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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电梯内保护结构-CN202011412290.2在审
发明人：杨洪文 -专利权人：杨洪文
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电梯内保护结构，包括轿厢，轿厢设置于电梯井内，轿厢内壁面上开设有一个以上的通孔，每个通孔的内侧端均设置一台阶面，每个通孔内均穿过设置一弹性杆，弹性杆内部设置有一个中空腔，中空腔远离轿厢一端开口，并装入一弹性伸缩杆，所述中空腔内固定设置有第一弹簧，第一弹簧的一端与中空腔底面连接固定；本发明的电梯结构，在不减少轿厢内部空间的情况下，大大提升了轿厢内部的安全性，防止运载的货物撞击轿厢内壁而出现的轿厢内部被破坏的情况，同时这些保护结构在紧急时刻可以作为电梯的安全保护使用，降低电梯在快速下坠时的速度，增加紧急制动能力。
电梯保护结构

[发明专利]电池过热保护结构-CN202011639194.1在审
发明人：陈本骏 -专利权人：陈本骏
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01M50/581 文献下载
摘要：本发肯涉及电池过热保护设备技术领域，且公开了电池过热保护结构，包括外壳，所述外壳内腔的底部固定安装有电池本体，所述电池本体的顶部固定安装有温度测量盘，所述温度测量盘的一侧开设有移动孔，所述电池本体上的指针的一侧固定安装有位于移动孔内腔的移动板该电池过热保护结构，通过电池本体的顶部设有温度测量盘、移动孔和移动板，当电池本体长时间使用后，温度升高，温度测量盘上的指针旋转，带动移动板在移动孔的内腔里旋转，使得移动板与推板接触推动推板向一侧移动，推杆触碰到电池控制按钮和电机控制按钮
电池过热保护结构

[发明专利]静电保护结构-CN202211045794.4在审
发明人：范炜盛 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电保护结构，包括：半导体衬底，具有第一阱区及与所述第一阱区相邻设置的第二阱区；第一掺杂区，形成于所述第一阱区及所述第二阱区交界处的表层中；第二掺杂区，形成于所述第一阱区的表层中；第三掺杂区通过本发明解决了现有的SCR静电防护结构维持电压偏低，易发生闩锁效应的问题。
静电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN202111443893.3在审
发明人：梁旦业 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电放电保护结构。该静电放电保护结构中，衬底具有第一导电类型；源极区和漏极区均具有与第一导电类型相反的第二导电类型，且间隔设置在衬底中；栅极结构设置在源极区和漏极区之间的衬底上；浮空设置的第一掺杂区具有第一导电类型，设置在漏极区的远离栅极结构的一侧的衬底中，且与漏极区间隔设置，第一掺杂区的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度；源极区和栅极结构共同电连接至第一电位端，漏极区电连接至第二电位端。增加第一掺杂区能够降低静电放电保护结构的寄生NPN晶体管的集电结的雪崩击穿电压，有助于降低静电放电保护结构的触发电压。
静电放电保护结构

