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[发明专利]一种基片真空染色方法及染色基片和眼镜-CN202210526323.9在审
发明人：杨敏男;罗红敏;吴富章 -专利权人：厦门美澜光电科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基片真空染色方法及染色基片和眼镜，基片真空染色方法包括以下步骤：S1、将基片清洗干净后烘干，得到洁净基片；S2、将所述洁净基片烘烤，得到烘烤基片；S3、将所述烘烤基片摆放在治具上，送入真空镀膜机腔室中并抽真空，采用电子枪轰击保护材料，所述保护材料为氧化硅和氧化铝的混合物，在所述烘烤基片的表面形成内保护层；S4、采用电子枪轰击染色材料，所述染色材料为氧化钛和氧化铌的混合物，在所述内保护层的表面形成染色层；S5、采用电子枪轰击所述保护材料，在所述染色层的表面形成外保护层。所述真空颜色基片的透过率可调，满足基片分级要求，同时基片具有均匀的颜色，良品率高，可以满足后续多样化加工要求。
一种真空染色方法眼镜

[发明专利]一种电容器的制造方法-CN201710760125.8在审
发明人：黄敏 -专利权人：苏州惠华电子科技有限公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容器的制造方法，对陶瓷介质基片进行清洗，然后干燥；在清洗后的陶瓷介质基片的上下表面溅射一层金属层；采用光刻方法，进行涂胶、前烘、显影和坚膜，在金属化后的陶瓷介质基片上制作出图案；将带有图案的陶瓷介质基片进行电镀、腐蚀和冲洗，使得陶瓷介质基片的上下表面形成多个形状相同的镀金层；从而得到待划切陶瓷电容基片；对待划切陶瓷电容基片进行清洗后，在陶瓷介质基片的下表面的镀金层上电镀一层镍，将陶瓷介质基片的镀镍的表面粘接到玻璃板上；待粘胶剂全固化后，采用划片机对陶瓷介质基片进行划切操作；划切结束后最终可形成最终单片陶瓷电容器。
一种电容器制造方法

[发明专利]太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法-CN202310685598.1在审
发明人：张乔林 -专利权人：通威太阳能（成都）有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法，所述太阳电池涂布片包括基片以及设在所述基片相对两个表面上的感光胶层，所述方法包括：将太阳电池涂布片进行一次显影，以去除基片表面的感光胶层，得到基片；将经过所述一次显影后的基片进行一次水洗，以去除显影液；将经过所述一次水洗后的基片放到清洗液中，进行超声清洗，以去除所述基片表面的残胶，得到待涂布基片。由此，本发明的返工方法可以将不良的太阳电池涂布片返工到未涂布的基片状态，可以彻底去除涂布不良的感光胶层，不会在基片表面残留杂质，使其可供重复利用，提升了返工的良率，降低了由于涂布不良带来的成本增加的问题
太阳电池涂布片不良返工方法制备

[实用新型]一种片式氧传感器-CN202221143536.5有效
发明人：赵锋;高晓佳 -专利权人：江苏惟哲新材料有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：其包括自上而下叠压制成的第一、第二、第三基片，加热器置于第一基片与第二基片之间、且其上下表面覆盖有长度相匹配的上、下绝缘层，参比电极安装于第二基片内部的空腔内且与第一基片连接，参比电极、加热器的电极引线分别通过导电通孔与第一基片、第三基片的表面电极电性连接，第一基片的顶部还设有外电极，外电极外部设有保护层，外电极的电极引线与第一基片的表面电极电性连接，其特征在于：第一基片的外部还设有一层外绝缘层、且外绝缘层覆盖区域不包括保护层、外电极的电极引线及表面电极的位置处。
一种片式氧传感器

[发明专利]曝光装置和曝光方法-CN202111186912.9在审
发明人：永原诚司;友野胜;福永信贵;白石豪介;岭川幸江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：曝光装置(3)包括：多个光照射部(4)，向基片(W)的表面的左右彼此不同的位置各自独立地照射光，形成从基片的表面的一端至另一端的带状的照射区域(30)；旋转机构(34)，其使载置于载置部的基片相对于照射区域相对地旋转然后，使基片相对于形成第一照度分布的照射区域相对地旋转，以将基片的整个表面曝光。另外，在基片的旋转停止的状态下使该基片相对于形成第二照度分布的照射区域在前后方向相对地移动，以将基片的整个表面曝光。
曝光装置方法

