专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接头的去毛刺装置-CN201510779715.6有效
  • 郑科辉 - 宁波星箭航天机械有限公司
  • 2015-11-13 - 2019-03-01 - B24B9/00
  • 本发明公开了一种三接头的去毛刺装置,包括皮带输送机构、上料机械手组件及抛光机构,皮带输送机构包括间隔设置的第一皮带及第二皮带,底座上横向设有与电机输出轴相连接的安装轴,安装轴上套合安装有用于对三接头的横向内进行去毛刺操作的第一毛刺刷;上料机械手组件用于将上料工位的三接头横向套合安装于第一毛刺刷上;皮带输送机构一侧还间隔设有多个用于对三接头的竖向内进行去毛刺操作的竖向去毛刺机构。本发明可自动对三接头的横向及竖向进行抛光去毛刺的操作,抛光效率高、效果好。
  • 三通接头内孔去毛刺装置
  • [发明专利]形成绝缘层的方法-CN201010618737.1有效
  • 周军 - 上海集成电路研发中心有限公司
  • 2010-12-31 - 2011-07-20 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种硅形成绝缘层的方法,该方法包括如下步骤:提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底,所述器件区域上形成有栅极结构,所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极,所述源极和漏极两侧形成有场隔离区,其中,所述源极和漏极已经完成离子注入工艺;在所述硅衬底和栅极结构表面覆盖阻挡层;在所述非器件区域或器件区域上依次光刻刻蚀所述阻挡层和硅衬底以形成硅;采用热氧化扩散的方法在硅内壁形成绝缘层,同时本发明提供的硅形成绝缘层的方法,既能完成在硅内壁形成绝缘层的工艺,又大大减小了由于热氧化扩散工艺中的温度参数对整个器件的影响。
  • 硅通孔内形成绝缘方法
  • [实用新型]一种止规检测装置-CN202121354781.6有效
  • 刘圣 - 无锡鑫圣智能装备有限公司
  • 2021-06-17 - 2022-01-28 - G01B3/50
  • 一种止规检测装置,包括:底板,底板表面一端固定连接有支撑板,支撑板一侧竖直固定连接有滑槽,滑槽内顶部和底部均固定连接有一号压缩弹簧,本实用新型具有以下优点:通过滑槽内的压缩弹簧使在使用止规时,止规始终处于滞空状态,避免端头和止端头与桌面接触受到损伤,也避免检测人员长时间手持止规,增加检测人员的劳动强度;通过打开放置板,按压滑杆,转动螺纹杆使其旋转进螺纹,再关闭放置板,便于将止规存放在放置仓,对端头和止端头进行防护,也避免止规本体上沾染灰尘,影响其使用寿命。
  • 一种内孔通止规检测装置
  • [实用新型]一种大载荷输电铜排-CN202223148177.5有效
  • 陈亚文;章家婷;张志鹏 - 芜湖市海源铜业有限责任公司
  • 2022-11-28 - 2023-02-17 - H01B5/02
  • 本实用新型公开了一种大载荷输电铜排,包括扁铜排主体,扁铜排主体的扁平面上设置有固定,扁铜排主体的内部沿着扁铜排主体的方向设置有两端贯穿的散热槽,散热槽以固定为中心对称设置,散热槽的横截面为椭圆形在扁铜排主体内部设置以固定为中心对称的散热槽,扁铜排主体周围空气流通时,其内部散热槽内部的空气也会一同流通,从表面和内部一同带走扁铜排主体的热量,相比现有技术可进一步降低扁铜排主体使用时的温度,从而进一步降低用电安全隐患
  • 一种内通孔大载荷输电
  • [发明专利]填充结构以及填充方法-CN201310524371.5在审
  • 康晓春 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-10-29 - 2015-04-29 - H01L23/532
  • 本发明揭示了一种填充结构,包括:半导体基底,所述半导体基底中具有;钨层,所述钨层位于所述半导体基底上,并覆盖所述;阻挡层,所述阻挡层位于所述钨层上,并覆盖所述;金属层,所述金属层位于所述阻挡层上,并填充所述。本发明还提供一种填充方法。由于所述钨层的填隙能力较强,在所述钨层上制备所述阻挡层时,较薄的所述阻挡层可以很好的覆盖所述,并且所述阻挡层的厚度均匀;当在所述阻挡层上再制备金属层时,所述金属层能很好的填充到所述中;另外,所述钨层的导电能力好于所述阻挡层的导电能力,并且所述阻挡层较薄,有利于提高的导电能力。
  • 填充结构以及方法
  • [发明专利]填充方法及填充装置-CN202210319015.9在审
  • 陈蓉;李易诚;曹坤;单斌;张净铭;严谨;齐子廉 - 华中科技大学
  • 2022-03-29 - 2022-07-12 - H01L21/768
  • 本发明涉及一种填充方法及填充装置,该填充方法包括以下步骤:在基体上刻蚀的底壁为第一表面,的侧壁为第二表面;使用ALD工艺将第一前驱体导向所述第一表面和所述第二表面以形成第一填充层;使用CVD工艺将第二前驱体导向所述以形成第二填充层。上述填充方法中,采用ALD工艺和CVD工艺结合的方法来填充,能同时兼顾填充质量和填充效率,能更好地满足尤其是高深宽比的的填充需要。
  • 填充方法装置
  • [发明专利]用治具及方法-CN202211261403.2在审
  • 陆贤文;王奕恒;濮威 - 常熟市华德粉末冶金有限公司
  • 2022-10-14 - 2022-12-27 - B23P9/02
  • 本发明公开了用治具及方法,用治具包括基座,基座具有放置,放置由弹簧、支撑块和锁紧块构成,支撑块为圆柱形,锁紧块为上大下小的圆台形,锁紧块、支撑块和弹簧上下分布;弹簧安装有弹簧,支撑块安装有支撑块,支撑块为圆柱形,支撑块中部具有芯棒避让,支撑块放置在弹簧上;锁紧块为与锁紧块对应的圆台形,锁紧块中部具有挤压,锁紧块由多块构成;时,将粉末冶金产品的颈部外径通过挤压锁紧,在时锁紧块沿锁紧块内壁的斜度向下滑动,锁紧块的多块拼合时受基座内壁约束挤压将颈部完全锁紧,保证在处理时颈部不会因为时向外的力而扩大。
  • 通孔用治具方法
  • [发明专利]刻蚀方法及掩膜-CN200710040254.6有效
  • 刘乒;沈满华;尹晓明 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-04-24 - 2008-10-29 - H01L21/311
  • 一种刻蚀方法,包括:提供刻蚀基底;在所述刻蚀基底上形成图形化的抗蚀剂层,所述图形化的抗蚀剂层暴露部分所述刻蚀基底;沉积辅助掩膜层,所述辅助掩膜层覆盖所述图形化的抗蚀剂层和所述图形化的抗蚀剂层暴露的部分所述刻蚀基底;刻蚀所述辅助掩膜层,以形成包含辅助掩膜的掩膜;利用所述掩膜刻蚀所述刻蚀基底,以形成。一种掩膜,包括:具有确定图形的抗蚀剂层,所述具有确定图形的抗蚀剂层暴露部分刻蚀基底;以及,辅助掩膜,所述辅助掩膜覆盖所述具有确定图形的抗蚀剂层的侧壁。在固有掩膜基础上,增加一辅助掩膜,以减小固有条件下掩膜的图形尺寸,利于利用所述掩膜形成具有扩展的尺寸极限的
  • 刻蚀方法通孔掩膜

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