“保护结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果11271313个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]静电保护结构和静电保护电路-CN201911263997.9在审
发明人：雷玮;李宏伟;程惠娟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种静电保护结构和静电保护电路，所述静电保护结构用于对耐压容忍电路提供静电保护，所述耐压容忍电路包括：电源电压端，用于加载电源电压；外接输入端，用于接收外部电压信号；所述电源电压端和外接输入端之间连接有第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管的掺杂区形成在衬底的同一阱区中；所述静电保护结构包括：第一静电释放响应电路，连接于电源电压端和阱区之间，用于在电源电压端向外接输入端释放静电时，触发电源电压和阱区之间静电释放通路本发明能优化静电保护效果。
静电保护结构电路

[发明专利]静电保护结构、静电保护电路、芯片-CN202011538427.9在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、静电保护电路、芯片，该静电保护结构包括半导体衬底、第一N型阱、第一P型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部。该静电保护结构具有较小的触发电压。
静电保护结构电路芯片

[发明专利]静电保护结构、静电保护电路、芯片-CN202210363811.2在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路、静电保护结构、芯片，静电保护电路包括：第一PNP型三极管、第一NPN型三极管、控制电路，第一PNP型三极管的发射极连接第一信号端，基极连接第一节点，集电极连接第二节点该静电保护电路具有较高的稳定性。
静电保护结构电路芯片

[发明专利]静电保护结构、静电保护电路、芯片-CN202210363798.0在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护电路及结构、芯片，静电保护结构包括半导体衬底、位于半导体衬底内的第一N型阱、第二N型阱、第一P型阱，以及位于第一P型阱内的第一P型掺杂部、第一N型掺杂部、第二N第一P型阱位于第一N型阱和第二N型阱之间；第三N型掺杂部、第一P型掺杂部、第四N型掺杂部电连接，第二P型掺杂部、第二N型掺杂部连接静电保护结构的第一信号端，第一N型掺杂部、第三P型掺杂部连接静电保护结构的第二信号端该结构可实现双向释放静电。
静电保护结构电路芯片

[发明专利]静电保护结构及静电保护电路-CN202110731911.1在审
发明人：张英韬;毛盼;刘俊杰;朱玲欣;宋彬;许杞安;吴铁将 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护结构及静电保护电路，静电保护结构包括：第一导电类型的阱区、第二导电类型的阱区、第一导电类型的第一掺杂区、第一导电类型的第二掺杂区、第二导电类型的第一掺杂区、第二导电类型的第二掺杂区上述静电保护结构中的第二导电类型的第二掺杂区、第一导电类型的第一掺杂区及检测电阻构成电压检测电路，能够实现更低电压的触发，实现更好的ESD保护，同时不会浪费过多的版图面积。
静电保护结构电路

[发明专利]静电保护结构及静电保护电路-CN202210021740.8在审
发明人：张英韬;毛盼;刘俊杰;朱玲欣;宋彬;许杞安;吴铁将 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种静电保护结构及静电保护电路，静电保护结构包括：可控硅结构及触发结构；可控硅结构包括：第二导电类型的阱区、第一导电类型的第一阱区、第一导电类型的第一掺杂区及第二导电类型的第一掺杂区；触发结构包括上述静电保护结构可以削弱SCR器件中寄生晶体管的正反馈，提高了器件的抗闩锁能力，实现了更强的保护能力，增强了电路的可靠性。
静电保护结构电路

[发明专利]静电保护电路和静电保护结构-CN202110955199.3在审
发明人：许杞安 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供一种静电保护电路、静电保护结构。静电保护电路包括第一子电路，第一子电路包括：第一触发电路，包括第一二极管和第二二极管；第二触发电路，包括第三二极管和晶体管；可控硅电路，包括PNP型三极管和NPN型三极管；其中，第一二极管的正极连接静电保护电路的阳极，第一二极管的负极连接第二二极管的正极，第二二极管的负极连接静电保护电路的阴极；第三二极管的正极连接阳极，第三二极管的负极电连接晶体管的漏极，晶体管的源极和栅极连接阴极；PNP型三极管的发射极连接阳极，本公开实施例的静电保护电路和静电保护结构具有更高的静电保护能力和更小的制造尺寸。
静电保护电路结构

[发明专利]静电保护结构及静电保护电路-CN201310106740.9有效
发明人：欧阳雄;翁文君;程惠娟;陈捷;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电保护结构和静电保护电路，所述静电保护结构，包括位于第一N型阱区的第一区域内的PMOS晶体管，源区和栅极与电源端相连接，漏区与输入输出接口端相连接；位于第一N型阱区的第二区域内的第一基区掺杂区，与外部触发电压调整电路的相连接静电保护结构的静电释放的路径增多，静电释放的效率提高。
静电保护结构电路

[发明专利]静电保护结构及静电保护电路-CN201310105961.4有效
发明人：欧阳雄;翁文君;程惠娟;陈捷;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-28 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电保护结构和静电保护电路，所述静电保护结构，包括：位于第一N型阱区的第一区域内的PMOS晶体管，PMOS晶体管的源区和栅极与电源端相连接，PMOS晶体管的漏区与输入输出接口端相连接；位于第一N型阱区的第二区域内的第一基区掺杂区静电保护结构的静电释放的路径增多，静电释放的效率提高。
静电保护结构电路

