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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基准电流产生电路以及基准电压产生电路-CN201210533195.7有效
发明人：杉浦正一 -专利权人：精工电子有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：基准电流产生电路以及基准电压产生电路，可使电源启动时或变动时的响应速度提高。为了能够降低运算放大器的负载容量，具备向共有栅源间电压的晶体管对提供电流的晶体管，运算放大器控制其导通电阻。
基准电流产生电路以及电压

[发明专利]基准电压产生电路和基准电流产生电路-CN98116659.8有效
发明人：番场博则 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-07-29 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：本发明用于使从基准电压产生电路输出的温度依赖性、电源电压依赖性小的电压设定为电源电压内的任意的值而在1.25V以下动作。具备把PN结的正方向电压变换的第一电流变换电路，把电流密度改变后的PN结的正方向电压之差变换的第二电流变换电路，把用上述第一电流变换电路得到的第一电流量和用上述第二电流变换电路得到的第二电流量相加得到第三电流量的电流相加电路，把上述第三电流量变换成电压的电流电压变换电路。
基准电压产生电路电流

[发明专利]基准电压产生电路和基准电流产生电路-CN03142592.5无效
发明人：番場博則 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1998-07-29 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： G05F3/20 文献下载
摘要：本发明用于使从基准电压产生电路输出的温度依赖性、电源电压依赖性小的电压设定为电源电压内的任意的值而在1.25V以下动作。具备把PN结的正方向电压变换的第一电流变换电路，把电流密度改变后的PN结的正方向电压之差变换的第二电流变换电路，把用上述第一电流变换电路得到的第一电流量和用上述第二电流变换电路得到的第二电流量相加得到第三电流量的电流相加电路，把上述第三电流量变换成电压的电流电压变换电路。
基准电压产生电路电流

[发明专利]基准电压产生电路-CN202010446240.X在审
发明人：汤浅太刀男 -专利权人：艾普凌科株式会社
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路(1A)包括：电流分流电路(10)，具有第一输入端(11a)、第二输入端(11b)、电源输入端(12)、第一输出端(13a)、第二输出端(13b)、第三输出端(13c)、NMOS晶体管(15)及PMOS晶体管(16、17、18)；第一电阻二极管电路(20)，具有电阻(22)及二极管(D1)与电阻(23)；第二电阻二极管电路(30)，具有电阻(32)与二极管(D2)；反馈控制电路(40)，包含反相输入端(‑)、非反相输入端(+)与输出端(43)；电阻分压电路(50)，包含电阻(52)；以及输出端子(60)，与第三输出端(13c)及电阻分压电路(50)的一端连接。
基准电压产生电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201911334086.0在审
发明人：朱乐永 -专利权人：上海芯圣电子股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种电路面积小、功耗小且工作电压低的电压基准产生电路，属于电路设计领域。本发明包括Trim电路和n个串联连接NMOS管，Trim电路用于调节由n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，使在设定温度点时为0，第1个NMOS管的源极接地，第n个NMOS管的漏极输入基准电流，第n个NMOS管的栅漏之间的电压为零温度系数的基准电压VREF，T表示温度，VGS表示NMOS管的栅源之间的电压，n为大于2的正整数。本发明还可以根据室温，确定n个NMOS管组成的NMOS管的总宽长比，进而省略了Trim电路，在常用室温时使用。
电压基准产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202080084387.7在审
发明人：山本精一 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05F3/30 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路(1)具备：产生取决于带隙基准电压和电源电压(VCC)的第一基准电压(VREF1)的带隙基准电路(2)；以及将第一基准电压转换为第二基准电压(VREF2)的转换电路(3)。第二基准电压取决于带隙基准电压和接地电压(VSS)。接地电压低于电源电压。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201510189270.6有效
发明人：吕文君 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提出了一种基准电压产生电路，在基准电压电路和读电路之间添加一个驱动缓冲电路，减少现有技术中基准电压产生电路原有的负载，使基准电压产生电路只与驱动缓冲电路的栅极相连，有效的缩短基准电压的建立时间，使读电路重置时间缩短，进而提高读取速度，基准电压电路改进后较原有设计更为简化，电路在面积和功耗方面也有所减。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201410054346.X有效
发明人：吉野英生 -专利权人：精工半导体有限公司
申请日： 2014-02-18 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供基准电压产生电路，其即使存在制造工序偏差也具有平坦的温度特性。在半导体制造工艺结束后的半导体装置的电气特性的评价中，分别对3个单位基准电压产生电路（10）的基准电压VREF的温度特性进行评价。然后，从3个单位基准电压产生电路（10）中，仅选择具有最平坦的温度特性的单位基准电压产生电路（10）。只有此处选择出的单位基准电压产生电路（10）的熔断器（13～14）不被断开，而其他熔断器（13～14）被断开。因此，只有选择出的单位基准电压产生电路（10）工作，其他单位基准电压产生电路（10）不工作。
基准电压产生电路

