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[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置-CN201711350580.7在审
发明人：刘伟;唐彬 -专利权人：南昌欧菲光学技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜，包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层，高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□，相同厚度的高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的高阻膜的方块阻抗，相同厚度的低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的高阻膜的方块阻抗。高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，从而可以得到阻抗介于高阻抗层与低阻抗层之间的高阻膜。该多层复合结构的高阻膜可以用于替代具有与其具有相同阻抗的单层高阻膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。
高阻阻抗高阻抗层低阻抗层电子装置交错层叠复合膜两层多层复合结构铟锡氧化物膜二氧化锡膜氧化锌膜阻抗层替代

[实用新型]一种耐压PPTC热敏电阻过载保护器件-CN201922497729.5有效
发明人：蒲润昌;国凤飞;尹晓军;肖亚林 -专利权人：深圳市万瑞和电子有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：该器件用于串联在电路中，包括第一低阻芯片、第二低阻芯片、高阻芯片、第一金属膜、第二金属膜、电极引出脚，第一低阻芯片、高阻芯片、第二低阻芯片依次串联组成PPTC芯片组，第一低阻芯片、第二低阻芯片置于两边，高阻芯片置于中间，通过第一金属膜无缝叠合连接，第一低阻芯片、第二低阻芯片的外侧分别连接有第二金属膜，电极引出脚连接在第二金属膜的外侧上。该器件只需要单个元件就能很好的解决各种行业设备的过流、过温、过载、短路、电机堵转等的保护问题，不仅元件数量少、故障率很低、体积小、易于安装，而且成本低、无需特别调试、易于生产加工。
一种耐压 pptc 热敏电阻过载保护器件

[发明专利]一种铝基碳膜板及其加工方法-CN202110252750.8在审
发明人：陈汉;兰学武;唐海军 -专利权人：昆山十井电子科技有限公司
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝基碳膜板及其加工方法，涉及碳膜板的技术领域，一种铝基碳膜板，包括基板和碳膜层，所述碳膜板覆盖在基板的上部，所述基板为铝材质，所述基板与碳膜板之间的设置有绝缘材料，所述碳膜层包括贴合设置的低阻碳膜、第一高阻碳膜和第二高阻碳膜，所述低阻碳膜、第一高阻碳膜和第二高阻碳膜沿远离基板方向依次设置；一种铝基碳膜板加工方法，包括S1、制作铝基板并涂防焊油；S2、印低阻碳膜；S3、印第一高阻碳膜；S4、印第二高阻碳膜
一种铝基碳膜板及其加工方法

[发明专利]超大规模凝视型红外探测器拼接基板及其制备方法-CN201910102537.1有效
发明人：张敏;亢喆;韦书领;刘明;杨刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2019-02-01 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种超大规模凝视型红外探测器拼接基板，包括：标准硅片、钝化膜层以及低阻金属层，其中，低阻金属层具体包括：对低阻金属层进行刻蚀形成的高精度拼接标记、导流结构以及一对低阻金属引线；钝化膜层设置于标准硅片上表面，一对低阻金属引线设置于钝化膜层上表面两侧处，高精度拼接标记设置于一对低阻金属引线之间的钝化膜层上表面，导流结构设置于一对低阻金属引线之间且没有高精度拼接标记的钝化膜层上表面；本发明通过制出高平整度的钝化膜层、高精度拼接标记、导流结构以及低阻值金属引线，提高凝视型红外探测器的拼接精度、有助于信号的低损输出，解决了现有技术中超大规模的红外探测器阵列难以制备的问题。
超大规模凝视红外探测器拼接及其制备方法

[发明专利]一种提高耐弯性的低阻柔性屏及其制造方法-CN202211524604.7在审
发明人：沈奕;余荣;陈远明;杨烨;欧建平;吕岳敏 -专利权人：汕头超声显示器有限公司;广东汕头超声电子股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高耐弯性的低阻柔性屏及其制造方法，低阻柔性屏包括基膜和设置在基膜上的功能电路；基膜采用厚度不大于50μm的聚酰亚胺膜；功能电路包括低阻线路和多个透明电极，低阻线路的主体为厚度不小于5μm的电镀铜层，透明电极由透明导电膜经图形化而成，各个透明电极的外接端覆盖在相应低阻线路的端部上并构成透明导电膜与低阻线路的接合处；所述低阻柔性屏还包括抗弯层，抗弯层为弹性模量小于电镀铜层的透明涂层，抗弯层至少覆盖在各个接合处上本发明能够在低阻柔性屏发生弯曲变形时有效避免弯曲形变产生的应力在透明导电膜与低阻线路的接合处过度集中，由此使得该接合处的透明导电膜不易发生断裂，从而使其具有较好的耐弯性。
一种提高耐弯性柔性及其制造方法

