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[实用新型]侧定位线缆盘具-CN201822018089.0有效
发明人：杜杰 -专利权人：江苏拓源电力科技有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B65H75/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种侧定位线缆盘具，包括：主盘轴，主盘轴呈空心筒体设置，主盘轴的两端布置有第一盘架和第二盘架，第一盘架的外侧布置有第一定位圆盘，第二盘架的外侧布置有第二定位圆盘，第一盘架布置在第一定位圆盘的第一定位槽中通过上述方式，本实用新型侧定位线缆盘具将盘架的转动范围限制在了定位槽内部，能够对盘架的转动路径进行限位，在线路施工的放线过程中可以保证盘架的稳定转动，保证放线过程的连续稳定，提高放线速度，加快和保证施工效率
盘架定位圆盘主盘轴本实用新型第二定位槽第一定位槽定位线缆放线过程周向转动盘具范围限制空心筒体施工效率稳定转动线路施工转动路径定位槽保证对盘将盘限位转动

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110350105.X有效
发明人：崔兆培;朱柄宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底的上表面形成位线阵列，位线阵列包括若干条间隔排布的位线，且位线之间通过支撑图形相连接，支撑图形沿位线排布的方向贯穿位线阵列；于位线的侧壁形成位线侧墙，位线侧墙包括由内至外依次叠置的第一侧墙介质层、牺牲层及第二侧墙介质层，位线侧墙与位线构成位线结构；去除部分支撑图形以暴露牺牲层；去除牺牲层，以于第一侧墙介质层及第二侧墙介质层之间形成空气间隙。本发明提供的半导体结构的制备方法，通过在导电材料间形成空气间隙(Air Gap)，空气间隙的形成能够进一步减少介电常数，从而减少位线结构之间的寄生电容，提高半导体器件性能。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]用于静态随机存取存储器（SRAM）的写入方案-CN201910061789.4有效
发明人：胡晓莉;赵薇;浦浩 -专利权人：马维尔亚洲私人有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括写入驱动器电路的结构，该写入驱动器电路被配置为驱动真位线侧和补位线侧两者向上至电源以及向下至接地，使得真位线侧和补位线侧中的一者被驱动至接地，并且在真位线侧和补位线侧中的一者被驱动至接地的同时且在真位线和补位线中的一者的低于电源的电平的预充电之前，使得真位线侧和补位线侧中的另一者被驱动到高电平。
用于静态随机存取存储器 sram 写入方案

[发明专利]存储器及其形成方法-CN201711295945.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：利用依次设置在位线传导层上的位线保形层、位线分隔夹层和位线掩蔽层构成位线传导层的侧墙隔离结构，并且由于位线分隔夹层的介电常数低于位线保形层和位线掩蔽层的介电常数，从而可相应地减小位线传导层的侧墙隔离结构的介电常数，即相当于形成在相邻的位线传导层之间的介质材料的介电常数较小，从而可有效降低相邻的位线传导层之间的耦合电容，避免相邻的位线传导层相互串扰的问题，有利于实现存储器尺寸的缩减。
存储器及其形成方法

[实用新型]存储器-CN201721699825.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：利用依次设置在位线传导层上的位线保形层、位线分隔夹层和位线掩蔽层构成位线传导层的侧墙隔离结构，并且由于位线分隔夹层的介电常数低于位线保形层和位线掩蔽层的介电常数，从而可相应地减小位线传导层的侧墙隔离结构的介电常数，即相当于形成在相邻的位线传导层之间的介质材料的介电常数较小，从而可有效降低相邻的位线传导层之间的耦合电容，避免相邻的位线传导层相互串扰的问题，有利于实现存储器尺寸的缩减。
位线传导层介电常数存储器侧墙隔离分隔夹层保形层掩蔽层本实用新型介质材料依次设置耦合电容在位线串扰减小

[实用新型]一种车位夜间提醒装置-CN201821886661.9有效
发明人：桑英然 -专利权人：桑英然
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G08G1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车位夜间提醒装置，包括侧车位线、后车位线、反光带、第一感应器、第二感应器、指示柱和指示牌，所述侧车位线设置有两组，所述后车位线设置有一组，平行设置的两组所述侧车位线和一组所述后车位线构成U型停车区域，停车区域内安装有第一感应器和第二感应器，两组所述侧车位线上设置有竖直的指示柱，两组所述侧车位线上涂抹有反光带，所述后车位线处安装有指示牌。
车位感应器两组提醒装置停车区域反光带指示牌指示柱车主本实用新型平行设置空车竖直涂抹

[发明专利]存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法-CN201810072900.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种存储元件的位线的制作过程、存储元件及其制作方法。该制作过程包括：提供基底，基底包括半导体衬底以及隔离结构，基底的上表面包含源区的源极表面及绝缘隔离面；在基底的上表面沉积位线接触层及位线导体层；依照位线图案刻蚀去除在位线图案外的部分位线导体层与位线接触层，露出半导体衬底的部分上表面形成为位线导体，刻蚀位线导体层的过程包括主刻蚀步骤及过刻蚀步骤，主刻蚀步骤形成位线接触，在过刻蚀步骤中，位线接触残留物以侧蚀控制的刻蚀气体去除，刻蚀气体包含溴化氢和氧气。该制作过程可以缓解或消除位线接触的侧蚀，避免了位线接触发生较严重的侧蚀而导致的阻值偏高的问题，保证了存储元件具有较快的响应速度等性能。
存储元件制作过程及其制作方法

