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[发明专利]密封并联平面触发火花隙开关及其制造方法-CN202110394775.1有效
发明人：朱朋;初青芸;杨智;汪柯;沈瑞琪;叶迎华 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01T2/02 文献下载
摘要：包括底层基片，中间层基片，顶层基片，PP片和焊盘；底层基片上表面和顶层基片的下表面上均设有三电极线路，中间层基片设有上下贯通的矩形腔室，PP片上设有与矩形腔室相对应的矩形缺口；中间层基片设置在底层基片和顶层基片之间，基片之间通过PP片压合；压合后中间层基片的矩形腔室，底层基片的上表面和顶层基片的下表面形成密封腔室；顶层基片上设有焊盘，压合之后的底层基片，中间层基片和顶层基片上设有贯穿的过孔。
密封并联平面触发火花开关及其制造方法

[发明专利]一种扫描式基片表面检测方法和装置-CN201811643903.6在审
发明人：李文涛;陈子天;李晓龙 -专利权人：赛纳生物科技（北京）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种扫描式基片表面检测方法和装置，利用液滴在基片表面的运动检测基片的均匀性，方法设备简单，不对基片表面造成损伤，适合于核心区域的定点检测以及常规检测。在检测的过程中，基片倾斜一定的角度，液滴在基片的表面并不主动滑落，用牵引装置牵引液滴运动。运动的过程中，经过需要检测的区域，通过液滴的形态变化判断基片表面的均匀性。
基片表面检测液滴方法和装置均匀性扫描式常规检测核心区域牵引装置形态变化运动检测牵引液滑落损伤

[实用新型]一种扫描式基片表面检测装置-CN201822257447.3有效
发明人：李文涛;陈子天;李晓龙 -专利权人：赛纳生物科技(北京)有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G01N13/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扫描式基片表面检测装置，利用液滴在基片表面的运动检测基片的均匀性，装置方法简单，不对基片表面造成损伤，适合于核心区域的定点检测以及常规检测。在检测的过程中，基片倾斜一定的角度，液滴在基片的表面并不主动滑落，用牵引装置牵引液滴运动。运动的过程中，经过需要检测的区域，通过液滴的形态变化判断基片表面的均匀性。
基片表面液滴均匀性检测本实用新型常规检测核心区域检测装置牵引装置形态变化运动检测牵引液扫描式滑落损伤

[发明专利]一种毫米波天线-CN202111642556.7有效
发明人：周彪;孔令甲;王建;许向前;韩玉朝;胡丹;彭同辉;李德才;王玉;尉国生;李玺;邢星;郭鹏磊;岳川;许霞平 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种毫米波天线，包括第一基片、第二基片以及连接第一基片和第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；第一基片包括在靠近第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离第二基片的第一表面设置寄生贴片；第二基片包括在远离第一基片的第二表面上设置用于对圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在第二基片上的金属化通孔与同轴馈电点连接；在第二基片的上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，限位孔环绕金属化通孔；且在第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，接地图形避开限位孔和馈点焊盘。
一种毫米波天线

[发明专利]基片承载装置和刻蚀设备-CN201410682769.6有效
发明人：贾士亮;吴鑫;栾大为 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种基片承载装置，包括托盘和盖板，所述托盘用于承载多个基片，所述盖板用于将所述多个基片固定在所述托盘上，其中，所述基片承载装置设置为当多个所述基片设置在所述基片承载装置中时，多个所述基片的上表面高度不同，以使得工艺时腔室内的多个所述基片的上表面处的等离子体浓度相同。本发明还提供一种刻蚀设备，在利用包括本发明所提供的基片承载装置的刻蚀设备进行刻蚀时，多个基片表面处的等离子浓度大致相同，因此，多个基片的上表面受到的等离子体的轰击能量也大致相同，所以刻蚀结束后，不同基片上的图形尺寸基本是相同的
承载装置刻蚀设备

[发明专利]一种具有双信息表面的光盘-CN99105035.5无效
发明人：守屋充郎;田中伸一;杉原泰宏;谷口宏;永岛道芳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1995-12-28 - 公布日： 2000-12-06 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明的光盘包括具有第一信息表面的第一基片;在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜;具有第二信息表面的第二基片;在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜;以及粘结第一基片和第二基片以使第一信息表面和第二信息表面彼此相对,其中第一基片的厚度是0.56mm或者更大些,粘结层的厚度为30μm或者更大些,第一基片和粘结层的总厚度是0.68mm或更小些。
一种具有信息表面光盘

