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[发明专利]显示面板、显示装置-CN202080000519.3有效
发明人：王会明;汪敏;马京;赵鹏;杨秀琴 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：一种显示面板、显示装置，显示面板包括：多个源极驱动芯片(SIC1‑n)、电源管理电路(PMIC)、多个开关单元(T1‑n)，电源管理电路(PMIC)包括第一输出端(Out1)，第一输出端(Out1)用于向源极驱动芯片(SIC1‑n)提供数字电源信号；多个开关单元(T1‑n)分别与至少一个源极驱动芯片(SIC1‑n)对应设置，开关单元(T1‑n)连接于第一输出端(Out1)、与其对应的源极驱动芯片(SIC1‑n)之间，至少部分开关单元(T1‑n)用于响应不同的控制信号以在不同时段导通与其对应的源极驱动芯片(SIC1‑n)和第一输出端(Out1)。显示面板能够在源极驱动芯片(SIC1‑n)的上电复位阶段，可以依次向不同开关单元(T1‑n)的控制端输入导通信号，从而避免了模拟电源信号总线电流过大，损坏显示面板元器件的技术问题。
显示面板显示装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910152023.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在栅极结构两侧的基底内形成凹槽，包括位于栅极结构一侧的第一凹槽以及另一侧的第二凹槽；在第一凹槽的底部和侧壁上形成第一缓冲层，在第二凹槽的底部和侧壁上形成第二缓冲层，第一缓冲层的厚度小于第二缓冲层的厚度；在凹槽中形成源漏掺杂层，源漏掺杂层覆盖第一缓冲层和第二缓冲层，位于第一凹槽中的源漏掺杂层用于作为源极，位于第二凹槽中的源漏掺杂层用于作为漏极。本发明使第二缓冲层的厚度较大，这增大了漏极和沟道区之间的距离，有利于改善短沟道效应，而第一缓冲层的厚度较小，以保证源漏掺杂层对沟道区施加足够的应力，从而提高载流子的迁移率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备-CN202211128610.0有效
发明人：潘兴强 -专利权人：广州湾区半导体产业集团有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种双镀源物理气相沉积工艺及多模式物理气相沉积设备。上述双镀源物理气相沉积工艺包括：低偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第一偏压并为晶圆施加第三偏压，准直器在第一偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；射频准直制程，以准直器同时作为射频电极和镀源，为准直器施加射频电压，准直器在射频电压的作用下溅射镀膜粒子至晶圆的表面；高偏压制程，以靶材作为镀源，为准直器施加第二偏压并为晶圆施加第四偏压，准直器在第二偏压的作用下使靶材溅射镀膜粒子至晶圆的表面；第四偏压大于第三偏压且二者功率的差值不小于采用上述双镀源物理气相沉积工艺能够使晶圆上所需覆盖的结构形成覆盖率高、均匀度高的镀膜。
一种双镀源物理沉积工艺模式设备

[发明专利]数据源读写的分离方法、装置及计算机可读存储介质-CN201910975811.6有效
发明人：朱欢敏 -专利权人：中国平安财产保险股份有限公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明涉及一种大数据技术，揭露了一种数据源读写的分离方法，包括：基于原始数据库的所属类型，创建所述原始数据库的标准数据连接池；接收用户输入的数据源，将所述数据源转换为业务数据源，生成逻辑操作命令；当所述逻辑操作命令为读操作时本发明还提出一种数据源读写的分离装置以及一种计算机可读存储介质。本发明实现了数据源读写的高效分离。
数据源读写分离方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]数据校验方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质-CN201910940335.4有效
发明人：冉元 -专利权人：重庆小雨点小额贷款有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种数据校验方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：从第一数据库随机获取第一数据表；从源数据库中查询所述第一数据表的主键值范围；根据预设的随机算法从所述主键值范围确定待校验的目标主键值；从源数据库中查询目标主键值对应的参考行数据，以及从第二数据库中查询目标主键值对应的待校验行数据，第二数据库作为源数据库的备份；对参考行数据与待校验行数据进行校验，若校验结果指示参考行数据与待校验行数据不一致采用本发明，可以减小对源数据库的性能消耗，提高源数据库与源数据库对应的备份数据库之间的数据一致性校验效率。
数据校验方法装置电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]一种Bi2-CN202010898087.4有效
发明人：陈嵘;陶雄;胡晓武;苏春平 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种Bi2S3的制备方法，它以铋源和复合硫源为主要原料进行溶剂热反应，再经洗涤、干燥，得Bi源代替传统的单一硫源来合成Bi2S3，利用反应过程中不同硫源的释放速度差异及不同硫源与
一种 bi base sub