[发明专利]一种解决陶瓷-铁氧体复合基片抛光后表面出现台阶的方法-CN202211381662.9在审
发明人：孔伟;杨菲;任仕晶;廖杨;陈建杰 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决陶瓷‑铁氧体复合基片抛光后表面出现台阶的方法，属于微波技术和精密加工领域，所述方法为先采用磨盘配合氧化铝研磨液对陶瓷‑铁氧体复合基片进行第一次加工，然后采用聚氨酯配合氧化铝抛光液对陶瓷‑铁氧体复合基片进行第二次加工，并采用与基片目标厚度一致的不锈钢游星轮作为夹具；本发明获得的基片各部分厚度一致性较好，能将厚度差降低至3μm以下，表面没有明显的台阶，且加工后的复合基片表面粗糙度小于15nm；采用此方案加工的基片，能够保证电路连续，不会在台阶处产生薄弱点，并且，基片表面更平整有利于在结构中的接触稳定性。
一种解决陶瓷铁氧体复合抛光表面出现台阶方法

[发明专利]背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备-CN200710153052.2有效
发明人：宇家真司;永濑正规;中桥洋介;蜂谷透 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2007-09-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供背面照明成像器件及其制造方法、半导体基片和成像设备。一种背面照明成像器件通过从p型基片的背面照射光以基于光而在基片中产生电荷、并且从所述基片的正面读取电荷来进行成像。该器件包括位于基片中以及靠近基片正面表面的同一平面上的用于累积电荷的n层；处在各个n层和基片正面表面之间的n⁺层，该n⁺层具有暴露在基片正面上的暴露表面，并且起到释放n层中所累积的多余电荷的溢漏作用；处在各个n⁺层和n层之间的p⁺层，其起到溢漏的溢垒作用；以及连接到每个n⁺层的暴露表面的电极。
背面照明成像器件及其制造方法半导体设备

[发明专利]基片集成波导毫米波滤波器-CN201410566490.1无效
发明人：羊恺;任向阳;张天良;周立国;徐爱东 -专利权人：成都顺为超导科技股份有限公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01P1/208 文献下载
摘要：本发明的基片集成波导毫米波滤波器，包括覆盖于矩形基片上下表面的超导膜和贯穿基片的过孔，过孔沉积金属使上下表面的超导膜导通。其中超导膜在金属基片上激光沉积形成，并且金属基片沉积有超导膜的一面面向矩形基片表面固定。超导膜和金属过孔组合形成至少两个谐振腔，谐振腔耦合连接形成滤波器。有益效果在于，由于在基片上下表面覆盖超导膜以取代传统的金属镀层，相比于传统的基片集成波导毫米波滤波器具有插损更小，品质因数更高的特点。
集成波导毫米波滤波器

[发明专利]一种声表面波气体传感器多层敏感膜的制备方法-CN201210225320.8无效
发明人：李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G01N29/036 文献下载
摘要：本发明公开了一种声表面波气体传感器多层敏感膜的制备方法，包括：选择一压电基片，在该压电基片表面涂敷光刻胶，对该压电基片表面进行光刻，露出该压电基片表面的敏感膜区域；采用MPS溶液和PAH溶液对覆盖有光刻胶并露出敏感膜区域的该压电基片进行处理；将处理后的该压电基片依次浸入PSS、PPy、PSS和PANI溶液中，在该压电基片上生长一层PPy/PSS/PANI复合敏感膜，重复该浸入步骤并控制重复次数，在该压电基片上得到不同层数不同厚度的PPy/
一种表面波气体传感器多层敏感制备方法

[实用新型]一种铂金通道测温热电偶装置-CN201820698756.1有效
发明人：王庚 -专利权人：彩虹集团有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种TFT铂金通道测温热电偶装置，热电偶测温端与铂金通道表面之间直接接触，解决了测温误差及信号干扰的问题，温度测量准确。包括铂金通道、陶瓷基片、陶瓷基片固定支架和热电偶；陶瓷基片固定支架的边缘与铂金通道的外表面密封连接，且陶瓷基片固定支架和铂金通道之间形成一腔体；陶瓷基片位于腔体内且与陶瓷基片固定支架上与铂金通道相对的表面连接；热电偶的正极偶丝和负极偶丝在端部连接形成热端结合点，热端结合点位于腔体内且紧贴铂金通道的外表面；热电偶的正极偶丝和负极偶丝分别依次穿过从陶瓷基片和陶瓷基片固定支架伸出腔体外。
铂金通道陶瓷基片固定支架热电偶测温热电偶装置负极偶丝正极偶丝结合点热端体内本实用新型表面连接测温误差端部连接密封连接温度测量信号干扰测温端伸出腔体外紧贴穿过

