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[发明专利]低介电树脂基板-CN202110710093.7在审
发明人：盐原利夫;田口雄亮;糸川肇 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B32B17/02 文献下载
摘要：本发明所要解决的技术问题为，提供一种使用了介电损耗角正切低且拉伸强度优异的石英玻璃布的树脂基板。本发明的解决手段为一种低介电树脂基板，其为有机树脂与实施热处理后的退火石英玻璃布复合化而得到的低介电树脂基板，其特征在于，所述退火石英玻璃布在10GHz下的介电损耗角正切小于0.0010，且布的每单位面积重量
低介电树脂

[发明专利]氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片及其制备方法-CN201910592432.9在审
发明人：何家华;李韦志;杜伯贤;林志铭;李建辉 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司;雅森电子材料科技（东台）有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片及其制备方法，氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板，单面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，FRCC包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层，双面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，覆盖膜和粘结片皆包括低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层。本发明利用氟系聚合物本身的低Dk/Df特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。
聚合物高频覆盖粘结及其制备方法

[实用新型]氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片-CN201921021106.4有效
发明人：何家华;李韦志;杜伯贤;林志铭;李建辉 -专利权人：昆山雅森电子材料科技有限公司;雅森电子材料科技（东台）有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H05K1/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氟系聚合物高频基板、覆盖膜和粘结片，氟系聚合物高频基板为单面覆铜基板、FRCC、双面覆铜基板，单面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，FRCC包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层，双面覆铜基板包括铜箔层、低介电胶层、氟系聚合物层和聚酰亚胺层，覆盖膜和粘结片皆包括低介电胶层、氟系聚合物层、聚酰亚胺层和离型层。本实用新型利用氟系聚合物本身的低Dk/Df特性，搭配具有低Dk/Df的低介电胶层、低粗糙度的铜箔，使成品具低介电损失，有利于高频高速传输。此外利用低介电胶层黏接铜箔及氟系聚合物层，并利用PI膜做为支撑，使基板拥有良好接着强度、低热膨胀系数及高尺寸安定性。
聚合物高频覆盖粘结

[发明专利]低介电性接枝共聚物、包含其的低介电性膜以及柔性电路基板-CN202211532789.6在审
发明人：刘明宰;梁铉昇;李哲承 -专利权人：韩国电子技术研究院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C08G81/02 文献下载
摘要：低介电性接枝共聚物、包含其的低介电性膜以及柔性电路基板。本发明涉及低介电性接枝共聚物、包含其的低介电性膜以及柔性电路基板，低介电性膜和柔性电路基板在28GHz的频率范围内具有2至3的低介电常数，并且具有优异的尺寸稳定性、耐热性和柔韧性。
低介电性接枝共聚物包含低介电性膜以及柔性路基

[发明专利]低介电橡胶树脂材料及低介电金属基板-CN202110964747.9在审
发明人：廖德超;张宏毅;刘家霖;魏千凯 -专利权人：南亚塑胶工业股份有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低介电橡胶树脂材料及低介电金属基板，低介电橡胶树脂材料包括一低介电橡胶树脂组成物及一无机填料，所述低介电橡胶树脂组成物包括5重量百分比至40重量百分比的液态橡胶、20重量百分比至70重量百分比的聚苯醚树脂
低介电橡胶树脂材料金属

[发明专利]具有滑动介电膜的基板及其制造方法-CN201811308557.6有效
发明人：朴圣奎;金东好;郑昊相 -专利权人：韩国材料研究院
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B81B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板以及制造该基板的方法，该基板通过使用具有低表面能的滑动介电膜激活金属吸附原子的表面迁移形成。更具体地，一种具有滑动介电膜的基板包括基板；在所述基板上形成的具有低表面能的滑动介电膜；以及在所述滑动介电膜上形成的纳米颗粒，其中纳米颗粒的表面能比滑动介电膜的表面能至少大1000mJ/m基板和上纳米颗粒之间的等离子体耦合最大化，所述基板具有非常高的SERS增强因子，在整个可见区域具有低光损失特性。
具有滑动介电膜及其制造方法

[实用新型]一种低介电柔性覆铜板-CN201821555648.5有效
发明人：徐莎;陈庞英;张家煌;刘沛然 -专利权人：中山新高电子材料股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本实用新型公开一种低介电柔性覆铜板，包括有第一铜箔基板和第二铜箔基板，第一铜箔基板上涂覆有第一高分子低介电层，第二铜箔基板上涂覆有第二高分子低介电层，第一高分子低介电层上涂覆有聚酰亚胺酸形成的第一热固聚酰亚胺层，第二高分子低介电层上涂覆有聚酰亚胺酸形成的第二热固聚酰亚胺层，第一热固聚酰亚胺层和第二热固聚酰亚胺层之间通过热塑性聚酰亚胺层粘合连接。本实用新型将表面处理过的低介电填料和低介电高分子聚合物与聚酰亚胺酸混合形成高分子低介电乳胶液涂覆于铜箔面，将低介电材料集中在此层结构中，只在铜箔接触面涂覆高分子低介电乳胶液，该层涂覆厚度小，使用少量的低介电高分子材料达到高频材料所需的低传输损耗要求
低介涂覆聚酰亚胺层低介电层铜箔基板热固聚酰亚胺酸本实用新型柔性覆铜板乳胶液热塑性聚酰亚胺层高分子聚合物低传输损耗低介电材料高分子材料铜箔接触面高频材料层结构铜箔面粘合