[发明专利]低阻高滤透气纤维膜的制备方法-CN201810441732.2有效
发明人：刘艳清;刘志;何吉欢 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： D04H1/728 文献下载
摘要：本发明涉及一种低阻高滤透气纤维膜的制备方法，该低阻高滤透气纤维膜的制备方法以聚丙烯腈或聚(偏二氟乙烯‑六氟丙烯)和溶剂为组合物，配置成纺丝溶液，然后通过静电纺丝制备得到低阻高滤透气纤维膜。该制备方法工艺简单，以较低的成本制备得到比表面积大、低阻高滤、透气性、透湿性好的低阻高滤透气纤维膜，具有较大的应用前景，例如敷料、口罩、分离膜等，特别是可作为一种高分子生物医用材料，其制备工艺简单，成本低
低阻高滤透气纤维制备方法

[发明专利]一种忆阻器及其制备方法-CN201911054145.9有效
发明人：王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟军;史佳欣;刘德幸 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻器及其制备方法，属于半导体器件微纳加工技术领域，方法包括将电阻率满足第一阈值条件、晶向为100的低阻硅片作为低阻硅衬底；在所述低阻硅衬底上制备具有孔阵列的掩膜层；刻蚀所述低阻硅衬底得到具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底，所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底作为第一电极层；去除所述掩膜层，在所述具有三维锥形结构阵列的低阻硅衬底上依次沉积介质层和金属层，所述金属层作为第二电极层。本发明在低阻硅衬底和金属层均引入三维锥形结构阵列，使忆阻器的开和关状态更明显、更容易受控，且采用低阻硅衬底直接作为下电极，减少了忆阻器膜层，降低忆阻器漏电的概率，同时可增大忆阻器阵列面积。
一种忆阻器及其制备方法

[发明专利]高效低阻纤维复合膜及其制备方法-CN202211120705.8在审
发明人：房宽峻;张丽媛;梁跃耀 -专利权人：青岛大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：本发明属于纤维过滤复合膜制备技术领域，具体涉及一种高效低阻纤维复合膜及其制备方法以及由该高效低阻纤维复合膜制作的口罩。本发明高效低阻纤维复合膜，包括多层纤维膜，纤维膜沿叠加方向过滤效率逐层增加或减小，纤维膜孔径为2~8μm，孔隙率为70~90%。本发明可以实现大面积纳米纤维膜的制备，生产工艺简便快捷；相比静电纺丝，本发明无需高电压，耗能低，而且生产速率快、产量高、设备操作安全简单；本发明高效低阻纤维复合膜具有良好的亲水性、透湿性和透气性，且兼具良好的力学性能和过滤性能
高效纤维复合及其制备方法

[发明专利]一种制备高性能忆阻器的方法-CN202010282595.X在审
发明人：王军;刘贤超;崔官豪;周泓希;苟君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备高性能忆阻器的方法，包括以下步骤：在低阻硅上形成带有通孔阵列的掩膜层；在掩膜层上生长具有一定导电性的薄膜，于生长过程中在掩膜层的通孔内形成锥状柱；去除掩膜层和薄膜，得到带有锥状柱阵列的低阻硅样片；在样片上制备绝缘层，并在绝缘层上制备金属层；从底层低阻硅层和顶层金属层分别引出电极。在本发明中，采用精密抛光的低阻硅作为下电极，在制备与低阻硅直接相连的导电三维锥形柱时，该导电材料仅直接覆盖孔掩模的孔对应的低阻硅表面区域，解决了大面积忆阻器阵列容易因绝缘层缺陷导致的漏电问题。
一种制备性能忆阻器方法