[发明专利]一种高耐候高光泽钛白粉的制备方法-CN202210212189.5有效
发明人：王欢欢;王永珊;冯亚阳;郭永阳;许菲菲;宋运萍;赵姗姗;司华彬 -专利权人：河南佰利联新材料有限公司;龙佰集团股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C09C1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高耐候高光泽钛白粉的制备方法，包括以下步骤：S1.制备钛白料浆，添加锆源、磷源，用氨水调节pH至6～7；S2.进行第一次水热反应，反应后进行砂磨；S3.同时加入铝源和磷源，保持料浆pH为5～6；S4.调节料浆的pH为5～9，同时加入锌源和磷源，维持料浆的pH为5～9；S5.进行第二次水热反应，反应后进行砂磨；S6.进行铝膜包覆；S7.煅烧。
一种高耐候高光泽钛白粉制备方法

[发明专利]三元锂电材料还原装置、控制方法及锂的回收方法-CN202210575368.5有效
发明人：周强;蔡金玲;蒋振宇;倪俊;尹红兵;蒋岳师 -专利权人：湖南顶立科技有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：该三元锂电材料还原装置包括加热炉、传送带、气体管道、至少两根气源管道以及与气源管道对应设置的控制阀。传送带包括沿自身传送方向依次设置的进料段、反应段和出料段。气体管道至少经过传送带的反应段。至少两根气源管道和与气源管道对应设置的控制阀，至少两根气源管道分别通过对应的控制阀与第一进气部连接。调节控制阀使得输送需求的工作气体的气源管道和第一进气部导通，以提供三元锂电材料进行还原反应所需的条件。如此一来，三元锂电材料还原装置可以适应三元锂电材料的多种还原工艺，因而使用范围广泛。
三元材料还原装置控制方法回收

[发明专利]一种恒跨导全摆幅运算放大器-CN201710699203.8有效
发明人：邹颖;丁国华;谭在超;罗寅 -专利权人：苏州锴威特半导体股份有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种恒跨导全摆幅运算放大器，包括依次相连接的轨到轨输入级、增益级和输出级，轨到轨输入级包括互补的PMOS差分对和NMOS差分对、PMOS差分对和NMOS差分对的尾电流源、NMOS差分对的负载电路；增益级包括自偏置共源共栅电流镜，PMOS差分对和NMOS差分对的PMOS管和NMOS管的源极连接自偏置共源共栅电流镜，输出级包括共源极连接的第一PMOS管和第一NMOS管、米勒补偿，第一PMOS管和第一NMOS管的栅极连接自偏置共源共栅电流镜，米勒补偿采用米勒补偿电容和补偿电阻串联实现。
一种恒跨导全摆幅运算放大器

[发明专利]一种输入对电流切换控制电路-CN201711464540.5有效
发明人：满雪成;林毅竟 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：包括主输入对和辅输入对，所述主输入对连接电压超前感知通路，所述电压超前感知通路通过第一电流镜连接所述辅输入对，电流切换控制开关通过第二电流镜连接所述辅输入对，所述电流切换控制开关和所述主输入对均连接第二电流源，所述电压超前感知通路连接第三电流源，所述电流切换控制开关连接第一电流源即电流滞后补偿电流源，只有当所述第二电流源流过所述电流切换控制开关的电流大于所述第一电流源即电流滞后补偿电流源提供的电流时，多余的电流才会经过所述第二电流镜给所述辅输入对
一种输入电流切换控制电路

