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[发明专利]一种氮化硅薄膜的形成方法-CN202310778905.0在审
发明人： 王雪新;韩晓刚;杨奕 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅薄膜的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底具有沟槽，所述沟槽内填充铜材料；对所述基底进行热处理；在所述基底的表面沉积形成氮化硅薄膜以作为铜溢出阻挡层，并控制所述氮化硅薄膜的应力为740Mpa～860Mpa。通过控制所述基底表面形成的所述氮化硅薄膜的应力为740Mpa～860Mpa，能够有效减少铜材料由于受热膨胀而产生的小丘缺陷，进而提高产品的良率。
一种氮化薄膜形成方法

[实用新型]一种钢结构斜叉柱定位偏差测量装置-CN202220180324.8有效
发明人：杜海明;周一凡;黄小星;龙江;何沛林;王雪新;李程林 -专利权人：中建八局第一建设有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢结构斜叉柱定位偏差测量装置，包括组合机构、滑动机构和弹性机构，所述组合机构的内部边侧设置有滑动机构，且滑动机构的边侧设置有弹性机构，所述组合机构包括框架、磁石、锁紧装置和水平仪，且框架的上下两侧设置磁石，所述框架的左侧中部设置有锁紧装置，所述锁紧装置的边侧底端设置有水平仪。该钢结构斜叉柱定位偏差测量装置，框架的表面设置有刻度条，同时框架呈L型状，在测量时利用水平仪进行对比是否处于同一平面，随后框架的上下两侧设置有磁石，可将其吸附在钢结构立柱上，方便进行数据记录，内部延伸板的设置可以延长框架的测量距离，两者相互配合可实时记录位置更新竖直距离。
一种钢结构斜叉柱定位偏差测量装置

[实用新型]一种拆撑转换时的底板应力监测系统-CN202220046657.1有效
发明人：杜海明;王顺;蔡鑫敏;陈达;苏应衍;龙江;王雪新 -专利权人：中建八局第一建设有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及建筑施工技术领域，具体为一种拆撑转换时的底板应力监测系统,包括：吊杆，吊杆的表面固定安装有连接套，连接套的中心对称位置滑动套接有夹环；连接块，连接块呈“匚”型结构，连接块的内部弹性设置有延伸板；固定套，固定套呈“匚”型结构，固定套的一侧设置有闭合板，闭合板通过连接轴铰接在固定套的一侧；有益效果为：本实用新型提出的一种拆撑转换时的底板应力监测系统，将固定套套在横梁上，在拆除支持结构时，内支撑横梁如果掉落，拉动固定套向下移动，固定套在下移时，会带动连接块向下移动，从而蜂鸣报警器下移，当蜂鸣报警器下移时与接电端子接触后，接电端子将与蜂鸣报警器底部的电路接通，此时蜂鸣报警器发出警报声。
一种转换底板应力监测系统

[发明专利]遮蔽环位置监测方法及其监测系统-CN201910914992.1有效
发明人： 王雪新;钟飞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体生产先进图形薄膜制程遮蔽环位置监测方法，包括建立用于标记晶圆缺口位置的直角坐标系；标记晶圆缺口在所述直角坐标系中的坐标范围；沉积薄膜；在晶圆缺口坐标范围内测量薄膜厚度；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度等于零，则判断遮蔽环位置准确；若晶圆缺口坐标范围内薄膜厚度大于零，则判断遮蔽环位置不准确，进行遮蔽环位置校准。本发明还公开了一种用于半导体生产先进图形薄膜制程遮蔽环位置监测系统。本发明能及时发现并解决遮蔽环位置偏移问题，避免晶圆缺口附近产生缺陷丛。
遮蔽位置监测方法及其系统

[发明专利]先进图形薄膜制程工艺中遮挡环安装位置的监测方法-CN202111273134.7在审
发明人： 王雪新;韩晓刚;杨奕 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种先进图形薄膜制程工艺中遮挡环安装位置的监测方法，包括：通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域沉积的厚度判断先进图形薄膜制程工艺的遮挡环在圆周方向的安装位置是否准确；通过量测先进图形薄膜在晶圆的对准标记区域之外的边缘区域的厚度是否一致判断遮挡环的在轴向方向的安装位置是否准确。本发明能够在圆周方向和轴向方向上完整地监测遮挡环的安装位置是否准确，具有监测的实时性、快速性、完整性和准确性。
先进图形薄膜工艺遮挡安装位置监测方法