封装薄膜的方法和装置。所述多层封装薄膜包含含有金属氧化物的无机薄膜和含有聚合物的在所述有机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。
多层封装薄膜

[发明专利]多层封装薄膜-CN201410168188.0有效
发明人：赵成珉;郑昊均;蔡熙烨;徐祥准;徐昇旴 -专利权人：成均馆大学校产学协力团
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种多层封装薄膜和用于制备多层封装薄膜的方法和装置。所述多层封装薄膜包含含有金属氧化物的无机薄膜和含有聚合物的在所述有机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。
多层封装薄膜

[发明专利]一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法-CN201510808436.8在审
发明人：吴胜利;魏强;张劲涛;胡文波 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2015-11-19 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01J29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层表面传导电子发射源结构及其制备方法，包括基板，基板上设有下电极，电子发射薄膜沉积于下电极上，且下电极与电子发射薄膜之间自下到上依次设有绝缘介质层及上电极，其中，上电极的长度小于绝缘介质层的长度，电子发射薄膜上开设有两个纳米裂缝，两个纳米裂缝位于上电极的两侧，两个纳米裂缝位于绝缘介质层上，上电极及下电极分别与电源的正极及负极相连接。
一种多层表面传导电子发射结构及其制备方法

[发明专利]一种高密度低成本磁记录介质FeNi合金及其制备方法-CN201510727343.2有效
发明人：王东玲;杜兆富 -专利权人：钢铁研究总院
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明属于信息存储技术领域，涉及一种高密度低成本磁记录介质合金L10‑FeNi及其制备方法。本发明的高密度低成本磁记录介质FeNi合金，为多层薄膜结构，其特征在于：FeNi薄膜是以(001)MgO为基板，Fe为种子层，Au为缓冲层，通过分子束外延方式生长制备而成的具有(001)取向的薄膜；该FeNi合金具有L10有序结构，满足超高密度磁记录介质的应用。本发明磁晶各向异性参数Ku可达2.3×107erg/cc，在获得高磁晶各向异性能参数情况下，降低材料成本，增大合金薄膜的饱和磁化强度。
一种高密度低成本记录介质 feni 合金及其制备方法

[发明专利]CMOS器件叠层栅形成方法及其结构-CN200910237800.4无效
发明人：陈世杰;王文武;王晓磊;韩锴 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提出了一种金属氧化物半导体MOS器件的栅介质结构，包括：在半导体衬底表面上形成的界面层薄膜；和在所述界面层薄膜表面之上形成的至少两层绝缘薄膜，其中，所述至少两层绝缘薄膜中的每一个都具有与其他相邻绝缘薄膜不同的元素组分和/或不同的浓度，且所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜经过优化的退火工艺，所述优化的退火工艺与所述界面层薄膜和所述至少两层绝缘薄膜的元素组分和/或浓度相关，以达到希望的所述元素和/或浓度的分布。本发明通过按照一定顺序淀积多层不同材料组分或不同浓度的薄膜来形成MOS器件的叠层栅介质结构，然后通过优化的退火工艺以促使该叠层栅介质结构中的各种元素组分和浓度达到理想的分布状态。
cmos 器件叠层栅形成方法及其结构

[发明专利]一种薄膜电容器用多层基板-CN201610946452.8有效
发明人：胡忠胜;华玲萍;吴良军 -专利权人：广东丰明电子科技有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电容器技术领域，具体涉及一种薄膜电容器用多层基板，所述多层基板为三层结构，该三层结构由下到上依次为铜铬合金基板、含有杂质的镍基板和单晶硅基板。本发明相比现有技术具有以下优点：使薄膜电容器能够更好的与印刷电路板相结合，简化操作过程，在相对环境中具有性能稳定的特征，利用单晶硅基板提高电极的比表面积，增加电介质与电极的接触面积，提高其薄膜电容器的电容量，其电容量为相同尺寸普通电极薄膜电容量的1.6倍以上。
薄膜电容器电容量单晶硅基板多层基板三层结构电极电介质简化操作过程印刷电路板电极薄膜铜铬合金镍基板多层基板

