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[发明专利]应变型氧化镓MOSFET器件结构及制备方法-CN201910430611.2有效
发明人：冯倩;田旭升;张进成;周弘;张春福 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：其包括衬底(1)、n型Ga2O3导电沟道层(2)、重掺杂源区(3)、重掺杂漏区(4)、源电极(5)、漏电极(6)、绝缘栅介质(7)和栅电极(8)，该重掺杂源区和重掺杂漏区，均采用厚度小于500nm，掺杂浓度大于1×1019cm‑3的n2O3导电沟道层、重掺杂源区和重掺杂漏区位于衬底上；源电极和漏电极分别位于重掺杂源区和重掺杂漏区之上；绝缘栅介质位于
变型氧化 mosfet 器件结构制备方法

[发明专利]一种制备强酸性Y型分子筛的方法-CN201510896844.3有效
发明人：刘洪涛;刘宏海;赵晓争;高雄厚;王久江;胡清勋;刘超伟;金君素;徐春艳;孟庆亭;王宝杰;张莉;赵红娟;熊晓云 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司;北京化工大学
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：a、将硅源、铝源、碱源和水混合后在预定温度下老化，得到Y型分子筛导向剂；b、将Y型分子筛导向剂、硅源和水在室温下混合并搅拌，然后加入碱源和铝源，搅拌，在90‑110℃下晶化12‑48h
强酸性导向剂硅源碱源铝源制备十六烷基三甲基溴化铵氨水焙烧分子筛晶格铵盐水溶液高结晶度制备工艺水混合烘干抽滤晶化孔道酸液微孔洗涤冷却坍塌老化

[发明专利]一种区块链技术中密文防篡改方法-CN201910394489.8有效
发明人：易朝刚 -专利权人：广东辰宜信息科技有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明提供一种区块链技术中密文防篡改的方法，首先采用编码元素组合方式对源信息进行重新编码，形成信息源；再对信息源的每一位元素的码值进行取模、加、减、乘、除、异或、或、与、非运算的任意组合运算后实现对信息源加密；在接收端设置接收ID，以接收增加的唯一性ID的密文；对第四步接收ID接收到的加密后密文进行长度统计，再采用编码元素组合方式对加密后的密文重新编码，实现对源信息进行加密。最后将任意长度的密文信息通过散列算法变换成固定长度的散列值，将散列值分散至密文源信息中，得到增加有散列值的密文。
一种区块技术中密文防篡改方法

[发明专利]一种发光二极管的透明电极及其制备方法-CN201811406282.X有效
发明人：王钢;卓毅;陈梓敏;马学进;练海啸 -专利权人：中山大学;广州和光同盛科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L33/42 文献下载
摘要：对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部保持300‑900℃，压力为3‑100Torr，处理1～60min；S2.在保护气氛下，调节生长温度为450‑650℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为0.1‑3nm/min，在预处理后的外延片表面生长厚度为40‑500nm的ITO主体层；S3.在保护气氛下，调节生长温度为300‑450℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为1‑10nm/min，在ITO主体层上生长厚度为20‑200nm的ITO粗化层。
一种发光二极管透明电极及其制备方法

[发明专利]一种超细硅磷酸钙粉体的水热法制备及其应用-CN201811456736.4有效
发明人：宁聪琴;刘晓丹;寇华敏 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C04B35/447 文献下载
摘要：制备方法包括如下步骤：将钙源、磷源、硅源和分散剂混合，得到混合料；其中，钙源中的Ca、磷源中的P和硅源中Si的摩尔比为5:2:1；将混合料密封于水热装置中进行水热反应，得到前驱体粗品；将前驱体粗品进行处理
一种超细硅磷酸钙法制及其应用

[发明专利]一种农业面源污染风险识别方法-CN201910121337.0有效
发明人：杨金凤;王雪蕾;李新荣;冯爱萍;田壮;王悦 -专利权人：北京市农林科学院
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种农业面源污染风险识别方法。测定对象地区的风险识别指标体系中各指标的数值；2)计算风险识别指标体系中的各指标数值的权重，得到权重，记为W；对风险识别指标体系中各指标进行赋值，得到指标赋值，记为I；3)将权重W和指标赋值I代入下式(1)中，得到农业面源污染风险指数；NPSPRI＝∑Wi×Ii；上式中，NPSPRI为农业面源污染风险指数；Wi为各风险指标在指标体系中的权重值，其值范围为0～1；Ii为指标赋值，i为指标体系中的指标；根据计算得到的农业面源污染风险指数数值，即能识别农业面源污染风险。本发明能够简单、快速、低成本、适应性强、不依赖GIS和遥感技术等高精尖设备和技术，且能非常精确地识别农业面源污染风险。
一种农业污染风险识别方法