[发明专利]具有广视角的五个非球面表面晶片级透镜系统-CN201410186759.3有效
发明人：尹淳义;邓兆展 -专利权人：全视技术有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G02B13/18 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片级透镜系统，该晶片级透镜系统包括：第一基片；第一透镜，该第一透镜具有与第一基片相接触的平面表面和凹形非球面表面；第二基片；第二透镜，该第二透镜具有面向第一透镜的凸形非球面表面和与第二基片相接触的平面表面；第三透镜，该第三透镜具有与第二基片相接触的平面表面和凹形非球面表面；第三基片；第四透镜，该第四透镜具有面向第三透镜的凸形非球面表面和与第三基片相接触的平面表面；以及第五透镜，该第五透镜具有与第三基片相接触的平面表面和凹形非球面表面
具有视角五个球面表面晶片透镜系统

[发明专利]基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法-CN201711262861.7在审
发明人：何创创;韩玉成;郭海明;应建;居奎;班秀峰 -专利权人：中国振华集团云科电子有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01C17/075 文献下载
摘要：本发明提供了一种基片表面处理工艺方法及芯片电容、薄膜电阻制作工艺方法，涉及电子元件制造领域。该基片表面处理工艺方法通过在预设定第一温度下，采用单片烧结的方式对陶瓷生胚进行烧结形成陶瓷基片；对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，采用单片烧结的方式，在烧结的过程中，无需加入隔粘粉，从而减少了陶瓷基片的表面粗糙度、以及提升了陶瓷基片的表面平整度，有效地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔以及斑点，并且通过对烧结后的陶瓷基片进行喷砂处理，更进一步地去除了陶瓷基片表面的凸脊、瓷疱、毛刺、针孔、斑点和划痕，由于外观质量合格率的提升，在生产大量的陶瓷基片时，大大减少了陶瓷基片、芯片电容以及薄膜电阻的生产成本。
表面处理工艺方法芯片电容薄膜电阻制作

[发明专利]一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器热沉的制作方法-CN200610112408.3有效
发明人：朱旻;张海英;刘训春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2006-08-16 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs MMIC功率放大器热沉的制作方法，该方法包括：A、制作与芯片尺寸相合的陶瓷基片及钼材料基片；B、在制作的陶瓷基片的上下表面之间打孔；C、在打孔的陶瓷基片的上下表面及孔的内壁镀金；D、将镀金后的陶瓷基片上表面与钼材料基片的下表面粘合；E、将芯片与钼材料基片的上表面粘合；F、将陶瓷基片的下表面与腔体粘合，完成热沉的制作。利用本发明，由于使用了陶瓷基片与钼材料基片，通过两种材料的不同热膨胀特性，避免了在陶瓷基片上直接粘合芯片易发生断裂的现象，解决了GaAs芯片热传导性能差，热耗散不能及时而导致芯片单管烧毁的问题，进而解决了
一种砷化镓单片微波集成电路功率放大器制作方法

[发明专利]半导体基片加工方法-CN200810224342.6无效
发明人：周洋 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体基片加工方法，在刻蚀工艺前，当基片经过传输路径被放入工艺腔室后，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于在传输过程中掉落在基片表面的颗粒；并当刻蚀工艺完成后，基片传出工艺腔室之前，通入Ar气、He气或N2气等非工艺气体对基片表面进行吹扫，以去除由于刻蚀过程中副产物在基片表面的附着物，可以有效的降低由于基片在传输过程中或刻蚀副产物掉落在基片表面的颗粒对基片加工良率的影响
半导体加工方法

[实用新型]一种新型高强度陶瓷基片-CN201920641139.2有效
发明人：黄有华;黄丽明 -专利权人：福鼎市溥昱电子科技有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高强度陶瓷基片，包括基片底座，所述基片底座的内部开设有多个散热孔，且基片底座的上表面靠近后表面位置固定安装有后挡板，所述基片底座的上表面靠近前表面位置固定安装有前挡板，且基片底座的上表面靠近两侧边缘位置固定安装有侧挡板，所述基片底座的上表面靠近中间位置固定安装有隔离板，且基片底座的下表面靠近四周边缘位置均连接有高度调节机构，所述高度调节机构由螺纹柱、螺纹套、支撑垫和螺纹槽组成，所述前挡板的内部靠近两侧位置均开设有引脚安装槽本实用新型所述的一种新型高强度陶瓷基片，能够方便调节陶瓷基片的放置高度，且能够提高功率器件引脚的放置稳定性。
基片底座上表面高度调节机构本实用新型高强度陶瓷前挡板引脚方便调节功率器件两侧边缘两侧位置四周边缘陶瓷基片安装槽侧挡板隔离板后表面后挡板螺纹槽螺纹套螺纹柱前表面散热孔下表面支撑垫