[发明专利]薄膜型红外线吸收式光学滤光片及其制造方法-CN201610944001.0在审
发明人：彭新淼;陈学广 -专利权人：白金科技股份有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜型红外线吸收式光学滤光片及其制造方法，该制备方法包括提供预裁切尺寸的一第一载具；形成一第一基板于该第一载具上；形成一介质层于该第一基板上；形成一红外线吸收染料层于该介质层上；形成第一多层光学薄膜于该红外线吸收染料层上；形成一离形层于该第一多层光学薄膜上；移除该第一载具，使该第一基板暴露；形成第二多层光学薄膜于该第一基板的另一面上；最后移除该离形层。
薄膜红外线吸收光学滤光及其制造方法

[发明专利]半导体装置、及其制作方法和薄板相互连线部件-CN200310120768.4有效
发明人：臼井良辅;水原秀树;五十岚优助;儿岛则章;坂本则明 -专利权人：三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司
申请日： 2003-12-03 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：刚好在电路器件410a和410b的下面配置了多层互连线结构。组成一部分多层互连线结构的夹层绝缘薄膜405由具有范围在1.0到3.7之内的相对电介质常数，和范围在从0.0001到0.02之内的介质损耗正切的一种材料形成。
半导体装置及其制作方法薄板相互连线部件

[发明专利]可后成形的多层光学薄膜及其成形方法-CN99811488.X有效
发明人： W·W·梅里尔;J·M·荣扎;O·小本森;A·J·乌德柯克;M·F·韦伯;J·T·凯勒;R·J·斯顿奥 -专利权人：美国3M公司
申请日： 1999-03-22 - 公布日： 2001-10-31 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：公开了含后成形的多层光学薄膜的制品,所述薄膜含至少一层应变引起双折射的材料层;通过多层光学薄膜后成形制造这种制品的方法;以及特别适合后成形加工的多层光学薄膜。本发明制品、方法和多层光学薄膜能够对具有应变引起的折射率差的多层光学薄膜进行后成形,同时保持多层光学薄膜所需的光学性能。
成形多层光学薄膜及其方法

[发明专利]光学介质薄膜含水缺陷深度的表征方法-CN201811301037.2有效
发明人：刘华松;姜承慧;陈丹;李士达;尚鹏 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本发明属于光学薄膜技术领域，具体涉及一种光学介质薄膜含水缺陷深度的表征方法。本发明对于无水层的光学常数，首先从可见光谱段反演出薄膜的色散方程，然后从长波红外光谱反演出薄膜的微结构本征振动导致的色散方程，两个色散方程的叠加表征了薄膜无水结构的光学常数色散；对于含水层的薄膜，将无水薄膜与水按照混合物处理，基于等效介质理论建立含水薄膜的光学常数色散方程。然后从红外透射光谱中反演出无水薄膜与水的比例、水的扩散深度、含有孔隙的无水薄膜厚度、无水薄膜的孔隙率四个参数。通过该方法可以表征出薄膜中的水缺陷深度特性，该方法对于含水缺陷薄膜的膜系设计以及多层膜的制作均有指导意义。
光学介质薄膜含水缺陷深度表征方法

[发明专利]一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法-CN201210385259.3有效
发明人：王浩敏;张有为;沈大伟;杨喜超;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。
一种石墨表面制备介质薄膜方法

[发明专利]一种磁性纳米晶片状吸收剂及其制备方法-CN202010294367.4有效
发明人：李维;鲍禹;官建国;刘星;陈志宏 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：制备方法为采用真空镀膜法在均匀涂覆有牺牲层的基体上交替沉积一定厚度的磁性材料与介质材料得到多层薄膜，再去除牺牲层得到多层磁性薄膜，将多层磁性薄膜破碎得到磁性纳米晶片状吸收剂。制备工艺简便，易于调节，制备的磁性纳米晶片状吸收剂表面光洁、内部缺陷少、应力小、磁性成分可控、可具有多层结构及大宽厚比、表面绝缘性好的特点。
一种磁性纳米晶片吸收剂及其制备方法