[发明专利]厚层三维垂向分级多孔道石墨化活性木源碳电极及其制备方法-CN202010234387.2有效
发明人：刘沛静;辛福恩 -专利权人：陕西国防工业职业技术学院
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种厚层三维垂向分级多孔道石墨化活性木源碳电极的制备方法，属于超级电容器技术领域。本发明通过简单的真空辅助催化法，首次制备出厚层三维垂向分级多孔道石墨化活性木源碳电极，并首次实现在厚层木源碳材料分级多孔道管壁上均匀垂直打孔的效果。同时完成对木源碳电极的石墨化和活化协同处理。该方法使催化剂溶液在木源碳孔道内壁均匀附着，有效克服了木材管道中管道内压对基底前处理和活化石墨化效果的影响，在提高木源碳电极材料的孔结构和比表面积的前提下，改善电极材料的石墨化程度，从而使其成为具有优异电化学性能的厚层双电层电极材料
三维分级多孔石墨活性木源碳电极及其制备方法

[发明专利]接收器和低噪声放大器-CN201811651021.4有效
发明人：杨开拓;文振财;成千福;张军平 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-12-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04B1/12 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种接收机和低噪声放大器，一种接收机可包括主信号通路和辅助信号通路、合路电路和中频放大电路；主信号通路包括栅极串联电感、第一共源放大电路和混频电路，主信号通路输入端通过栅极串联电感与第一共源放大电路输入端连接，第一共源放大电路输出端与混频电路输入端连接，混频电路输出端与合路电路第一输入端连接，合路电路的输出端与中频放大电路输入端连接；辅助信号通路包括第二共源放大电路和混频移相电路；辅信号通路输入端与第二共源放大电路输入端连接，第二共源放大电路输出端与混频移相电路输入端连接，混频移相电路输出端与合路电路第二输入端连接。
接收器低噪声放大器

[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管-CN201811592439.2有效
发明人：方冬;肖魁;卞铮 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种VDMOS，包括：半导体基底和形成于基底内的体区以及形成于体区内的源区；沟槽贯穿源区和体区并延伸至基底，各沟槽栅结构包括形成于沟槽内壁的栅介电层和填充于沟槽内的栅极层；在源区上和各沟槽栅结构上依次叠设有第一层间介质层、第一金属层、第二层间介质层和第二金属层；第一金属层和第二金属层中的其中一层为栅极金属层且通过栅区接触孔与各栅极层连接，另一层作为源极金属层且通过源区接触孔与体区连接，各元胞结构中位于源区接触孔同侧的沟槽栅结构的数量
沟槽垂直扩散金属氧化物半导体场效应晶体管

[发明专利]用于产生图像的表示的方法和成像系统-CN201880071712.9有效
发明人： R·R·德拉克希尼 -专利权人：眼验股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G06K9/20 文献下载
摘要：此文件中所述技术可体现在一种方法中，所述方法包含：在第一时间周期期间，接收来自第一传感器的信息，所述信息表示由以第一波长范围辐射的第一照明源照明的目标，以及接收来自第二传感器的信息，所述信息表示由以第二波长范围辐射的第二照明源照明的目标所述方法还包含：在第二时间周期期间，接收来自所述第一传感器的信息，所述信息表示由以所述第一波长范围辐射的第二照明源照明的目标，以及接收来自所述第二传感器的信息，所述信息表示从由以所述第二波长范围辐射的第一照明源照明的目标接收的反射光所述方法还包含产生图像的表示，其中，归因于所述第一照明源和所述第二照明源的影响被增强，使其超过归因于环境光源的影响。
用于产生图像表示方法成像系统