[实用新型]晶体谐振器基片-CN201320426524.8有效
发明人：宋刚 -专利权人：成都精容电子有限公司
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶体谐振器基片，包括基片本体，基片本体的上表面中部设置有凸台，凸台上设置有两对称的绝缘子安置孔，所述绝缘子安置孔呈漏斗状，所述基片本体下表面设置有绝缘垫片，绝缘垫片对应绝缘子安置孔设置有引脚孔，引脚孔与绝缘子安置孔相通，所述基片本体边缘设置有与外壳密封连接的锥形凸起。本实用新型结构简单，通过在基片本体下表面设置绝缘垫片，能够充分配合电阻焊方式小型化晶体谐振器表面贴装化，替代具有陶瓷基座的晶体谐振器，绝缘子安置孔呈漏斗状，便于安装绝缘子，并保证安装精度，基片本体边缘设置锥形凸起，使基片与外壳的密封性更好。
晶体谐振器

[实用新型]一种三层曲面中空玻璃-CN201220319915.5有效
发明人：徐小明;徐国栋;莫华勤 -专利权人：苏州华建玻璃有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： E06B3/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种三层曲面中空玻璃，包括三片玻璃基片及两个框型间隔条，所述三片玻璃基片分别为：第一玻璃基片、第二玻璃基片、第三玻璃基片，所述两个框型间隔条分别为：间隔第一玻璃基片与第二玻璃基片的第一框型间隔条、间隔第二玻璃基片与第三玻璃基片的第二框型间隔条，所述框型间隔条与玻璃基片间通过粘性材料紧密粘结，所述第一玻璃基片、第二玻璃基片及第三玻璃基片均为具有相同曲率半径的弯钢化玻璃，其中，所述三片玻璃基片中至少一片玻璃基片的表面镀有LOW-E膜层，所述三片玻璃基片中至少一片玻璃基片的表面镀有彩釉层。
一种三层曲面中空玻璃

[发明专利]微带贴片天线以及无线设备-CN202111275469.2在审
发明人：程晓东 -专利权人：歌尔科技有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及天线技术领域，具体公开了一种微带贴片天线及无线设备，包括：介质基片，具有相对设置的第一表面以及第二表面；辐射贴片，设置在所述介质基片的第一表面，并沿所述介质基片的纵向轴线对称设置；馈电线，设置在所述第一表面，所述馈电线的一端连接所述辐射贴片，另一端沿所述介质基片的长度方向向所述介质基片的下边缘延伸，所述馈电线沿介质基片的纵向轴线非对称设置；接地板，设置在所述介质基片的第二表面靠近所述馈电线的一端。本申请的馈电线沿介质基片的纵向轴线非对称设置，扩展了天线的工作带宽，并将每个辐射贴片的辐射臂配置为具有弧形枝节，不仅增加了辐射臂臂长，而且有助于阻抗匹配，增加带宽。
微带天线以及无线设备

[发明专利]一种薄基片变形的测量方法与装置-CN201310187846.6有效
发明人：康仁科;董志刚;刘海军;佟宇;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2013-05-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G01B11/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄基片变形的测量方法与装置，属于物体变形的测量方法与装置领域，涉及对薄基片变形的测量方法与装置。该测量方法是将被测量的薄基片浸没于密度与之相近的液体中，采用固定销限定薄基片在液体中水平位置，在空气与液体交界处放置高平面度和平行度的透明平板，透明平板上表面在液体表面之上，透明平板下表面在液体表面之下采用光学位移传感器扫描测量薄基片的表面位移。测量装置中，光学位移传感器通过安装板固定在竖直平移台上，薄基片由三个锥形销支撑限位，整体固定于溶液中。本发明有效减少薄基片测量过程中重力附加变形的影响，可准确测量厚度较小而平面尺寸较大的薄基片变形，测量结果准确可靠。
一种薄基片变形测量方法装置

[发明专利]角速度检测器-CN200510083547.3有效
发明人：平野研二 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： G01P9/04 文献下载
摘要：一种角速度检测器(S1－S5)，包括角速度检测元件(100)，其具有振动体(20)；该振动体布置在底部基片(10)中，以在相对于该底部基片水平的表面上振动。该角速度检测元件根据振动体的振动来检测绕垂直于底部基片的轴的角速度。在角速度检测器中，电路基片(200)通过粘结体(300)结合到底部基片的第一表面上，且角速度检测元件的第二表面通过结合线(70)与电路基片电连接。此外，至少在对应于底部基片的第二表面上的结合线(70)的结合部分(70a)的部位处，所述粘结体局部地布置在底部基片的第一表面上。从而，可容易地进行精确的线结合。
角速度检测器