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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法-CN201911047837.0有效
发明人：邹文 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善尖端放电缺陷的方法及半导体器件的制造方法，所述改善尖端放电缺陷的方法包括：提供晶圆结构，所述晶圆结构具有器件区和包围所述器件区的边缘区；形成图案化的光刻胶层于所述晶圆结构上，所述图案化的光刻胶层暴露出部分的所述器件区且至少覆盖所述边缘区向外凸出的边棱；以及，以所述图案化的光刻胶层为掩膜，对所述晶圆结构进行刻蚀。本发明的技术方案使得晶圆结构的边缘区上的尖端放电缺陷得到改善，避免导致晶圆结构的器件区的损伤，从而使得产品良率得到提高。
改善尖端放电缺陷方法半导体器件制造

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200710196656.5无效
发明人：朱建隆;刘建宏 -专利权人：力晶半导体股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供基底，该基底包括存储单元区与周边电路区。基底上已依序形成有第一导体层与掩模层。接着，移除部分的第一导体层、掩模层及基底，以形成多个隔离结构，且存储单元区的隔离结构的密度大于周边电路区的隔离结构的密度。然后，移除残留于存储单元区的掩模层。接着，图案化残留于周边电路区的掩模层，以形成图案化掩模层。图案化掩模层的密度约等于存储单元区的隔离结构的密度。之后，于基底上形成第二导体层。
半导体元件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200710103912.1有效
发明人：小川裕之;儿屿秀之;江间泰示 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：该半导体器件包括：第一区，其中形成包括叠层结构栅极的晶体管；第二区，其中形成包括单层结构栅极的晶体管；以及第三区，位于第一区与第二区之间的边界部分中。该方法包括：沉积第一导电膜，图案化第一区和第三区中的第一导电膜以使得其外部边缘位于第三区中，沉积第二导电膜，图案化第二导电膜以在第一区中形成控制栅同时保留第二导电膜，以使得第二导电膜覆盖第二区并使得其内部边缘位于第一导电膜的外部边缘的内侧，以及图案化第二区中的第二导电膜以形成栅极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种阵列基板的制造方法和阵列基板-CN201810196074.5有效
发明人：卓恩宗;莫琼花 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制造方法和阵列基板，该制造方法包括：提供一基板；在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏电极层和光刻胶层；对光刻胶层进行图案化，以形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包括第一区域和第二区域，以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，第三区域的厚度的取值范围为0.2～0.8微米；利用图案化的光刻胶层掩膜，对源漏电极层和半导体层进行图形化处理，以在第一区域覆盖的部分形成主动开关的源极，在第二区域覆盖的部分形成主动开关的漏极，在第三区域覆盖的部分形成主动开关的沟道区。
一种阵列制造方法

[发明专利]形成高压元件深阱的方法-CN200810169633.X有效
发明人：杜尚晖;蔡宏圣;张睿钧 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2008-10-13 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供一种形成高压元件深阱的方法，该方法包括：提供一基底，该基底上具有一第一牺牲层；形成一第一图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出一第一开口区；对该第一开口区进行第一离子掺杂，以形成一第一次掺杂区；移除该第一图案化遮蔽层与该第一牺牲层；形成一外延层于该基底上；形成一第二牺牲层于该外延层上；形成一第二图案化遮蔽层于该牺牲层上，并露出第二开口区；对该第二开口区进行第二离子掺杂，以形成一第二次掺杂区；移除该第二图案化遮蔽层；执行一回火步骤，使该第一掺杂区与该第二掺杂区扩散成一深阱；以及移除该第二牺牲层。
形成高压元件方法

[发明专利]一种发光显示装置及其制造方法-CN202110106729.7在审
发明人：范文正 -专利权人：范文正
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：该发光显示装置具有基板、分别配置于基板的相对表面上的第一图案化导电层及第二图案化导电层、多个焊垫区及多个发光件。发光件彼此间的最小相隔距离为2至3毫米。第一图案化导电层具有多条交织成网格状的第一导线，第二图案化导电层具有多条相互平行且彼此相隔的第二导线及自各条第二导线连接出的延伸部，基板用以隔离第一图案化导电层和第二图案化导电层之间的电性接触。焊垫区彼此分隔开，一焊垫区和第一导线电性连接而其他焊垫区分别和三条彼此相邻的第二导线的延伸部连接。
一种发光显示装置及其制造方法

[发明专利]画素结构及其制作方法-CN201110192504.4有效
发明人：游镇宇;李振岳;陈明炎 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：于基板上形成图案化半导体层，包括下电极、源极掺杂区、漏极掺杂区以及通道区。于图案化半导体层上形成栅介电层。于栅介电层上形成图案化第一金属层，包括栅极、扫描线及共享电极，通道区位于栅极下方。于图案化第一金属层上依序形成第一介电层与第一保护层。于第一保护层上形成图案化第二金属层，包括源极、漏极及数据线，数据线位于共享电极上方且两者之间配置有第一介电层与第一保护层。于图案化第二金属层上形成第二保护层。于第二保护层上形成与漏极电性连接的画素电极。
结构及其制作方法

[发明专利]触控面板及其盖板结构-CN201310145039.8有效
发明人：林群峰;叶文新;叶惠林;张专元 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控面板的盖板结构，包括一盖板，具有一可视区以及一周围区，其中周围区位于可视区的至少一侧，且周围区包括一图案区；一图案化遮蔽层，设置于盖板上，且位于周围区内，其中图案化遮蔽层包括至少一镂空结构设置于图案区内，且图案区内还界定有一围绕于镂空结构的外切边框区，外切边框区的框缘与镂空结构的最突出的外切边缘重叠；一装饰层，设置于周围区内，且覆盖于镂空结构上，其中装饰层的面积大于外切边框区的面积，且装饰层的图案形状对应于外切边框区的边框形状
面板及其盖板结构

