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- [发明专利]坩埚自动除渣设备-CN201510288721.1有效
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罗建文;杨震;刘长江;潘健
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长沙开元仪器股份有限公司
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2015-05-29
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2017-04-19
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B08B1/02
- 本申请所提供的坩埚自动除渣设备,一列坩埚按顺序依次放在坩埚载台上，第一驱动装置将坩埚依次推至第一预定位置，该位置是等待进入清刮位置的位置，下一步由第二驱动装置将第一预定位置上的坩埚推到第二预定位置，该位置位于活动板上，是清刮位置，但未接触刮刀部件。限位装置将第二预定位置上的坩埚限位，之后第四驱动装置将活动板向上驱动，使坩埚底部抵靠刮刀部件，然后第三驱动装置驱动刮刀部件清刮，清刮完成后活动板复位，打开限位部件，取下坩埚后，下一个坩埚可以继续依照上述流程被清理，这种结构很巧妙，实现了提供一种结构简单的坩埚自动除渣设备。
- 坩埚自动设备
- [实用新型]中频炉活动坩埚升降装置-CN202021720506.7有效
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张晓明;梅照营;梅照群
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上海都林特种合金材料有限公司
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2020-08-15
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2021-04-02
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F27B14/10
- 本申请涉及中频炉活动坩埚升降装置，涉及中频炉装置的领域，其包括用于固定坩埚位置的坩埚定位机构，以及用于加热坩埚的坩埚加热机构，坩埚加热机构包括中频炉和升降装置，中频炉沿竖直方向贯穿开设有加热孔，中频炉沿加热孔设置有加热件；坩埚定位机构固定坩埚的位置后，中频炉套设坩埚。本申请工作时，先将坩埚通过坩埚定位机构进行定位，通过升降装置移动中频炉的位置，使得中频炉完全套设坩埚，并对坩埚进行加热；加热结束后通过升降装置使得中频炉远离坩埚，便于工作人员将坩埚移动至待浇铸处；当坩埚不宜继续使用时，工作人员可以直接更换新的坩埚，无需将坩埚从中频炉内拆卸，具有减少工作人员的工作时间，且操作简便的效果。
- 中频活动坩埚升降装置
- [发明专利]一种坩埚系统-CN201911193289.2在审
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鲁俊瑞;褚蓉蓉
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合肥欣奕华智能机器有限公司
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2019-11-28
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2021-05-28
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C23C14/24
- 本发明涉及蒸镀设备技术领域，公开一种坩埚系统，该坩埚系统，包括：坩埚；蒸镀材料表面位置检测单元，用于检测坩埚中的蒸镀材料的表面位置；两个加热单元，其中，一个加热单元用于自坩埚外侧进行加热，另一个加热单元用于自坩埚内侧进行加热；两个加热单元中的至少一个可相对于坩埚沿坩埚的轴线方向移动的安装于坩埚；用于驱动可相对于坩埚移动的加热单元动作的驱动组件；控制单元，控制单元与蒸镀材料表面位置检测单元以及驱动组件信号连接，用于根据蒸镀材料表面位置检测单元检测的蒸镀材料的表面位置信息控制驱动组件动作从而，确保坩埚中蒸镀材料表面始终均匀受热，从而使蒸镀材料均匀挥发，保证蒸镀的膜层的均匀性。
- 一种坩埚系统
- [实用新型]一种侧壁加强型石墨坩埚-CN202021913034.7有效
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杨九福
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汨罗市福缘新材料有限公司
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2020-09-04
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2021-04-06
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F27B14/10
- 本实用新型公开了一种侧壁加强型石墨坩埚，包括坩埚体以及坩埚盖，所述坩埚体为圆筒形坩埚体，其具有封闭的底面以及开口的顶面；所述坩埚体在对应坩埚盖下部的侧壁位置设置有环形插接部，所述环形插接部的内径大于坩埚体内径，并在变径位置通过倾斜斜面过渡，所述环形插接部位置可拆卸插装有一个石墨环形套，所述石墨环形套的整体厚度为坩埚体壁厚的1.5～2倍，下部套装在所述环形插接部上；所述石墨环形套的上表面内侧成型有定位阶，并在定位阶位置通过所述坩埚盖对坩埚体的顶面开口的面封闭本实用新型的石墨坩埚具有较佳的结构稳定性，能在侧壁承受较大的热应力冲击和外侧物理冲击。
- 一种侧壁加强型石墨坩埚
- [实用新型]一种坩埚升降器及晶体生长装置-CN202121840235.3有效
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齐红基;王晓亮
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杭州富加镓业科技有限公司
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2021-08-06
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2022-04-19
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C30B11/00
- 本实用新型公开了一种坩埚升降器及晶体生长装置，坩埚升降器包括：坩埚，所述坩埚用于装载熔体；加热装置，加热装置围绕坩埚设置；升降装置，升降装置设置于坩埚的底部或加热装置的底部；其中，升降装置用于晶体生长过程中升降坩埚或加热装置以使熔体的液面的位置与加热装置的位置相匹配由于在坩埚的底部或加热装置的底部设置升降装置，通过升降装置可升降坩埚或加热装置，从而调整熔体液面与加热装置的相对位置。随着晶体的生长，坩埚内熔体的液面会下降，通过升降装置升起坩埚或降下加热装置，可以使得坩埚内熔体的液面与加热装置的相对位置相匹配，从而确保熔体的液面处的温度稳定，以确保晶体稳定生长，提高晶体的质量。
- 一种坩埚升降晶体生长装置
- [实用新型]用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置-CN202022897529.1有效
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全韩雄;朴镇成;李英俊;李泳敏;李永桓
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韩华思路信
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2020-12-03
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2022-02-01
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C30B15/02
- 本实用新型涉及用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，该装置可以精密测量向硅锭生长坩埚投入的熔融硅的投入量，从而可以有效进行投入量的控制，根据本实用新型的一实施方式，公开一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其包括：预备坩埚，用于在接收固态的硅材料来进行加热以使其成为熔融状态的硅后，向硅锭生长的主坩埚供给熔融状态的硅；预备坩埚移动模块，用于向第一位置或第二位置中的一个倾斜上述预备坩埚，上述第一位置为在上述预备坩埚中装有上述固态的硅材料或上述熔融硅的姿势，上述第二位置为上述预备坩埚的上述熔融硅流向上述主坩埚的位置；以及控制部，用于控制上述预备坩埚移动模块。
- 用于坩埚供给装置
- [发明专利]单晶的制造方法-CN201680060808.6有效
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北川胜之
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信越半导体株式会社
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2016-09-26
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2020-07-17
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C30B15/02
- 本发明是一种单晶的制造方法，其在填充工序后，进行坩埚位置设定工序以及熔化工序，所述坩埚位置设定工序包含：将锥形阀的下端配置在比吹扫管的下端更靠下方的位置的步骤；一边测量锥形阀的重量的变化，一边使锥形阀和坩埚以相对接近的方式移动的步骤；根据锥形阀的重量的变化率，检测锥形阀的下端与原料的上端的接触的步骤；根据检测到接触的锥形阀的下端的位置，测量原料的上端的位置的步骤；以及设定坩埚的位置，以使吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔为规定的距离的步骤，所述熔化工序包含坩埚位置调整步骤，在所述坩埚位置调整步骤中，配合原料的熔化的进行，调整坩埚的位置，以使吹扫管的下端与原料的上端的间隔维持在规定的距离。由此，能够将吹扫管的下端与填充在坩埚内的原料的上端的间隔控制为规定的距离。
- 制造方法
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