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[发明专利]电流源型双馈变流器的容量优化方法-CN201710644108.8有效
发明人：张建文;李沛元;蔡旭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种电流源型双馈变流器的容量优化方法，包括：在电流源型双馈变流器的等效电路的转子侧并联转子电容；获取双馈电机的转子侧的电流分量和电压分量；根据双馈电机的转子侧的电流分量和电压分量，获取电流源型双馈变流器的转子侧的电容电流分量；将转子侧的电容电流分量简化为转子电容的一次函数，得到电流源型双馈变流器取最小电流值时，转子电容的容值；在电流源型双馈变流器的转子侧并联相应容值的转子电容。本发明通过在转子侧并联转子电容，从而协助电流源型双馈变流器进行换流，以及对转子电流进行了滤波处理。并且可以通过转子电容的优化设计使转子侧变流器电流减小，从而有效减小电流源型双馈变流器的容量。
电流源型双馈变流器容量优化方法

[发明专利]双馈发电机励磁系统电压源型机电暂态建模方法和装置-CN202110200718.5有效
发明人：谢欢;李善颖;刘丽丽;吴涛;梁浩;李长宇;谭麒邦;曹天植;黄天啸;严乙桉;刘瑛琳;辛光明;罗婧;郝婧;王炳辉;檀政;徐鹏;陈瑞;史扬 -专利权人：国网冀北电力有限公司电力科学研究院;华北电力科学研究院有限责任公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H02P21/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种双馈发电机励磁系统电压源型机电暂态建模方法和装置，该方法包括：建立双馈发电机的电压源型机电暂态模型；根据双馈发电机的电压源型机电暂态模型，确定双馈发电机与外部系统的接口方程；根据双馈发电机的电压源型机电暂态模型和双馈发电机与外部系统的接口方程，确定交流励磁控制模型；根据双馈发电机的电压源型机电暂态模型和交流励磁控制模型，确定双馈发电机励磁系统电压源型机电暂态模型。本发明对变频控制器、变频器及发电机衔接模块进行了归一化，实现发电机模型、变频控制器模型的整合，保留了电机磁链的动态过程及控制器内环的动态特性，对研究大容量双馈机组接入电网的暂态问题具有重要意义。
发电机系统电压机电建模方法装置

[实用新型]一种集成模块式软膜天花吊顶结构-CN202222522646.9有效
发明人：周超;郭大林;王留洋;徐熠炜;高波;杜静波;余耀成;王厅;江赵民;张峻耀;徐娜;盛兴新;邱德龙;齐明明 -专利权人：金螳螂精装科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： E04B9/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成模块式软膜天花吊顶结构，属于吊顶技术领域，包括灯箱灯源底座、连接龙骨和双扣型龙骨，所述灯箱灯源底座上设置有若干个灯源，所述灯箱灯源底座连接在所述连接龙骨上，所述双扣型龙骨上设置有第一安装槽和第二安装槽，透明防尘软膜安装在所述第一安装槽，面层软膜安装在所述第二安装槽内。本实用新型通过设置双扣型龙骨，安装时将双扣型龙骨承插入连接龙骨，利用双扣型龙骨和连接边龙骨内设计的牙口互相受力。拆卸检修灯源时，只需将双扣型龙骨边条压紧，使得牙口受力消失，即可取下面层软膜。
一种集成模块式软膜天花吊顶结构

[实用新型]气动夹爪-CN202223360042.5有效
发明人：彭皓琦 -专利权人：广州市派诺自动化设备有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了气动夹爪，涉及夹爪技术领域，包括双轴复动型气缸，所述双轴复动型气缸的侧部开设有多个连接孔，所述双轴复动型气缸的侧部开设有第一气口和第二气口，所述双轴复动型气缸上设置有上活塞杆和下活塞杆。本实用新型中，使用时，通过控制外部气源，使双轴复动型气缸的第二气口得气，上活塞杆和下活塞杆向上夹钳方向活动，从而使得夹爪张开，通过控制外部气源，使得双轴复动型气缸的第一气口得气，从而使得夹爪夹紧，当气源没有气源时，由通过固定螺母、调节螺母和弹簧的作用，原本被压缩的弹簧会拉伸回去，达到与第一气口得气时一样的效果，在没有气源的情况下气动夹爪可实现夹紧的状态。
气动