[发明专利]电压基准产生电路-CN201410843846.1有效
发明人：常祥岭;孙彪 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种电压基准产生电路，包括分压电路和基准电压源电路，其中，所述分压电路包括依次串联连接在输入电压与地之间的第一、第二、第三电阻，所述第一和第二电阻之间形成的第一节点为所述电压基准产生电路的输出端，所述第二和第三电阻之间形成的第二节点连接所述基准电压源电路的输出电压。本发明的电压基准产生电路，能够输出高于带隙基准的基准电压，并且在高输入电压下仍能使用低耐压器件，从而降低系统复杂度，节省版图面积。
电压基准产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201910116610.0有效
发明人：佐野稔 -专利权人：艾普凌科有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G05F3/16 文献下载
摘要：本发明涉及基准电压产生电路。本发明提供电路规模小且功耗小的基准电压产生装置。基准电压产生电路是，一种基准电压产生电路，具有稳定化电容，将所述稳定化电容的两端的电压作为输出电压输出，所述基准电压产生电路具备：基准电压电路、电压感测电路、电流源电路、以及控制电路，所述电流源电路被构成为生成在所述输出电压比感测电压低的情况下生成的第一电流和在所述输出电压与所述感测电压相同或比所述感测电压高的情况下生成的第二电流，所述第一电流比所述第二电流大，所述电压感测电路具有一个晶体管或级数比所述基准电压电路少的共源共栅连接的晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN202210014789.0有效
发明人：聂卫东;戴晨峰 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压产生电路，包括：基准信号模块、开关电容积分模块、开关信号模块和采样与保持模块，所述开关电容积分模块接收所述基准信号模块输出的所述第一基准电压或所述第二基准电压，并根据所述开关信号模块输出的开关信号，向所述采样与保持模块输出第一调整电压或第二调整电压，所述采样与保持模块通过控制内部开关给后级电路提供一可变基准电压。本申请通过调整开关电容积分模块的充放电占空比，能够生成数值范围广且精度高的可变基准电压，可用于动态参数的补偿调整。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201410332492.4无效
发明人：黄九洲 -专利权人：南京芯力微电子有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开的基准电压产生电路，属于集成电路的技术领域。基准电压产生电路，包括：由输入电压转换为预调节电压的预调整电路，在预调节电压作用下产生基准电压的核心电路，预调整电路包括：第一耗尽型NMOS管、第二耗尽型NMOS管，核心电路包括：第三耗尽型NMOS管、本发明简化电路并减小了版图面积，实现了任意值基准电压的输出，具有低功耗、低噪声、低温度系数、高PSRR的优点。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201010504725.6无效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： G05F3/24 文献下载
摘要：一种基准电压产生电路包括：源极连接至电源电压的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；输出端连接至第一PMOS晶体管栅极的比较器；第一电阻器，第一连接端连接至第一PMOS晶体管的漏极，第二连接端连接至比较器的正向输入端该基准电压产生电路具有简单、精确的优势。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201210525189.7无效
发明人：苏威;武洁;徐家雷 -专利权人：上海华虹集成电路有限责任公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基准电压产生电路，包括：一带隙基准电流产生电路，在该带隙基准电流产生电路的输出端与地之间连接一个采用二极管连接方式的NMOS晶体管，或者串联连接多个采用二极管连接方式的NMOS晶体管。
基准电压产生电路

[发明专利]基准电压产生电路-CN201010131284.X无效
发明人：洪诚 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明的基准电压产生电路，包括基准电压产生和比较单元，驱动单元，M个驱动单元替补电路，基准电压产生和比较单元产生基准电压，从基准电压产生电路的输出端输出的电压作为负反馈电压输入到基准电压产生和比较单元中，与基准电压产生和比较单元产生的基准电压进行比较后，从基准电压产生和比较单元的输出端输出到驱动单元和M个驱动单元替补电路，当基准电压产生电路的电源电压不同时，由驱动单元和M个驱动单元替补电路中的至少一个加以驱动后输出到基准电压产生电路的输出端，使基准电压产生电路的输出端输出的电压稳定在基准电压产生和比较单元产生的基准电压上，其中，M是大于等于1的整数。
基准电压产生电路

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