[发明专利]一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法

摘要

本发明公开了一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，包括以下步骤：(1)将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；(2)在基底上形成诱导层，然后去除掩模板；(3)将带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；(4)对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，对二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件。本发明通过引入掩模板，生长导电诱导层，从而控制二氧化钛纳米棒阵列的垂直生长，防止二氧化钛纳米棒发生倾斜和搭接，得到多种图案规则排布的阵列结构，满足能源存储器件，特殊传感器和电子电路器件对二氧化钛结构的质量要求。

主权项

1.一种引入掩膜板制备二氧化钛纳米棒阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1) 将基底和掩模板清洗干净，将掩模板固定于基底材料表面，四周密封；/n(2) 通过沉积的方法将设计的包含微纳尺度的掩模板图案转移到基底上，以在基底上形成诱导层，然后去除掩模板，得到带图案诱导层的基底；/n(3) 将步骤(2)得到带图案诱导层的基底放入水热反应釜中，在水热反应中诱导生长与基底图案一致的二氧化钛纳米棒阵列；/n(4) 对二氧化钛纳米棒阵列间隙进行选择性填充，采用真空蒸镀工艺，在二氧化钛纳米棒阵列制作上电极，得到用于传感器、能源存储单元或者电子电路的器件；/n步骤(2)中，所述诱导层为导电材料，采用掺杂二氧化锡、氧化铟锡、石墨烯、二硫化钼中的一种或者多种。/n