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201880087065.0在审
发明人：东克荣;菅原雄二;竹松佑介;石川友也 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板处理方法，其是向形成有图案的基板表面供给药液而对基板进行处理的方法，所述基板处理方法包括：基板保持工序，对基板进行保持；药液供给工序，向基板的至少前述表面供给前述药液；低导电性液体供给工序，在前述药液供给工序之前，为了对基板进行除电，向基板的前述表面供给导电性比前述药液低的低导电性液体；以及高导电性液体供给工序，在前述低导电性液体供给工序之前，为了对基板进行除电，不向基板的前述表面而向基板中与前述表面相反侧的背面供给导电性低于前述药液且高于前述低导电性液体的高导电性液体
处理方法装置

[实用新型]介电损耗小的全氟烯醚共聚物柔性覆铜板-CN202122934449.3有效
发明人：季荣梅;曹小进;陈佳伟;何亚祥 -专利权人：深圳市鑫荣进绝缘材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本实用新型提供介电损耗小的全氟烯醚共聚物柔性覆铜板，涉及覆铜板技术领域，包括基板，所述基板的上表面均涂覆有高分子低介电层，所述铜箔层压板的内部固定连接有导热杆，所述导热杆的底端依次贯穿铜箔层压板、固化板和基板，所述基板的下表面胶合连接有导热片，所述铜箔层压板靠近导热杆的上表面胶合连接有热辐射贴片。本实用新型基板工作时产生的大量热量通过导热杆进行传递，通过覆铜板表面的热辐射贴片将热量散发出去，提高覆铜板散热的效果，进而减少内部基板材质受热变形甚至损坏的现象；同时高分子低介电层原料为为低介电乳胶液，使用少量的低介电高分子材料达到高频材料所需的低传输损耗小的要求。
损耗全氟烯醚共聚物柔性铜板

[发明专利]针对侧壁孔密封及通孔清洁度的互连整合-CN201680034165.8有效
发明人：任河;梅裕尔·B·奈克;迪内士·帕德希;普里扬卡·戴什;巴斯卡·库马;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。
针对侧壁密封清洁互连整合

[实用新型]芯片封装体-CN200520130020.7无效
发明人：李胜源 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型是有关于一种芯片封装体，包括一封装基板、一芯片与至少一埋入式电感元件。其中，封装基板具有多数个图案化导电层、至少一绝缘层与多数个导电孔道，绝缘层配置于相邻这些图案化导电层之间，且这些图案化导电层之二是藉由这些导电孔道之一而相互电性连接。此外，芯片配置于封装基板上，且与封装基板相电性连接。另外，埋入式电感元件包括一导电螺旋结构与至少一低介电系数区。其中低介电系数区配置于绝缘层中，低介电系数区与导电螺旋结构相邻，且低介电系数区的介电系数小于绝缘层的介电系数。
芯片封装

[发明专利]一种基于逆向电润湿技术的发电车轮、应用及其发电自行车-CN201610872352.5在审
发明人：田雨农;林同福;安玉良;夏阳 -专利权人：大连楼兰科技股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： B62J6/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于逆向电润湿技术的发电车轮、应用及其发电自行车，其中，发电车轮包括中心轮轴、转动基板(1)、固定基板(2)以及偏置电压源(3)；其中，转动基板与固定基板相对的一侧侧面上沿周向交替设置有第一电极层和第一介电层，在第一电极层和第一介电层的外表面均设置有第一低表面能介电层；固定基板与转动基板相对的一侧侧面上沿周向交替设置有第二电极层和第二介电层，第二电极层和第二介电层的外表面均设置有第二低表面能介电层，在第二低表面能介电层上固定设置有导电液滴阵列
一种基于逆向润湿技术发电车轮应用及其自行车

[发明专利]原位低介电常数加盖以改良整合损坏抗性-CN201180057643.4无效
发明人： K·S·伊姆;J·徐;S·恩戈;A·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种用于形成包括气隙的低k介电层的方法及装置。在一个实施例中，提供一种处理基板的方法。该方法包含：将基板安置在处理区域内；在存在等离子体的情况下，将有机硅化合物与氧化气体以及提供致孔剂的前驱物反应，以将包含硅、氧及碳的含致孔剂的低k介电层沉积在基板上；将包含硅、氧及碳的多孔介电加盖层沉积在含致孔剂的低k介电层上；以及紫外线(UV)固化含致孔剂的低k介电层及多孔介电加盖层，以经由多孔介电加盖层从含致孔剂的低k介电层中移除致孔剂的至少一部分，以将含致孔剂的低k介电层转化为具有气隙的多孔低k介电层。
原位介电常数加盖改良整合损坏抗性

[发明专利]低介电玻璃、低介电玻璃的制备方法及Micro LED基板-CN202310168008.8在审
发明人：李青;李赫然;刘丹;胡恒广;闫冬成;张广涛;姚荣江;刘文渊;张盼 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C03C4/16 文献下载
摘要：本公开提供一种低介电玻璃，其包括摩尔百分数如下的各组分：SiO2：57～59.5％；Al2O3的加入以及与其他各原料的摩尔百分数的配比，利用Ti的4价离子强烈吸引网络断键和稳固电子以及电荷的能力，使玻璃内网络致密度增加，电子位移极化和离子位移极化均减小，进而有效降低玻璃介电性能
低介电玻璃制备方法 micro led 基板

[发明专利]天线系统和天线电路基板-CN202080083854.4在审
发明人：砂本辰也;宫内知嘉子;矶上宏一郎 -专利权人：株式会社可乐丽
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01Q1/40 文献下载
摘要：所述天线系统(100)由使高频穿透的第一玻璃层(101)、低介电层(103)和天线电路基板(107)构成，所述低介电层(103)具有比所述第一玻璃层(101)低的介电常数，并且与所述第一玻璃层(101)邻接，使从所述第一玻璃层(101)入射的高频穿透，所述天线电路基板(107)与所述低介电层(103)邻接，接收从所述低介电层(103)入射的高频，并且包含高频绝缘层(105)。
天线系统路基

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