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[发明专利]一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法-CN201610488212.8在审
发明人：刘京明;刘彤;董志远;赵有文 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法,包括：步骤1）GaSb单晶片进行抛光，抛光后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤2）将GaSb单晶片依次在无水乙醇、石油醚、异丙醇有机溶剂中进行超声清洗，在每种试剂中清洗时间为10～15分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤3）将GaSb单晶片浸入盐酸和异丙醇按体积比1:4进行混合的溶液中，进行超声清洗5～10分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤4）将GaSb单晶片取出，在氮气或惰性气体的环境下吹干，并装盒密封。本发明通过改进工艺，通过在超净环境下对晶片进行加工，并采用化学清洗与氮气封装工艺可有效去除GaSb单晶表面残留杂质和颗粒，控制颗粒度在100/cm²以下，大大提高GaSb单晶衬底表面质量
一种控制 gasb 衬底表面颗粒方法

[发明专利]一种具有循环利用功能的锗单晶片生产用清洗设备-CN202310451018.2有效
发明人：吕远芳;杜晓星;张皓楠;李超 -专利权人：保定三晶电子材料有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备技术领域，公开了一种具有循环利用功能的锗单晶片生产用清洗设备，该具有循环利用功能的锗单晶片生产用清洗设备包括清洗柜，所述清洗柜内安装有喷头，所述清洗室和集液室通过回收孔相接通，所述集液室内设置有滤网，当对单晶片上表面进行清洗时，启动循环泵，通过吸液管和输液管将集液室中的清洗液输送到喷头中，通过喷头喷洒清洗液对单晶片进行清洗，由于移动座可以带动喷头沿着模组滑轨移动，便于喷头对单晶片进行全方面的清洗，通过回收孔可以将清洗室中的清洗液回流到集液室中，并且，通过集液室中的滤网可以对回流的清洗液进行过滤，有利于对清洗液中所携带的颗粒杂质进行拦截，能够实现清洗液的循环利用。
一种具有循环利用功能晶片生产清洗设备

[实用新型]一种单晶片清洗设备-CN202122785364.3有效
发明人：陈孝洲;李稳稳 -专利权人：焦作万可科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶片清洗设备，包括设备机台和安装在设备机台顶端的固定支架，所述固定支架的一侧表面安装有直线导轨，所述直线导轨的内部活动安装有滑块，所述滑块的底端表面安装有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的底端表面安装有限位机构，所述限位机构下方的设备机台顶端表面安装有预清洗机构。本实用新型通过设置有一系列的结构，通过限位机构将待清洗的硅单晶片进行固定，通过电动推杆带动滑块在直线导轨上移动，从而将待清洗的硅单晶片先移动至预清洗机构处进行预清洗，预清洗完成后将待清洗的硅单晶片移动至超声波清洗机内部进行超声波清洗，超声波清洗完成后将清洗后的硅单晶片移动至烘干箱内部进行烘干，清洗效率高。
一种晶片清洗设备

[发明专利]一种碳化硅单晶片清洗剂及其制备方法和应用-CN201910994588.X有效
发明人：包亚群;罗壮东;刘长海 -专利权人：广州亦盛环保科技有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C11D1/825 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅单晶片清洗剂及其制备方法和应用，所述碳化硅单晶片清洗剂按质量百分比包括：螯合剂20‑30％、聚乙二醇1‑5％、异辛醇聚氧乙烯醚1‑5％、聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚醚1‑5％和增溶剂1‑10本发明所述碳化硅单晶片清洗剂呈弱碱性，对晶片无腐蚀现象，操作安全性能高，且对于清洗碳化硅单晶片各加工工段的不同脏污都具有良好的清洗效果。
一种碳化硅晶片洗剂及其制备方法应用

[发明专利]一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片-CN202211092768.7在审
发明人：周成;张存新;何亮;李建敏;毛伟;徐云飞;雷琦;罗鸿志;李小平;刘亮;熊仁根 -专利权人：江西新余新材料科技研究院
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N30/088 文献下载
摘要：本发明公开一种铁电单晶体薄片的制备方法及铁电单晶体薄片，涉及压电材料技术领域，本发明的制备方法包括：步骤一：将铁电单晶体切割成厚度为100μm以上的第一晶片；步骤二：将切割后的所述第一晶片放入第一溶液中清洗；所述第一溶液不与所述第一晶片发生反应，且能去除所述第一晶片表面的沾污；步骤三：将清洗后的所述第一晶片放入第二溶液中进行减薄；得到减薄后的第二晶片；步骤四：将减薄后的所述第二晶片在10秒内从所述第二溶液中取出，再次放入所述第一溶液中清洗后并晾干；由此得到铁电单晶体薄片。本发明通过制备提供厚度在20‑50μm的单晶薄片，有效解决了铁电单晶体的应用瓶颈。
一种单晶体薄片制备方法