[发明专利]ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法-CN202110010268.3有效
发明人：袁野;詹奕鹏;蔡信裕;柯天麒;陈建铨;蒲源 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种ESD保护电路、ESD保护结构及其制造方法，其中，所述ESD保护结构的制造方法包括：提供一基底，且所述基底上形成有浅沟槽隔离结构；在基底中形成第一掺杂类型的阱和与其相邻的第二掺杂类型的阱；在所述第一掺杂类型的阱中形成第一注入区，所述第一注入区为第一掺杂类型；在所述第二掺杂类型的阱中形成第二注入区和第三注入区，所述第二注入区和第三注入区被所述浅沟槽隔离结构隔离，且所述第二注入区为第二掺杂类型通过上述方法制备的ESD保护结构能够阻断寄生BJT的触发，从而避免闩锁效应发生，解决系统级ESD失效的问题。
esd 保护电路结构及其制造方法

[发明专利]静电放电保护结构及静电放电保护电路-CN201910012536.8有效
发明人：谷欣明;程惠娟;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构及静电放电保护电路，结构包括：基底，具有两个平行排列且相隔离的漂移区；位于每个漂移区中的LDMOS晶体管，包括栅极结构、位于栅极结构一侧漂移区内的体区和位于栅极结构两侧的源区和漏区，栅极结构横跨漂移区和体区交界表面；两个漂移区内的源区均相连接；栅极结构与对应的源区相连接；体区与外围频率检测电路相连接，外围频率检测电路检测到静电放电信号时拉高体区电位；一个漂移区中漏区均与静电放电输入端相连接本发明实施例避免静电放电保护结构所保护的芯片正常工作时负压信号在静电放电保护结构中电流发生倒灌的问题，且提高了静电放电保护结构的静电放电保护能力。
静电放电保护结构电路

[发明专利]静电放电保护结构及静电放电保护电路-CN201910012538.7有效
发明人：谷欣明;程惠娟;李宏伟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构及静电放电保护电路，结构包括：基底，具有两个平行排列且相隔离的漂移区；LDMOS晶体管，位于每一个漂移区中，包括位于基底上的栅极结构、位于栅极结构一侧漂移区内的体区、以及分别位于栅极结构两侧的源区和漏区，栅极结构横跨漂移区和体区交界表面，源区位于体区内，漏区位于漂移区内，体区与源区相连接；两个漂移区内的源区相连接；一个漂移区内的漏区与静电放电输入端相连接，另一个漂移区内的漏区与接地端相连接。本发明有利于泄放静电放电输入端为负压或正压时的静电电流、避免静电放电保护结构所保护的芯片正常工作时负压信号在静电放电保护结构中的电流倒灌，减小静电放电保护结构所占的芯片面积。
静电放电保护结构电路

[发明专利]光纤耦合器保护结构及其保护方法-CN94100528.3无效
发明人：笹冈英资;菅沼宽;服部知之;滝本弘明 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 1994-01-20 - 公布日： 1998-05-13 - 主分类号： G02B6/287 文献下载
摘要：本发明涉及一种由多个光纤的裸露光纤部分制成的光纤耦合器的保护结构，其中裸露光纤部分是通过剥去多个光纤的包皮而形成的，包括一个由具有光纤相同热膨胀系数的材料构成的盒子并具有容纳光纤耦合器的空间，以及光纤支撑部分
光纤耦合器保护结构及其方法

[实用新型]一种环保护栏立柱保护结构-CN202023320047.6有效
发明人：刘磊 -专利权人：苏州朗建塑胶科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： E04H17/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种环保护栏立柱保护结构，其包括支撑柱和套设在支撑柱外的一个或多个保护件，支撑柱由金属材质制成，保护件由塑料材质制成，支撑柱为中空圆柱结构；每一个保护件包括沿支撑柱周向分布的四个支撑部，每相邻两个支撑部之间设有弧形连接部，连接部上设有沿其长度方向延伸的定位凸出；每一个支撑部包括三个相连接的侧壁，每一个支撑部的相邻两个侧壁的连接处外设有沿保护件长度方向延伸的导向凸起，导向凸起与护栏立柱的内侧壁之间的接触为线接触。本实用新型设计的环保护栏立柱保护结构，支撑柱和保护件组装简单快捷，稳固性高，增强护栏立柱的强度，提高护栏立柱的抗冲击能力，并降低成本，节约环保。
一种环保护栏立柱保护结构

[实用新型]一种气体保护焊枪的保护结构-CN202120212467.8有效
发明人：李叶平;何啸天;刘晋 -专利权人：常州威马焊切器材有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气体保护焊枪的保护结构，包括气体保护焊枪结构，气体保护焊枪结构包括焊枪管、焊枪头、焊枪嘴、手持部、防护结构、调节结构、保护罩、防护板和防爆隔热膜，通过设置握把，可通过握住握把双手操作，可以帮助操作者很好的定位焊枪的位置，通过设置滤光镜，可以过滤焊枪焊接时发出的电火光，进而达到防护施焊人员的目的，减轻了施焊人员的操作负担，提高了焊接效率，调节结构的设置，便于保护罩的位置调整，使用方便，保护罩的设置，可有效避免操作时产生的强光与火花影响生产，防护板的设置，可以减少外界环境对焊枪进行干扰，提高焊缝的焊接质量，防爆隔热膜的设置，可以阻挡飞溅、高温，延长了装置的使用寿命。
一种气体保护焊枪结构