[实用新型]触控面板及其盖板结构-CN201320213434.0有效
发明人：林群峰;叶文新;叶惠林;张专元 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型提供一种触控面板的盖板结构，包括：一盖板，具有一可视区以及一周围区，其中周围区位于可视区的至少一侧，且周围区包括一图案区；一图案化遮蔽层，设置于盖板上，且位于周围区内，其中图案化遮蔽层包括至少一镂空结构设置于图案区内，且图案区内还界定有一围绕于镂空结构的外切边框区，外切边框区的框缘与镂空结构的最突出的外切边缘重叠；一装饰层，设置于周围区内，且覆盖于镂空结构上，其中装饰层的面积大于外切边框区的面积，且装饰层的图案形状对应于外切边框区的边框形状
面板及其盖板结构

[发明专利]彩色滤光基板及其制造方法-CN200510002858.2有效
发明人：翁逸君 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2005-01-25 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明是关于一种彩色滤光基板及其制造方法，该彩色滤光基板的制造方法包括：提供一基板，此基板具有象素区，且每一象素区具有第一次象素区、第二次象素区与第三次象素区。提供第一光罩，并藉由其进行微影制程，以将其上的图案转移至基板上，而在每一第一次象素区内形成第一图案化滤光层。提供第二光罩，并藉由其进行微影制程，以将其上的图案转移至基板上，而在每一第二次象素区内形成第二图案化滤光层。分别藉由第一光罩与第二光罩进行微影制程，以将第一光罩上的图案与第二光罩上的图案转移至基板上，而在每一第三次象素区内形成第三图案化滤光层。
彩色滤光及其制造方法

[发明专利]用于分离气体组分的具有图案化电极的电摆动吸附电池-CN202180055822.8在审
发明人：萨哈格·沃斯奇恩;凯伦·托马斯阿尔亚;伊丽莎白·伯恩斯;布山·波佩雷 -专利权人：沃道克斯公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B01J20/10 文献下载
摘要：本公开涉及具有图案化电极的系统和电摆动吸附电池。图案化电极包括多个电解质区、多个气体区和导电支架。导电支架延伸到多个电解质区中，并且包括电活性物种。
用于分离气体组分具有图案电极摆动吸附电池

[实用新型]一种显示基板及显示装置-CN202023162538.2有效
发明人：倪静凯;吴慧利 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本公开提供一种显示基板及显示装置，所述显示基板包括：刚性载板，所述刚性载板包括镂空区；位于所述刚性载板上的柔性衬底，所述柔性衬底包括第一区域和第二区域；及，位于所述刚性载板上的遮挡层，所述遮挡层包括开口区及遮挡区；其中，所述镂空区、所述开口区及所述第一区域的图形在所述刚性载板的正投影完全重合。本公开实施例提供的显示基板及显示装置，能够实现图案化的激光剥离，图案化形状可不受限，且提高激光剥离图案化精度，降低成本。
一种显示显示装置

[发明专利]对功率金属化层图案化的方法和用于处理电子装置的方法-CN201810586123.6在审
发明人： P.菲舍尔;J.施拉明格;M.C.韦尔克尔;P.措恩 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了对功率金属化层图案化的方法和用于处理电子装置的方法。根据各种实施例，一种用于处理电子装置的方法（100）可以包括：在功率金属化层（202）之上形成图案化的硬掩模层（206p），该图案化的硬掩模层（206p）暴露该功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s）；以及通过湿法蚀刻（220）所暴露的该功率金属化层（202）的至少一个表面区（202s）来对该功率金属化层（202）进行图案化。
功率金属化层图案化处理电子装置硬掩模层表面区湿法蚀刻暴露

[发明专利]显示面板-CN201510725386.7在审
发明人：张皓谦;黄俊豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板包括第一次像素与图案化遮光层。第一次像素设置于阵列基板上，其包括第一配向区、第二配向区、第三配向区与第四配向区，沿第一方向依序排列。第一配向区对应的液晶分子与第三配向区对应的液晶分子具有相同配向，第二配向区对应的液晶分子与第四配相区对应的液晶分子具有相同配向，且第一配向区的对应的液晶分子与第二配向区对应的液晶分子具有不同配向。图案化遮光层设置于对向基板上，其具有多个第一开口，分别对应第一次像素。图案化遮光层遮蔽第一配向区与第四配向区，且第一开口暴露出第二配向区与第三配向区。
显示面板

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202011213310.3有效
发明人：陈兴 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中至少包括第一有源区，第二有源区和第三有源区，所述第一有源区的宽度等于所述第二有源区的宽度；形成屏蔽氧化层于所述衬底上，所述屏蔽氧化层覆盖所述第一有源区，所述第二有源区和所述第三有源区；形成图案化的光阻层于所述屏蔽氧化层上，所述图案化的光阻层暴露出位于所述第一有源区和所述第二有源区上的所述屏蔽氧化层；以暴露出的所述屏蔽氧化层为掩膜，对所述第一有源区和所述第二有源区进行离子掺杂，以在所述第一有源区和所述第二有源区中形成第一沟道，并移除所述图案化的光阻层。
一种半导体器件及其制造方法

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