[实用新型]一种锗单晶片用双面清洗设备-CN202121184212.1有效
发明人：裴泽轩;刘怀成;李怀宇;裴洁 -专利权人：保定晶泽光电技术有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种锗单晶片用双面清洗设备，包括操作箱、隔板、传送带、固料夹、锗单晶片和升降机构，操作箱的底面的四角上固定安装有四个支柱，操作箱下方还设有置物板，操作箱内部固定安装有隔板，操作箱对应的两边侧壁上和隔板上均设有进出孔，传送带通过进出孔穿过操作箱，操作箱的内部上方设有连接柱，传送带与连接柱连接，传送带上固定若干固料夹，固料夹夹持锗单晶片的顶端。本实用新型的锗单晶片用双面清洗设备，隔板将操作箱的内部依次分为第一清洗室、第二清洗室和风干室，可以实现在同一设备上完成对锗单晶片的清洗工作，通过传送带进行传送，不需要人工操作，减少了劳动力的支出，提高了工作效率
一种晶片双面清洗设备

[发明专利]一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法-CN201510820250.4在审
发明人：刘京明;刘彤;杨俊;董志远;赵有文 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法，该位错腐蚀方法包括如下步骤：1）对氮化铝单晶片进行有机溶剂超声清洗；2）对氮化铝单晶片进行有机溶剂浸洗；3）用去离子水冲洗氮化铝单晶片的表面；4）将氮化铝单晶片放入化学腐蚀液中，在300-400℃的温度条件下进行位错腐蚀；5）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的氮化铝单晶片；6）干燥氮化铝单晶片。
一种氮化铝单晶腐蚀方法

[发明专利]SrTiO3单晶电阻开关器件的制备方法-CN201410839802.1在审
发明人：廖霞霞;王惠琼;王吉政;郑金成 -专利权人：厦门大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：SrTiO3单晶电阻开关器件的制备方法，涉及电阻开关器件。将未掺杂的SrTiO3单晶片清洗后放入石英玻璃管中，然后将石英玻璃管中的空气用氩气置换后密封；将获得的封装好的含有SrTiO3单晶片的石英玻璃管加热后，取出，冷却至室温，敲碎石英玻璃管即得高温退火后的SrTiO3单晶片；将高温退火后的SrTiO3单晶片镀金电极，取出后在SrTiO3单晶片的另一面滴上银胶，成为银电极，完成SrTiO3单晶电阻开关器件的制备。制备方法简单，易于操作，封装好的SrTiO3单晶片可直接在空气中加热。退火后的SrTiO3单晶片表面出现了丝状导电通电，不需要经过电铸过程就可以实现SrTiO3单晶片的开关性能。
srtio3 电阻开关器件制备方法

[发明专利]用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法-CN202111149654.7在审
发明人：周兵;马永;于盛旺;王永胜;郑可;吴艳霞;黑鸿君;高洁 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法，首先将抛光的氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面用金刚石微粉超声预处理，清洗后固定在真空镀膜室的旋转样品台上；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对YSZ晶片表面进行离子刻蚀清洗；真空加热YSZ单晶晶片，在其表面以不同沉积速率依次外延生长铱单晶薄膜，得到YSZ基铱单晶薄膜复合衬底，为外延生长高质量的大尺寸单晶金刚石提供技术基础。该方法直接利用高质量单晶晶片衬底得到晶体取向一致的铱单晶薄膜，避免了硅基片表面氧化物缓冲层外延生长，降低了铱单晶薄膜衬底的生长缺陷，对于外延生长大尺寸单晶金刚石具有重要意义。
用于外延生长尺寸金刚石复合衬底制备方法