[发明专利]考虑载荷和转速约束的电压源型风电机组控制方法及系统-CN202010157813.7有效
发明人：应有;杨靖;洪敏;孙勇;许国东;史晓鸣 -专利权人：浙江运达风电股份有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： F03D7/00 文献下载
摘要：本发明公开了考虑载荷和转速约束的电压源型风电机组控制方法及系统，考虑载荷和转速约束，包括电压源型变流器、轴系载荷优化控制环、转速优化控制环和变速变桨控制，电压源型变流器输出f给轴系载荷优化控制环，输出ΔTbase:Sub>给轴系载荷优化控制环和变速变桨控制环，轴系载荷优化控制环输出TBd给加法器，加法器输出Tgd给电压源型变流器本发明解决了电压源型风电机组主控系统和变流器之间有功功率配合的问题，避免出现转速超速或欠速故障；并减小电压源风电机组在电网频率扰动工况的传动链轴系载荷冲击。
考虑载荷转速约束电压源型风电机组控制方法系统

[发明专利]饮用水水源地环境风险源本底清单确定及更新方法和装置-CN202011130020.2有效
发明人：姚延娟;杨海军;徐奥;荣学谦;朱海涛;檀畅;吴艳婷;李亚龙;胡晶晶;刘慧明;王飞;徐宁宁;吴强 -专利权人：生态环境部卫星环境应用中心
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：该方法融合卫星遥感信息与现场信息获取水源地环境风险源的更新数据，自动更新水源地环境风险源本底清单，形成真实的风险源清单，该清单可用于水源地环境整治、现场执法、现场督查。一方面充分发挥卫星遥感专题信息覆盖面广，空间定位准确的优势，省时省力，另一方面发挥现场核查时便于收集风险源各种属性信息及现场照片的优势。本发明可以生成全面反映水源地情况的真实风险源，全面反映水源地全域情况，风险源数据获取难度和成本更低，时效性好，提高了水源地环境风险源获取的便捷性、经济性、真实性，是可以用于水源地环境执法、环境监督的问题清单
饮用水水源地环境风险本底清单确定更新方法装置

[发明专利]图像传感器像素电路及其工作方法-CN201811286257.2有效
发明人：张琦 -专利权人：锐芯微电子股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：一种图像传感器像素电路及其工作方法，图像传感器像素电路包括：主光电二极管；附光电二极管；传输晶体管，传输晶体管的源级与主光电二极管连接，传输晶体管的漏极连接第一浮空扩散点；第一附加晶体管；第二附加晶体管；第一电容，第一电容具有第一端，第一端与第二源漏极连接且与第三源漏极连接；第二电容，第二电容具有第二端，第二端与第四源漏极连接且适于与附光电二极管电学连接；复位晶体管，复位晶体管的漏极与电源线连接，所述复位晶体管的源极连接第一浮空扩散点或第二源漏极
图像传感器像素电路及其工作方法

[发明专利]提交跨片事务的方法及系统、主链节点和源分片节点-CN202011515892.0有效
发明人：邓福喜;周知远;谢桂鲁;徐泉清;李康;杨达一 -专利权人：支付宝（杭州）信息技术有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：一种包含分片的区块链系统中提交跨片事务的方法及系统、主链节点和源分片节点。目标分片生成目标分片区块的过程中根据所述目标分片执行的跨片事务提交指令产生跨片事务提交响应，并将所述跨片事务提交响应发送至主链；主链生成主链区块的过程中，将接收到的跨片事务提交响应填入主链区块的区块体中；所述主链将所述跨片事务提交响应按照源分片的标识发送至对应的源分片中；所述源分片生成源分片区块的过程中，将接收到所述主链发来的跨片事务提交响应填入所述源分片区块的区块体中，并在本地提交执行所述跨片事务所产生的状态。
提交事务方法系统节点分片

[发明专利]一种等离子体脉冲电源-CN202010430267.X有效
发明人：张迪;刘贺;施凯敏;付明;朱洪雨 -专利权人：深圳航天科技创新研究院;深圳市航天新源科技有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H02M9/02 文献下载
摘要：Sub>in经DC/DC变换器转换为中间级母线电压Vm，所述中间级母线电压Vm同时作为第一脉冲电流源和第二脉冲电流源的输入端，用于产生两路具备相位关系的脉冲电流输出，其中，所述第一脉冲电流源中，由控制信号PWMA经过滤波电路转换为直流电平信号，并以该直流电平信号作为电流基准信号实现闭环控制；所述第二脉冲电流源为高压脉冲电流源，通过电感L进行瞬态功率储能，控制信号PWMB的脉冲宽度用于调整对应该高压脉冲电流源的峰值和能量。
一种等离子体脉冲电源