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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和制造其的方法-CN201910530743.2有效
  • 丁少锋;朴小螺;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-19 - 2023-10-20 - H01L23/00
  • 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体封装-CN202310240130.1在审
  • 卢宝仁;安正勋;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2023-03-10 - 2023-10-17 - H01L23/31
  • 一种半导体封装，包括：电路板；中介层结构，在电路板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在中介层结构上，该第一半导体芯片和该第二半导体芯片电连接到中介层结构并彼此间隔开；以及模制层，在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，该模制层将第一半导体芯片和第二半导体芯片分离。模制层的侧壁的斜率随着该侧壁远离中介层结构的上侧延伸而保持恒定，并且由模制层的底侧与模制层的侧壁限定的角小于或等于九十度。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体器件-CN201811255818.2有效
  • 朴正镒;安正勋;李峻宁 - 三星电子株式会社
  • 2018-10-25 - 2023-09-19 - H01L23/522
  • 公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：基板，包括有源电路区域和围绕有源电路区域的边界区域，边界区域包括基板的边缘部分；第一下部导电图案，设置在边界区域的基板上；以及第一上部导电图案，在第一下部导电图案上方连接到第一下部导电图案，其中，第一上部导电图案包括具有第一厚度的第一部分、具有大于第一厚度的第二厚度的第二部分、以及具有大于第二厚度的第三厚度的第三部分，并且第一上部导电图案的第三部分连接到第一下部导电图案。
  • 半导体器件
  • [发明专利]三维集成电路结构-CN202211181515.7在审
  • 丁少锋;金知炯;朴媛智;安正勋;吴在熙;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-27 - 2023-04-28 - H01L25/065
  • 公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层。
  • 三维集成电路结构
  • [发明专利]半导体封装-CN202211174591.5在审
  • 金庸镐;张宇镇;安正勋;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-26 - 2023-03-31 - H01L23/48
  • 提供了一种半导体封装，其包括：第一芯片基板，包括第一表面和第二表面；贯通通路，穿过第一芯片基板；上钝化层，在第一芯片基板的第二表面上包括沟槽，沟槽暴露第一芯片基板的第二表面的至少一部分；上焊盘，在沟槽上与贯通通路电连接；第二芯片基板，包括第三表面和第四表面；下焊盘，在第二芯片基板的第三表面上电连接到第二芯片基板；以及连接凸块，将上焊盘与下焊盘电连接并接触下焊盘，其中随着连接凸块变得更远离第一芯片基板的第二表面，连接凸块的宽度增加。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210164638.3在审
  • 朴正镒;安正勋;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2022-02-22 - 2022-10-21 - H01L23/528
  • 一种半导体器件，包括：第一导电下布线，被设置在第一金属层级并且沿第一方向延伸；第一上布线结构，被连接到所述第一导电下布线并且包括第一导电上布线和第一导电上过孔，其中，所述第一导电上布线被设置在比所述第一金属层级高的第二金属层级并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸；以及导电插入图案，被设置在所述第一导电下布线与所述第一上布线结构之间并且被连接到所述第一导电上过孔。所述导电插入图案的上表面在所述第一方向上具有第一宽度，并且所述第一导电上过孔的底表面在所述第一方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件-CN202111587859.3在审
  • 丁少锋;安正勋;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2021-12-23 - 2022-08-30 - H01L23/538
  • 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括逻辑单元区和连接区；在连接区上的虚设晶体管；在虚设晶体管上的中间连接层，中间连接层包括电连接到虚设晶体管的连接图案；在中间连接层上的第一金属层；在中间连接层和一部分第一金属层之间的蚀刻停止层，蚀刻停止层覆盖连接图案的顶表面；以及穿透接触，从第一金属层朝衬底的底表面延伸并穿透连接区。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202011271904.X在审
  • 丁少锋;姜旻局;金知炯;安正勋;刘海利;崔允基 - 三星电子株式会社
  • 2020-11-13 - 2021-08-06 - H01L27/092
  • 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN202010294116.6在审
  • 朴桭胡;丁少锋;方镛胜;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2020-04-15 - 2020-11-03 - H01L23/525
  • 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板；第一电极，包括第一孔；第一电介质层，在第一电极的上表面上和在第一孔的内表面上；第二电极，在第一电介质层上；第二电介质层，在第二电极上；第三电极，在第二电介质层上并包括第二孔；以及第一接触插塞，延伸穿过第二电极和第二电介质层并延伸穿过第一孔和第二孔。第一接触插塞的侧壁脱离与第一孔的侧壁和第二孔的侧壁的直接接触，并具有与第二电极的上表面相邻定位的台阶部分。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201911035178.9在审
  • 丁少锋;朴桭胡;方镛胜;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-10-29 - 2020-05-08 - H01L23/522
  • 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。
  • 半导体器件
  • [发明专利]半导体器件-CN201910491844.3在审
  • 丁少锋;安正勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-06-06 - 2020-03-10 - H01L23/522
  • 提供了一种半导体器件。更具体地，提供了包括通过简化工艺来改善静电容量的电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：限定第一沟槽的绝缘结构，所述绝缘结构位于衬底上；位于所述绝缘结构中的第一导电层，所述第一导电层的上表面的第一部分由所述第一沟槽暴露；电容器结构，所述电容器结构包括位于所述第一导电层上的第一电极图案、位于所述第一电极图案上的介电图案和位于所述介电图案上的第二电极图案，所述第一电极图案沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面以及所述绝缘结构的上表面延伸；以及位于所述电容器结构上的第一布线图案。
  • 半导体器件
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