[发明专利]有内反射器的半导体光电检测器-CN03825153.1有效
发明人：亨利·A·布劳维尔特;大卫·W·维尔努伊;李浩 -专利权人：斯邦恩特光子学公司
申请日： 2003-09-12 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：一种光电检测器，包括：有输入面和反射面的半导体基片，它们形成在基片上表面。反射面与基片表面形成锐角并放置在这样的位置，使得传输通过输入面进入基片的光束从反射面内反射到基片上表面。光电检测器激活区形成在基片上表面并放置在这样的位置，使得反射光束入射到激活区。光电检测器可以安装在第二基片上，它可以从第二基片上形成的平面型波导或第二基片上凹槽中安装的光纤中接收光束。
反射半导体光电检测器

[发明专利]完全利用表面区域的光伏模组-CN200580019774.8无效
发明人： I·L·斯克里亚宾;M·J·松德曼;G·E·塔洛克;G·帕尼;S·M·塔洛克 -专利权人：戴索有限公司
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种光伏模组，包括：(i)以紧密间隔彼此平行设置的三块或更多基片(1、2、3)，其包括：具有第一和第二表面的中央基片(2)；具有内和外表面的第一外基片(1)，该内表面与中央基片的第一表面并列设置；和具有内和外表面的第二外基片(3)，该内表面和中央基片的第二表面并列设置，(ii)前光伏装置(A、B、C)，形成在第一外基片(1)与中央基片(2)的第一表面之间，(iii)连接和/或分隔装置(11)，设置在至少一对前装置之间，以及(iv)后光伏装置(D、E)，形成在第二外基片(3)与中央基片(2)的第二表面之间，其特征在于：(v)前和后光伏装置被偏移，使前装置(A、B、C)的连接和分隔装置(11)与后装置(D、E)的有效光伏区域相对
完全利用表面区域模组

[发明专利]基片托板系统与用于抛光基片的方法-CN200910135152.1无效
发明人：户川哲二 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2002-05-29 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：一种基片托板系统，其包括：基片托板，其包括保持环，该保持环用于夹持基片，并将基片定位，以便在抛光过程中使基片的表面与抛光表面接触，所述基片托板还包括连接到所述保持环上的基片托板主体装置；基片托板驱动轴，其与所述基片托板连接，用于驱动、上升和下降所述基片托板；滚珠丝杠和滚珠螺母，该滚珠丝杠和滚珠螺母与所述基片托板驱动轴连接；脉冲马达，其与所述滚珠丝杠接合，用于将所述基片托板上升和下降到所希望的垂直位置；流体压力源，其向基片上方供给增压流体；和控制装置，其用于通过所述脉冲马达、所述滚珠丝杠和所述滚珠螺母固定所述基片托板的垂直位置，直到所述基片托板被固定在所希望的垂直位置，并向所述基片上方导入增压流体，将基片压贴到所述抛光表面
基片托板系统用于抛光方法

[发明专利]一种基片金属组合Vivaldi相控阵天线-CN201711174650.8在审
发明人：张祖存;许露;吴素云;李哲 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二三研究所
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种基片金属组合Vivaldi相控阵天线。从上到下依次为上层金属片天线、上层基片、下层基片和下层金属片天线；Vivaldi基片天线由上层基片和下层基片压接而成，包括印制在下层基片上表面的微带馈线、微带馈线末端的微带扇形短截线，以及印制在下层基片下表面和上层基片上表面的印制匹配槽和印制渐变槽线；上层金属片天线和下层金属片天线上设置有金属匹配槽和金属渐变槽线，其结构形状与Vivaldi基片天线的印制匹配槽和印制渐变槽线相同，其中上层金属片天线压接于上层基片上表面，下层金属片天线压接于下层基片的下表面本发明改善了阵中单元方向图，扩大相控阵天线的扫描空域，并增加了天线基片的机械结构强度和减小了天线形变。
天线下层基片上层基片印制上层金属片下层金属片相控阵天线渐变槽线匹配槽上表面压接基片金属基片天线微带馈线下表面单元方向图金属从上到下机械结构结构形状天线基片短截线形变减小微带空域扫描