[发明专利]一种支撑剂颗粒及其制备方法-CN201010034236.9无效
发明人：秦升益;郭盛昌;王胜利;胡宝苓 -专利权人：北京仁创科技集团有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C09K8/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种支撑剂颗粒及其制备方法，该支撑剂颗粒包括骨料颗粒及包覆骨料颗粒的树脂包覆膜，所述树脂包覆膜中包含有低摩阻添加剂。所述低摩阻添加剂为层状固体材料、无机化合物、高分子聚合物以及上述材料的任意组合。所述制备方法包括：步骤1：加热待覆膜树脂至其熔点温度，在熔融的树脂中加入低摩阻添加剂；步骤2：加热骨料颗粒，并于骨料颗粒中加入步骤1中所得到的树脂，搅拌均匀；以及步骤3：冷却步骤2中的混合物，并破碎得到覆膜的支撑剂颗粒本发明通过在树脂中加入低摩阻的添加剂，然后对骨料颗粒进行覆膜，得到了低摩阻覆膜支撑剂，该支撑剂具有低密高强，耐温耐压和低摩阻的特性。
一种支撑颗粒及其制备方法

[发明专利]一种避免误读的阻变存储器及其制备方法-CN201510228635.1有效
发明人：闫小兵;陈建辉;陈英方 -专利权人：河北大学
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器，呈现出较为稳定的阻值变化，高、低阻态阻值分布非常集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大，因此不容易造成高、低阻值混淆，在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应，非常有利于存储器的读出。再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
一种避免误读存储器及其制备方法

[发明专利]阻气性膜、装置以及阻气性膜的制造方法-CN201080053566.0有效
发明人：中津川雄二 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供阻气性优异的阻气性膜、使用该阻气性膜的装置、该阻气性膜的制造方法。阻气性膜（1）含有所含的低聚物量为1质量%以下的塑料膜（2）、在塑料膜（2）上设置的有机层（3）、和在有机层（3）上设置的无机层（4），有机层（3）的厚度比塑料膜表面的最大高低差大。由此能够提供阻气性优异的阻气性膜（1）。
气性装置以及制造方法

[实用新型]一种石墨烯智能化发热面料-CN202020308746.X有效
发明人：何冠斌;许晓婷;董胜利 -专利权人：广州裁神定制服装供应链管理有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯智能化发热面料，包括面料本体，面料本体包括发热面料层，发热面料层包括低阻石墨烯层、上聚酰亚胺膜层、下聚酰亚胺膜层和柔性高分子材料层，上聚酰亚胺膜层和下聚酰亚胺膜层分别设置在低阻石墨烯层的顶部和底部外壁上，且柔性高分子材料层设置在上聚酰亚胺膜层和下聚酰亚胺膜层远离低阻石墨烯层的另一侧外壁上。本实用新型低阻石墨烯层发热稳定、均匀等特质使得发热面料能够均匀且稳定地发热，低阻石墨烯层能够辐射出对身体有益的远红外线，可缓解身体疲劳，改善血液循环，从而提高了石墨烯发热面料的使用舒适度，导电银浆膜起到了连接低阻石墨烯层和铜箔的作用，可以有效防止阻石墨烯层和铜箔接触不良。
一种石墨智能化发热面料

[发明专利]具石墨填充ePTFE低阻膜的动态密封件、制备方法及其应用-CN202110748471.0在审
发明人：张云;丁荣华 -专利权人：江苏泛亚微透科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： F16J15/3284 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有石墨填充ePTFE低阻膜的动态密封件、制备方法及其应用，包括石墨填充ePTFE低阻膜和弹性体，所述石墨填充ePTFE低阻膜固定连接在弹性体的整体或局部表面；制备时将石墨填充ePTFE低阻膜模切成片状，敷贴在密封件成型的注塑型腔内壁；注入弹性体橡胶芯材，石墨填充ePTFE低阻膜顺应压合成模具的几何形状，同时与弹性体橡胶芯材压合连接牢固；脱模后，即制得密封件；密封件应用于航空航天、新能源电动汽车或其他灵敏执行机构通过上述方式，本发明将高性能低阻膜制成的动态密封件具有出众的成型性和耐磨性，可减小扭矩，便于设计更小巧简单的零件，以创造出更具成本竞争力的节能部件。
石墨填充 eptfe 低阻膜动态密封件制备方法及其应用

[发明专利]有高阻元件的半导体器件及其制造方法-CN98102250.2无效
发明人：植松吉英 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-06-09 - 公布日： 1998-12-30 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：按高阻薄膜与由低阻多晶硅膜形成的结区相接触的方法,用SIPOS膜构成的高阻膜制备作为SRAM负载电阻的高阻元件。该结构确保可以减小半导体器件的高阻元件的结电阻。
有高阻元件半导体器件及其制造方法

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