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[发明专利]虚拟测量先进工艺控制系统和设置方法-CN201010116662.7有效
发明人：蔡柏沣;曾衍迪;宋金宁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种虚拟测量先进工艺控制系统。在一实施例中，虚拟测量先进工艺控制系统包括工艺设备、测量设备与虚拟测量模块。工艺设备根据所接收的多个工艺输入，处理多个晶片；测量设备，用以测量至少一个晶片的特性，并且产生真实测量数据，其中晶片包括至少一个品管样品晶片；虚拟测量模块，用以为每一个晶片产生预估测量数据；以及先进工艺控制器，用以接受预估测量数据与真实测量数据，并且根据预估测量数据与真实测量数据，产生工艺设备的工艺输入。本发明的虚拟测量先进工艺控制系统在逐片晶片控制的基础上，更新或调整后的工艺参数毋需执行个别的测量步骤。本发明还提供一种虚拟测量先进工艺控制平台的设置方法。
虚拟测量先进工艺控制系统设置方法

[发明专利]一种NAND闪存及制备方法-CN201410550486.6有效
发明人：亢勇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于Gate Last金属栅工艺的二维NAND型闪存，采用金属栅工艺实现NAND单元的控制栅，而不是传统的多晶硅环绕控制栅，可以实现与高介电常数金属栅先进CMOS工艺的集成，与目前主流的Gate Last CMOS工艺兼容，克服了目前NAND闪存工艺无法与先进标准逻辑工艺兼容的问题。同时提出了如何在高介电常数金属栅先进CMOS工艺中实现高压DMOS器件的方法，以实现NAND闪存的擦写操作。
一种 nand 闪存制备方法

[发明专利]一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法-CN201810604582.2有效
发明人：钱洋洋;聂钰节 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应的方法，通过先进过程控制系统对前批次晶圆的晶粒数量进行数据收集，并根据收集的数据计算清洁工艺的工艺参数对反应腔室进行清洁，后批次晶圆在该反应腔室中等离子体刻蚀作业后，比较后批次晶圆中首片晶圆的沟槽形貌与目标形貌的差异，将比较结果反馈给先进过程控制系统，先进过程控制系统判断是否需要修正清洁工艺的工艺参数，若是，先进过程控制系统修正清洁工艺的工艺参数，采用修正后的工艺参数对反应腔室进行清洁
一种改善等离子体刻蚀工艺中首片效应方法

[发明专利]先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法-CN201910643441.6有效
发明人：曹鹏;杨泰;郭静静 -专利权人：东南大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F30/3312 文献下载
摘要：本发明公开了一种先进工艺和低电压下的集成电路统计时序分析方法，通过对先进工艺下集成电路的工艺参数波动情况进行仿真建模，基于低电压下集成电路延时与工艺参数间的关系建立电路时序统计模型，分析集成电路时序波动情况下的最大延时和最小延时与传统的静态时序分析方法相比，能够更准确的分析工艺参数波动下的电路延时分布情况，对于先进工艺和低电压下集成电路设计具有重要意义。
先进工艺压下集成电路统计时序分析方法

[发明专利]用于工艺感知维度目标的先进工艺控制-CN201710312573.1有效
发明人： P·亚申斯基;F·卡伦贝格;S·克兰普;R·席翁;R·泽尔特曼 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及用于工艺感知维度目标的先进工艺控制，揭示数种用于特定工艺的先进工艺控制(APC)的方法。在晶圆上进行特定工艺(例如，光刻或蚀刻工艺)以建立由特征组成的图案。进行此APC方法可最小化每次在相同晶圆的另一区域上或在不同晶圆上使用该特定工艺产生相同图案时每一个图案的维度变异。
用于工艺感知维度目标先进控制

[发明专利]湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法-CN201110441122.0无效
发明人：刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法蚀刻工艺的先进工艺控制方法，该方法包括以下步骤：通过测量装置测量，得到湿法蚀刻前膜的全图或线性膜厚度；减去湿法蚀刻后的目标膜厚度，确定实际的目标湿法蚀刻曲线；和根据所得实际的目标湿法蚀刻曲线确定蚀刻流程进行蚀刻
湿法蚀刻工艺先进控制方法

[发明专利]一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法-CN201510332958.5有效
发明人：景蔚亮;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件制作技术领域，具体涉及一种实现高电压集成CMOS器件的器件结构和制备方法，本发明通过深沟槽刻蚀工艺形成一种CMOS器件结构，实现了在先进工艺下无法实现高压驱动晶体管的难题，利用深沟槽隔离工艺实现立体栅结构晶体管，在先进工艺下增加了晶体管的实际沟道长度和栅绝缘层厚度，从而使晶体管能够在较高电压下正常工作，增强其电压驱动能力。本发明利用深沟槽隔离工艺实现高压CMOS器件的方法兼容标准CMOS工艺，工艺步骤简单，成本较低，面积小，可实现先进CMOS工艺集成高电压驱动的功能。
一种实现电压集成 cmos 器件结构制备方法

[发明专利]多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法-CN201610510996.X在审
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅栅极关键尺寸的先进控制方法，用于在多晶硅栅极薄膜结构进行工艺时对半导体设备进行工艺控制，包括：提供测试半导体图形控片，所述测试半导体图形控片用于模拟测试半导体设备的工艺参数；在所述半导体设备中对所述测试半导体图形控片进行测试半导体工艺；基于所述测试半导体工艺获得所述半导体设备的当前工艺参数；将所述当前工艺参数更新至先进工艺过程控制系统；所述先进工艺过程控制系统基于所述当前工艺参数控制所述半导体设备对多晶硅栅极薄膜结构进行工艺。本发明能够在半导体设备的工艺参数发生漂移的情况下，控制半导体工艺的稳定性，解决了不同批次间以及设备腔体维护保养前后的半导体工艺的稳定性问题。
多晶栅极关键尺寸先进控制方法