[发明专利]OTP器件及制造方法-CN201310526021.2有效
发明人：郭振强;罗啸;陈瑜;马斌;陈华伦 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种OTP器件，单元结构包括MOS晶体管和双极型晶体管；双极型晶体管形成于MOS晶体管的源区中，且双极型晶体管的发射区和集电区都由形成于MOS晶体管的源区中且和源区掺杂类型相反的掺杂区组成，双极型晶体管的基区由MOS晶体管的源区组成。通过双极型晶体管的集电区和基区之间产生热击穿来实现单元结构的编程。本发明还公开了一种OTP器件的制造方法。本发明能减少器件面积从而提高器件的集成度，能够提高与CMOS工艺的兼容性。
otp 器件制造方法

[发明专利]对双极型晶体管进行仿真的方法及双极型晶体管仿真电路-CN201210452059.5有效
发明人：王正楠 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种对双极型晶体管进行仿真的方法，其先建立一双极型晶体管仿真电路，双极型晶体管仿真电路包括一标准双极型晶体管、一电压控制电流源和一寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在标准双极型晶体管的基极同集电极之间；然后该双极型晶体管仿真电路对双极型晶体管进行仿真。本发明还公开了一种双极型晶体管仿真电路。本发明能仿真双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，仿真精度高。
双极型晶体管进行仿真方法电路

[发明专利]诱导型异源双链产生子的改进-CN201410330731.2在审
发明人： L·A·蒂利 -专利权人： IHG法玛柯有限公司
申请日： 2005-10-10 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： C12N15/11 文献下载
摘要：本发明发现，通过修饰诱导型异源双链产生子(IHG)分子，以便使识别标记自与待进行基因型分型的多态性位点直接相邻的核苷酸位点分隔开，能够改善异源双链条带的分辨。出乎意料地是，发现当使用所述的修饰IHG分子时，可显著地改善诱导型异源双链的分辨。
诱导型异源双链产生子改进

[发明专利]诱导型异源双链产生子的改进-CN200580034310.4无效
发明人： L·A·蒂利 -专利权人： IHG法玛柯有限公司
申请日： 2005-10-10 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明发现，通过修饰诱导型异源双链产生子(IHG)分子，以便使识别标记自与待进行基因型分型的多态性位点直接相邻的核苷酸位点分隔开，能够改善异源双链条带的分辨。出乎意料地是，发现当使用所述的修饰IHG分子时，可显著地改善诱导型异源双链的分辨。
诱导型异源双链产生子改进

[实用新型]一种新型双Z源NPC型五电平有源滤波器-CN201920295302.4有效
发明人：李文娟;黄绍斌 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-03-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H02J3/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型双Z源NPC型五电平有源滤波器，涉及有源滤波技术领域，包括电压检测、电流检测、DSP控制器、直流侧电压检测、驱动电路、双Z源NPC型五电平逆变器、电抗器。所述的一种新型双Z源NPC型五电平有源滤波器，主电路采用双Z源NPC型五电平逆变器，避免死区的影响，允许桥臂直通，提高了逆变器的稳定性；由于实现双Z源逆变器的直通状态，达到提高直流电压利用率的目的；并且减小开关频率
源滤波器五电平五电平逆变器本实用新型直流电压利用率直流侧电压电流检测电平跳变电压检测开关频率滤波技术桥臂直通驱动电路稳定运行谐波抑制直通状态电抗器能力强逆变器主电路减小死区应用检测

[实用新型]调压电路-CN201220498591.6有效
发明人：周晓东;王晓娟;王纪云 -专利权人：郑州单点科技软件有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种调压电路。该电路包括第一NPN双极型晶体管、第二NPN双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、可调电阻和肖特基势垒二极管；所述第一NPN双极型晶体管的基极通过第一电阻连接至电压源并通过可调电阻连接至地，源极接地，集电极连接至肖特基势垒二极管的负极端、第二NPN双极型晶体管的基极以及通过第二电阻连接至电压源；肖特基势垒二极管的正极端接地；第二NPN双极型晶体管的源极接地，集电极作为输出端的负极。
调压电路