[发明专利]一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法-CN202111006582.0有效
发明人：程琳;刘爱萍;郭平;付佳佳 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备领域，具体为一种梭子状二硫化银铋纳米材料及其制备方法，包括如下制备步骤：(1)将铋源和银源在常温下超声均匀分散到乙二醇溶液中；(2)将硫源和控制剂加入圆底玻璃瓶中磁搅拌均匀；(3)一步溶剂热法制备得到AgBiS2纳米材料：将(1)种的铋源和银源加入(2)中硫源的玻璃瓶中搅拌并加热至70～90℃反应0.5～2h；(4)将(3)中反应结束的反应物倒至反应釜中放入烘箱中
一种梭子硫化纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种适用于多操作对象的机械手及操作方法-CN202210712460.1有效
发明人：章军;刘禹;陈彦秋;吕兵 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B65G47/91 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于多操作对象的机械手及操作方法，该机械手包括手掌部和手指部，手掌部采用平面的五杆并联机构或由多个五杆并联机构并联而成，手指部可拆卸地连接在五杆并联机构上，手指部由手掌部驱动；手掌部由两个驱动源共同驱动，两个驱动源分别定义为第一驱动源和第二驱动源；第一驱动源和第二驱动源中至少一个为移动驱动装置或旋转驱动装置；手指部包括多个手指，手指采用硬手指、软体手指或吸嘴。
一种适用于操作对象机械手操作方法

[发明专利]一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器-CN202211211335.9有效
发明人：廖鹏飞;蒲林;张远航;李鹏;雷旭;杨丰;黄晓宗;王国强 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明属于模拟集成电路领域，具体涉及一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器，包括：带隙基准、误差放大器、功率管Mp、补偿电容Cm、电阻反馈网络以及输出电容Co；误差放大器包括电流源IB1、8个MOS管M1～M8以及跨导增强电路；其中跨导增强电路包括放大器和两个MOS管M9～M10；M9的漏极连接M7的源极，栅极分别与M10的栅极、放大器的输出端连接，源极接地；M10的漏极分别连接M8的源极、放大器的第一输入端以及补偿电容Cm的正极，源极接地；放大器的第二输入端外接电压源；本发明通过跨导增强电路提高差分放大电路中的等效跨导，从而降低负载电流，增加时环路复数极点的
一种具有增强电路低压线性稳压器

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件-CN202110935939.7有效
发明人：邹富伟;魏悦;唐霞 -专利权人：成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示器件，该制作方法包括：形成栅极、有源层、源极和漏极的图形；有源层包括：源极接触区域、漏极接触区域和位于源极接触区域和漏极接触区域之间的沟道区域，源极接触区域和漏极接触区域包括，非晶硅层和非晶硅掺杂层通过对一非晶硅薄膜的表面进行离子注入得到，其中，非晶硅薄膜的被离子注入的上层膜层形成非晶硅掺杂层，未被离子注入的下层膜层形成非晶硅层；沟道区域包括非晶硅层，沟道区域的非晶硅层与源极接触区域和漏极接触区域的非晶硅层相连本发明能够改善源漏电极和有源层之间的接触电阻，有利于非晶硅薄膜晶体管的性能的提高。
薄膜晶体管及其制作方法显示器件

[发明专利]具有源极镇流的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201910876410.5有效
发明人：维平达斯·帕拉 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：该集成器件包含多个平面金属氧化物半导体场效应晶体管，后者具有于多个源极区的第一源极区中形成的第一接触区，以及于多个源极区的第二源极区中形成的第二接触区。第一接触区和第二接触区具有掺杂第二导电类型的源极区相应部分，且第一接触区和第二接触区经由结型场效应晶体管区域分离；其中结型场效应晶体管区域的一个平面尺寸长于另一个，且第一接触区和第二接触区经由较长平面尺寸分离结型场效应晶体管区域通过导电接触至少一个接触区的源极区和体区，界定于对应较长平面尺寸的至少一侧。
有源极镇流碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管