[实用新型]一种集装箱式配电柜综合控制系统-CN201720902395.3有效
发明人：李进和 -专利权人：河南顺晟电气有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H02B1/30 文献下载
摘要：一种集装箱式配电柜综合控制系统，集装箱内靠近门的地面上设置长方形的总控制器标位线，由总控制器标位线至集装箱内部的地面上依次设置出线柜标位线、馈线柜标位线、进线柜标位线，总控制器标位线、出线柜标位线、馈线柜标位线、进线柜标位线的中心均设置矩形的地坑，地坑上方的集装箱地面上设置矩形的地坑盖板，所有地坑的一侧至集装箱一侧边缘之间均设置出线管，出线柜标位线、馈线柜标位线、进线柜标位线的地坑另一侧与总控制器标位线内的地坑另一侧之间设置汇总接线管
一种集装箱式配电柜综合控制系统

[发明专利]显示面板及显示装置-CN201910359365.6有效
发明人：李东华;魏晓丽;周秀峰;沈柏平 -专利权人：厦门天马微电子有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明公开一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，包括相对的第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底、第一电位线和第二电位线、位于第一电位线和第二电位线朝向第二基板一侧的至少一条第三电位线，第三电位线与第一电位线和第二电位线之间由第一绝缘层隔离；在显示区同一侧的非显示区中，第一绝缘层包括第一挖槽和第二挖槽；第一电位线接收正电压，第二电位线接收负电压，第三电位线接收基准电压；第一电位线和第三电位线在第一挖槽形成第一电场，第二电位线和第三电位线在第二挖槽形成第二电场；框胶，框胶靠近显示区一侧的边缘与显示区之间形成第一间隔。
显示面板显示装置

[实用新型]屏蔽组合换位导线绕包前导入装置-CN201320768184.7有效
发明人：董树林;赵云超 -专利权人：天津经纬电材股份有限公司
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种屏蔽组合换位导线绕包前导入装置，包括导入模板上压板、换位线导入侧模板、高强度内六螺栓、换位线入端导向辊、换位线导入底模板、高度可调立柱、高度调整旋转盘、固定底座及定位手柄；所述换位线导入底模板水平设置于高度可调立柱顶端，其上表面两侧对应设有换位线导入侧模板，位于换位线导入侧模板上方对应设置导入模板上压板；对应各换位线导入侧模板的导入端，分别设有的换位线入端导向辊固定于换位线导入底模板的两角位置；所述高度可调立柱同心套设于固定底座上部
屏蔽组合换位导线绕包前导入装置

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子设备-CN202010718703.3在审
发明人：郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件及其制造方法和电子设备，涉及半导体技术领域，以解决刻蚀位线时会刻蚀帽层，使后续在位线周围形成的侧墙所占空间变大，散布变差，同时容易形成侧墙拖尾结构的问题。所述半导体器件包括：衬底，具有单元区域、外围区域以及位于单元区域和外围区域之间的隔断区域；帽层，帽层覆盖单元区域和隔断区域；位于单元区域的位线接触结构，位线接触结构贯穿帽层；位于单元区域的位线，位线形成在位线接触结构上；以及形成在位线接触结构与位线之间的侧墙成形控制层。
一种半导体器件及其制造方法电子设备

[发明专利]一种位线泄漏电流、灵敏放大器及存储器的控制电路-CN202210412408.4在审
发明人：彭春雨;郑好;卢文娟;高珊;郝礼才;赵强;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁 -专利权人：安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：本发明公开了一种位线泄漏电流、灵敏放大器及存储器的控制电路，包括由8T SRAM存储单元构成的存储阵列和具有对称结构的四输入灵敏放大器，存储阵列的两对传输管分别与主位线对和副位线对连接；一列存储单元中连接同一侧存储节点的一根主位线和一根副位线分别与所述四输入灵敏放大器两侧的一个输入端连接，其中：所述四输入灵敏放大器中已与副位线连接的一侧的输入端与另一根主位线连接，已与主位线连接的一侧的输入端与另一根副位线连接。该电路结构在不增加更多控制信号的情况下，能够实时地检测并补偿位线泄漏电流；在位线泄漏电流很大的情况下，依然能够读出正确的数据，有很稳定的性能。
一种泄漏电流灵敏放大器存储器控制电路

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202010988655.X在审
发明人：程明;金星;李冉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底、位于所述基底上的位线结构以及位于所述位线结构相对两侧的电容接触孔；隔离侧墙，所述隔离侧墙位于所述位线结构与所述电容接触孔之间，且位于所述位线结构相对两侧的所述隔离侧墙之间具有空隙，所述空隙位于所述位线结构上。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202210827231.4在审
发明人：周鹏;桂辉辉;胡福临 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上形成多个沿第一方向相互分立的隔离结构，隔离结构包括支撑层以及位线侧墙，位线侧墙位于支撑层在第一方向上的相对两侧，且相邻的隔离结构之间形成第一凹槽；在第一凹槽中形成位线，位线侧墙覆盖位线相对的两个侧壁。本公开实施例有利于改善形成的位线容易发生歪曲或者倾斜的问题。
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件-CN200510054757.X无效
发明人：春木直 -专利权人：尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供了一种器件设置，包括：存储单元阵列，读出放大器，连接存储单元和读出放大器的位线，插入在位线上、用来对存储单元和读出放大器间的连接进行开关控制的传递门，其中，读出放大器内侧位线，也就是在传递门的读出放大器一侧的位线，被布置在插置于外侧位线之间的位置上，这些外侧位线是在传递门的存储单元一侧的位线。
半导体器件

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