[发明专利]三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法-CN200710118823.4有效
发明人：周发龙;吴大可;黄如;王润声;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每个双鳍型沟道的外侧为栅氧和共同的前栅，内侧为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和共同的背栅，形成双栅结构；上层的双鳍型沟道的两端连接上层的共同的n+源和n+漏，下层的双鳍型沟道的两端连接下层的共同的p+源和p+漏；前栅和背栅自对准、对上下两层的源和漏的覆盖很小；上层n+源和下层p+源连接不同的电极，上层n+漏和下层n+漏连接同一电极。
三维双鳍型沟道多功能场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]储能型异步发电控制器-CN202221403728.5有效
发明人：谷志锋;李梦佳;阮振鹏;孔子君;李伦迪;张晓亮;尚馨菲;王彪;杨雯雯 -专利权人：石家庄铁道大学
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H02M7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及电能变换技术领域，提出了储能型异步发电控制器，包括笼型异步电机，还包括三相PWM整流器、双源桥DCDC变换器、蓄电池组和双CPU控制器，笼型异步电机的输出端连接三相PWM整流器的输入端，三相PWM整流器的输出端连接双源桥DCDC变换器的输入端，双源桥DCDC变换器的输出端连接蓄电池组，三相PWM整流器和双源桥DCDC变换器通过信号采集模块连接双CPU控制器，双CPU控制器通过驱动电路连接三相PWM整流器和双源桥DCDC变换器，通过上述技术方案，解决了现有技术中笼型异步发电系统抗负载能力弱、体积大、燃油消耗率高等问题的问题。
储能型异步发电控制器

[实用新型]过压保护电路-CN201220488671.3有效
发明人：桑园;余力;吴勇 -专利权人：郑州单点科技软件有限公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过压保护电路。该电路的输入端：连接至第一双极型晶体管的源极和第二双极型晶体管的源极，通过第六电阻连接至第一双极型晶体管的基极和第三双极型晶体管的源极，通过第四电阻连接至第二双极型晶体管的基极；并联稳压器：阳极接地，阴极通过第五电阻连接至第二双极型晶体管的基极并通过第二电阻连接至输入端，参考电压输入端通过第三电阻接地并通过第一电阻连接至输入端；输出端连接至第一双极型晶体管的集电极；第三双极型晶体管的集电极通过第八电阻接地，基极和第二双极型晶体管的集电极通过第七电阻接地。
保护电路

[发明专利]一种电流源型双PWM变频器-CN201710271500.2在审
发明人：辛平;白晶 -专利权人：北华大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明涉及变频器技术领域，具体涉及一种电流源型双PWM变频器，本发明构建开关时间预估模型并与SVPWM调制算法相结合应用于电流源型变频器，实现对电流型变频器谐波污染的抑制；将能量成型理论和协同控制技术应用于电流源型双PWM变频器提高其控制性能，突破当前电流源型变频器的传统理论和方法。其具有功率损耗低、谐波最小化、转换效率高、动态响应性能好、抗干扰能力强等，构建起电流源型双PWM变频器协同互联能量成型控制理论框架，提高双PWM电流源型变频器的工作效率、功率因数和控制性能，达到控制精确度要求
一种电流源型双 pwm 变频器

[发明专利]一种高功率因素双极性电流源型介质阻挡放电电源-CN202310022919.X在审
发明人：唐雄民;林志宏;周泽鑫;陈勇权;张淼 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2023-01-08 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H02M9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率因素双极性电流源型介质阻挡放电电源，本发明公开的供电电源主要由功率因数校正电路和脉冲激励生成电路组成。该高功率因素双极性电流源型介质阻挡放电电源不仅能在介质阻挡放电负载上生成高频双极性脉冲激励，还能实现功率因素校正和软开关的功能，此外，本发明公开的高功率因素双极性电流源型介质阻挡放电电源整体结构紧凑，其制作和使用非常方便
一种功率因素极性电流介质阻挡放电电源

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