[发明专利]先进工艺控制的方法和装置-CN201010136008.2有效
发明人：蔡柏沣;曾衍迪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明提供一种先进工艺控制方法和装置，所述方法包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的本发明的技术方案有益于改善先进工艺控制的效能，并减少先进工艺控制的多重输入间的干扰。
先进工艺控制方法装置

[发明专利]利用一套提高机械密封不锈钢结构件制造材料利用率的新工艺方法-CN200510047783.X无效
发明人：马卫东 -专利权人：马卫东
申请日： 2006-02-01 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： B23P13/00 文献下载
摘要：一套提高机械密封不锈钢结构件制造材料利用率的新工艺方法是涉及其制造工艺方法的改进，本发明提供了一套机械密封利用率高，生产效率高，材料成本低，节约价值大的新工艺方法，本发明包括：1.设计了一套先进的工艺路线方法，2.采用了一套先进的现代的设备，3.设计配套了一系列的先进工艺装备，从而实现用一种原料可加工成五种以上不同规格不锈钢结构密封件，节约大量贵重不锈钢材料每年达几十亿元。
利用一套提高机械密封不锈钢结构件制造材料利用率新工艺方法

[发明专利]一种能有效提高先进高强钢钢板焊点强度的电阻点焊工艺-CN201710347688.4在审
发明人：赖瑞林;贺地求;吴昌平;林俊渊;刘杭琪 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B23K11/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种能有效提高先进高强钢钢板焊点强度的电阻点焊工艺，其目的是使焊点熔核直径和软化的热影响区范围同时得到增大，以达到提高先进高强钢点焊接头的力学性能。本方法采用的是双脉冲模式，具体工艺包括步骤一使用软规范脉冲I1，对先进高强钢钢板实现无飞溅第一次焊接；步骤二使用硬规范脉冲I2，对步骤一实现连接的焊点再一次加热融化，使焊点熔核直径进一步长大，同时使得热影响区软化的范围也进一步得到增大，足够大的焊点直径以及软化区能有效的大幅减缓先进高强钢点焊焊点服役受载过程中引起的结构应力集中，实现大幅提高先进高强钢钢板的焊点性能，并且该焊接工艺能完全消除先进高强钢电阻点焊的飞溅问题。
一种有效提高先进高强钢板强度电阻点焊工艺

[发明专利]用于半导体制造的先进工艺控制方法和系统-CN201010129593.3有效
发明人：曾衍迪;许志维;洪明永;范明煜;王若飞;牟忠一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明的一实施例提供一种先进工艺控制方法和系统，适用于半导体制造，其中控制方法包括：提供即将被半导体机台处理的目前晶片；提供半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的第一数据；将噪声自第一数据去耦合，用以产生第二数据；根据第二数据与目标数据的邻近程度，评估先进工艺控制执行效能；根据上述先进工艺控制执行效能，决定控制参数；以及根据控制参数，控制半导体制造机台，用以处理目前晶片。
用于半导体制造先进工艺控制方法系统

[发明专利]先进图形薄膜制程工艺中遮挡环安装位置的监测方法-CN202111273134.7在审
发明人：王雪新;韩晓刚;杨奕 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种先进图形薄膜制程工艺中遮挡环安装位置的监测方法，包括：通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域沉积的厚度判断先进图形薄膜制程工艺的遮挡环在圆周方向的安装位置是否准确；通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域之外的边缘区域的厚度是否一致判断遮挡环的在轴向方向的安装位置是否准确
先进图形薄膜工艺遮挡安装位置监测方法

[发明专利]基于相关性和高斯过程回归的设计空间参数迁移学习方法-CN202110259020.0在审
发明人：张萌;张峥;张倩茹;胡突传 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了基于相关性和高斯过程回归的设计空间参数迁移学习方法，包括：(1)合理地将相关性算法融入到不同工艺下的设计空间探索中，关联不同工艺下的评估目标的相关性；使得在先进工艺下的设计空间探索的时间大大减小，并且通过以前工艺下的最优化设计有效的找到先进工艺下的最优化设计。(2)利用高斯过程回归的输出为高斯过程的均值和方差的优点，用具有相关性的各个工艺下的数据来拟合高斯过程，并可以有效地输出先进工艺下的设计参数的概率分布。
基于相关性过程回归设计空间参数迁移学习方法

[发明专利]小型组合制粉工艺-CN93115604.1无效
发明人：周正田;彭国强;谢卫国;罗迪炎;张士涛;邓文海 -专利权人：湘潭市粮油机械成套设备实业公司
申请日： 1993-12-03 - 公布日： 1995-06-07 - 主分类号： B02B5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种面粉加工小型组合制粉工艺。解决小型面粉制作加工现状中存在的不能生产高精度粉、出粉率低等问题。主要工序包括平面回转筛分、去石、洗麦、擦麦、润麦、净麦，然后进入“四皮三心”磨粉步骤。“四皮三心”磨粉步骤是皮心分磨制粉工艺，由四道皮磨系统、三道心磨系统组成。工艺设计独特新颖先进灵活，工艺布局合理，结构紧凑。工艺设计单机设备和风网设计先进，生产成本低，工艺性能好。
小型组合制粉工艺

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