[发明专利]控制单晶片清洗系统的电化腐蚀效应的设备和方法-CN02814102.4有效
发明人：约翰·M·博伊德;麦克·拉夫金;卡特里娜·A·米哈里奇 -专利权人：拉姆研究公司
申请日： 2002-07-11 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供了一种控制单晶片清洗系统的电化腐蚀作用的设备及方法。在一个实施例中，提供了一种单晶片清洗系统中将电化腐蚀效应减至最小的方法。此方法首先在晶片表面上施用含有腐蚀抑制剂的清洗化学制剂。而后，将晶片表面暴露于清洗化学制剂一段时间。接下来，更新清洗化学制剂及晶片表面的界面处的浓度梯度。而后，同时施用清洗剂及干燥剂以去除清洗化学制剂。其中在腐蚀抑制剂浓度被稀释至不足以提供腐蚀保护之前，干燥剂使晶片表面干燥。
控制晶片清洗系统电化腐蚀效应设备方法

[发明专利]一种单晶片清洗方法-CN201811622293.1在审
发明人：陈东强;徐海玉;任晓刚;彭洪修 -专利权人：安集微电子科技（上海）股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶片清洗方法，包括如下步骤：步骤(1)，向旋转的晶片表面喷射去离子水或有机溶剂，以预润湿晶片表面；步骤(2)，向旋转的晶片表面喷射清洗液，以去除颗粒、有机物、金属杂质等各类污染物；步骤(3)，向旋转的晶片表面喷射去离子水，以对晶片表面进行漂洗；步骤(4)，向旋转的晶片表面喷射高纯氮气，以对晶片表面进行干燥。本发明的减少颗粒污染的单晶片清洗方法，通过在清洗液清洗前增加去离子水或有机溶剂的预浸润以提高清洗液与晶片表面的浸润性、以及控制旋转干燥时高纯氮气喷出的流速以降低晶片中心区域的负压效应，减少了颗粒污染物在晶片表面的吸附
一种晶片清洗方法

[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法-CN202111267243.8在审
发明人：顾小英;赵青松;狄聚青;牛晓东 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本申请公开一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。本公开的方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。
高纯锗单晶 100 缺陷检测方法

[发明专利]一种锑化镓单晶片的抛光方法-CN202010737567.2有效
发明人：黄立;严冰;梁红昱;张冰洁;张传杰;刘伟华 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法，包括如下步骤：1)对锑化镓单晶片进行双面磨削，去除锑化镓单晶片表面的损伤；2)对磨削后的锑化镓单晶片采用抛光布配合抛光液进行化学机械抛光；3)对化学机械抛光后的锑化镓单晶片进行取片清洗该发明通过对抛光液的组分和含量，以及与之配合的抛光布进行选择优化，实现了锑化镓单晶片抛光的一步成型，无需经过粗抛、中抛、精抛三步抛光，工艺简单，稳定性好，且锑化镓单晶片抛光后表面质量高，无划痕和起雾的缺陷
一种锑化镓单晶片抛光方法

[发明专利]一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法-CN200910241700.9无效
发明人：朱峰;李京波 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-02 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备InAs室温铁磁性半导体材料的方法，包括以下步骤：利用化学清剂将InAs单晶片表面清洗干净，并利用酸刻蚀法去除表面氧化层和无机物；将处理干净的InAs单晶片放入沉积设备中，沉积一层金属扩散层；将沉积了金属扩散层的InAs单晶片放入石英管中，并抽真空后密封；将真空封闭的石英管放入加热设备中恒温加热，加速扩散过程；将加热过的石英管切割开后，取出InAs单晶片，并用酸性液体刻蚀掉多余金属。用化学洗剂将InAs单晶片清洗干净，完成制备。利用本发明，能够制备出InAs体单晶的温度在300K以上的铁磁性半导体材料，且整个制备过程中所使用的设备都是技术成熟，产业常用的设备，而且缩短了制备成本和制备时间，非常利于推广。
一种制备 inas 室温铁磁性半导体材料方法

[发明专利]一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法-CN201510821850.2有效
发明人：刘彤;杨俊;刘京明;董志远;赵有文 -专利权人：北京华进创威电子有限公司
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法，该清洗方法包括如下步骤：1）将锑化镓单晶抛光片用有机溶剂浸洗；2）用去离子水冲洗所述锑化镓单晶抛光片；3）将所述锑化镓单晶抛光片放入化学腐蚀液中，在10‑40℃的温度下腐蚀晶片表面；4）用去离子水冲洗步骤4）中腐蚀后的锑化镓单晶抛光片；5）干燥所述锑化镓单晶抛光片。本申请所使用的清洗工艺及腐蚀液可以有效地去除加工过程中晶片表面残留的杂质和颗粒，获得洁净的表面，同时提高晶片表面粗糙度达到Rq=0.5‑0.3µm，满足外延生长的要求。
一种锑化镓单晶抛光清洗方法

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