[发明专利]电机的保护结构-CN202211099401.8在审
发明人：王海涛 -专利权人：贵州轻工职业技术学院
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H02K5/24 文献下载
摘要：本发明提供电机的保护结构，涉及保护结构领域，包括：底座通过四个第一固定螺栓固定连接在工作台上；底座顶端面通过四个第二固定螺栓固定连接有伺服电机；所述底座顶端面与伺服电机底端面接触，底座顶端面呈线性阵列状开设有辅助槽因底座顶端面对称焊接有两块防护板，两块防护板分别位于伺服电机的左侧和右侧位置，两块防护板的顶端面高于伺服电机的顶端面，两块防护板共同组成了伺服电机的防护结构，在使用过程中当重物砸向伺服电机时通过两块防护板可实现拦截，解决了现有装置不能够实现电机的缓冲保护以及电缆的拉扯保护相互结合，在实现电机缓冲保护和电缆拉扯保护时需要使用两个不同的结构实现，增加了成本和结构对空间的占用的问题。
电机保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201410027721.1有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括P型衬底；位于所述P型衬底内的N型阱区和P型阱区，所述N型阱区和所述P型阱区相邻并接触；位于所述N型阱区内的第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，所述第一N型掺杂区和所述第一P型掺杂区耦接于静电放电输入端本发明技术方案提供的静电放电保护结构的维持电压较大，有利于避免闩锁效应。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310232133.7有效
发明人：甘正浩;霍晓;张莉菲;代萌;俞少峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括P型衬底，位于所述P型衬底内的触发三极管和可控硅结构；所述可控硅结构包括位于所述P型衬底内的第一N型阱区和P型阱区，所述第一N型阱区和P型阱区相邻且相接触，位于所述第一N型阱区内的第一所述静电放电保护结构利用触发电压较低的触发三极管进行辅助触发，使得所述静电放电保护结构的触发电压较低。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310295934.8有效
发明人：温詠儒;王畅资;唐天浩 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：静电放电保护结构，包括基底、接点区、第一金属氧化物半导体元件、第二金属氧化物半导体元件、第一掺杂区以及第二掺杂区。接点区位于基底中。第一金属氧化物半导体元件包括具有第一导电型的第一漏极区，位于基底中。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310259916.4有效
发明人：霍晓;张莉菲;甘正浩;代萌;俞少峰;严北平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括位于衬底内的阱区，阱区内具有第一导电类型的掺杂离子，阱区与接地端电连接；位于衬底内的第二掺杂区，第二掺杂区位于阱区表面，第二掺杂区内具有第二导电类型的掺杂离子，第二掺杂区的掺杂浓度高于阱区的掺杂浓度该静电放电保护结构的击穿电压低，保护能力提高。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310193679.6有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于所述半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述半导体衬底内的第一连接区和第一N型阱区，所述第一N型阱区位于所述第一连接区和NMOS晶体管之间；所述第一
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310193680.9有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-22 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括半导体衬底；位于半导体衬底表面的平行排列的若干个N型横向扩散场效应晶体管；位于半导体衬底内的P型体区，P型体区内具有源极、沟道区和体区连接区，体区连接区位于每一个N型横向扩散场效应晶体管靠近源极的外侧多个LDMOS晶体管连接在一起作为静电放电保护结构，不仅提高了静电放电能力，且各个寄生三极管能同时开启，提高了静电放电保护结构的导通均匀性。
静电放电保护结构

[发明专利]静电放电保护结构-CN201310113685.6有效
发明人：甘正浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构，包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述P型半导体衬底内的连接区和N型阱区，所述N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间；所述N型阱区至少位于所述连接区和NMOS晶体管之间，当外界静电脉冲产生的静电电压施加到所述静电放电输入端时，所述N型阱区会将NMOS晶体管的衬底电压提升，使得NMOS晶体管的源极和衬底很容易开启，有利于提高静电放电保护结构的导通均匀性，提高静电保护能力。
静电放电保护结构

[发明专利]电缆保护连接结构-CN201010228606.2有效
发明人：梁云清;顾永辉;李想;徐继安 -专利权人：梁云清
申请日： 2010-07-16 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种电缆安全装置，特别涉及一种具有缓冲作用的电缆保护连接结构，解决了电缆的固定处容易磨损、且固定处的电缆和固定装置的相对运动对电缆产生拉扯的问题。本装置包括电缆、固定扣，电缆穿过固定扣，其特征在于：电缆和固定扣之间有间隙，电缆和固定扣之间设有弹性材料制成的保护夹片，保护夹片环绕在电缆壁上，保护夹片的两端分别位于固定扣的两侧，且保护夹片的两端向外鼓起本发明对电缆进行保护使电缆壁不易磨损；固定扣拉动电缆运动时通过保护夹片缓冲，对电缆的瞬间拉力小，不易扯断电缆。
电缆保护连接结构

[发明专利]燃料管路保护结构-CN201810713281.3有效
发明人：佐佐木卓巳 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： F02M37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料管路保护结构。该燃料管路保护结构包括：基座，其包括基座主壁、撑条和基座延伸壁，基座主壁附接于限定发动机室的一部分的车身壁并且竖直延伸，撑条固定于基座主壁以保持燃料管路，基座延伸壁从基座主壁的上部部分在背离车身壁的方向上延伸
燃料管路保护结构

[发明专利]高压ESD保护结构-CN201410057652.9有效
发明人：朱伟民;梅海军;马晓辉 -专利权人：无锡市晶源微电子有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了高压ESD保护结构，属于半导体静电保护的技术领域。高压ESD保护结构，包括：P衬底，扩散在P衬底内部的BN埋层，形成于BN埋层上表面的P外延层，制作在在P外延层上的NMOS管，P外延层上有若干N阱，每两个相邻的N阱与P外延层围成一个NMOS管的制作区域本发明涉及的高压ESD保护电路具有较强的电流泄放能力和耐压能力，同时又具有较高的触发电压和维持电压，使得集成电路在工作时即使遇到异常状态也不会发生闩锁现象，大大提高了电路的可靠性。
高压 esd 保护结构

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