专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体发光装置制造方法-CN201310258023.8有效
  • 滨崎浩史;小岛章弘;杉崎吉昭 - 株式会社东芝
  • 2010-08-02 - 2013-10-16 - H01L33/38
  • 根据一个实施方式,一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
  • 半导体发光装置制造方法
  • [发明专利]半导体发光装置制造方法-CN201010243804.6有效
  • 滨崎浩史;小岛章弘;杉崎吉昭 - 株式会社东芝
  • 2010-08-02 - 2011-03-23 - H01L21/78
  • 根据一个实施方式,一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。
  • 半导体发光装置制造方法
  • [发明专利]LSI封装及其装配方法-CN200710180718.3无效
  • 滨崎浩史;古山英人 - 株式会社东芝
  • 2004-02-18 - 2008-02-27 - G02B6/43
  • 在安置在安装板上的电路组件封装中,该电路组件有信号输入和输出端并被安装在插入器上。该插入器包括:电连接到电路组件的信号输入和输出端的第一信号端,把电路组件电连接到安装板的第二电连接端,电连接到第一信号端的内部连线,和电连接到内部连线的第一耦合部件。一个接口组件被提供并包括传输信号的信号传输线、和电连接到传输线的第二耦合部件。第二耦合部件分别被电和机械连接到第一耦合部件。
  • lsi封装及其装配方法

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