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[实用新型]一种雨水收集系统-CN201220376828.3有效
发明人：曾奕磁 -专利权人：深圳市晶瑞钿节能投资有限公司
申请日： 2012-07-24 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： E03B3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及雨水回收利用系统，具体地来说为一种可自清洁的雨水收集系统，包括集水器、二次沉积室、以及过滤室，集水器为无盖的敞开式进水口，出水口位于集水器的下部，集水器的出水口连接二次沉积室的进水口，二次沉积室的进水口位于二次沉积室的上部与集水器的出水口位于同一水平面上；二次沉积室与过滤室位于同一水平面上，二次沉积室的出水口开在二次沉积室的下部，通过上升水泵与过滤室的进水口连接；其中集水器的进水口处设置有过滤筐，过滤筐的深度与集水器的深度比为0.3～0.6。
一种雨水收集系统

[发明专利]自动沉积覆层二次工艺-CN86100013.7无效
发明人：鲁茨·施兰伯格;马斯·哈马彻;罗纳德·布罗德本特 -专利权人：格哈德·科拉丁有限公司
申请日： 1986-01-04 - 公布日： 1990-06-27 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：一种提高自动沉积涂层的耐腐蚀性能的方法，其中在树脂自动沉积之后但在其固化处理之前，采用金属非铬盐类的水溶性盐类进行第一道处理，而后再用铬的化合物处理，便可在树脂涂层中形成金属铬酸盐类。
自动沉积覆层二次工艺

[发明专利]制造印刷电路板的方法-CN201510236235.5在审
发明人：高亨根;金文钟;崔良鈗;朴炅全;黄琄泽 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H05K3/10 文献下载
摘要：一种用于形成印刷电路板(PCB)的方法，包括：在包括导电图案的PCB的顶面和底面上第一次沉积感光成像阻焊剂(PSR)墨；第一次干燥第一次沉积了PSR墨的PCB；在PCB的顶面和底面上第二次沉积PSR墨；以及第二次干燥第二次沉积了PSR墨的PCB。
制造印刷电路板方法

[发明专利]一种用于硅片的扩散方法及光伏硅片-CN202210117046.6在审
发明人：李红飞;徐冠群;郑傲然;夏伟;吉克超 -专利权人：通威太阳能(安徽)有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：用于硅片的扩散方法包括以下步骤：先将预处理后的硅片进行一次沉积处理，温度为700～780℃，然后进行二次沉积处理，温度为720～800℃，二次沉积处理的温度高于一次沉积处理的温度；再将硅片进行一次推结处理，温度为800～840℃；随后将硅片进行二次推结处理，温度为840～880℃；一次推结处理的温度高于二次沉积的温度，低于二次推结处理的温度。
一种用于硅片扩散方法

[发明专利]一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法-CN201711086162.1有效
发明人：周凡;崔龙辉;焦朋府;韩超;杨进;张文原;刘文超;任欢欢 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：一种晶体硅太阳能电池发射极磷掺杂控制方法，按照如下步骤进行，步骤一、第一次低温氧化；步骤二、第一次沉积；步骤三、第二次低温氧化；步骤四、第二次沉积和第一次推进；步骤五、第三次沉积和第二次推进。本发明通过低温氧化‑沉积‑低温氧化提高了峰值浓度，同时又不会造成晶格错位，然后再通过两次沉积和推进钝化电池表面，获得更佳的光电转化效率。
一种晶体太阳能电池发射极掺杂控制方法

[发明专利]半导体的镀膜方法-CN202210180284.1在审
发明人：张俊群 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体的镀膜方法，包括：对半导体进行清洁；在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；在所述半导体上沉积DLC层。
半导体镀膜方法

[发明专利]一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法-CN202210286211.0在审
发明人：杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;吕爱武;张云鹏;申开愉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种P型晶硅双面电池退火增强背钝化方法，按如下步骤进行步骤一、第一次SiON膜层沉积+第一次退火，步骤二、第二次SiON膜层沉积+第二次退火，步骤三、第二次SiON膜层沉积+第三次退火，步骤四、SiN膜层沉积构，SiN膜层采用三层沉积，步骤五、第四次退火。
一种型晶硅双面电池退火增强钝化方法

[发明专利]原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210530523.8有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积的共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后依次进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氧源沉积，后氮掺杂源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积，后含掺杂元素Zr的掺杂源沉积。
原子沉积氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210531516.X有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;解婧;张阳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种用于N-Zr共掺氧化锌薄膜的制备方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先含掺杂元素Zr的掺杂源沉积，后第二次锌源沉积。
用于 zr 氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法-CN201210532370.0有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;李楠;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开一种用于提高氧化锌薄膜P型稳定性的方法，包括将基片放入ALD反应腔室中，对基片及腔室管道进行加热，然后进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在第一次锌源沉积后，分别引入一次含掺杂元素Zr的掺杂源的掺杂沉积、第二次锌源沉积、两次氮掺杂源沉积及两次氧源沉积，形成N-Zr-N的共掺；所述氮掺杂源沉积和所述氧源的沉积顺序是先氮掺杂源沉积，后氧源沉积；所述含掺杂元素Zr的掺杂源沉积与所述第二次锌源沉积顺序是先第二次锌源沉积，后含掺杂元素Zr的掺杂源沉积。
用于提高氧化锌薄膜稳定性方法

[发明专利]沉积粉尘二次爆炸的临界沉积粉尘量确定系统及方法-CN202211220229.7在审
发明人：吕鹏飞;刘振东;高笑鹏;庞磊;杨凯;孙思衡;沈静 -专利权人：北京石油化工学院;北京科技大学
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种沉积粉尘二次爆炸的临界沉积粉尘量确定系统及方法，属于粉尘二次爆炸防控技术领域，该系统通过设定爆炸腔，并在爆炸腔外侧设置压力表，在爆炸腔内设置压力传感器和点火装置，设置爆炸腔通过管道连接喷粉系统；通过控制系统触发喷粉装置喷粉，触发点火装置点火，从而得到爆炸腔内爆炸时的压力数据，通过对压力数据的分析，确定沉积粉尘二次爆炸的临界沉积粉尘量，从而减少粉尘云初次爆炸诱导沉积粉尘发生二次爆炸事故的发生概率
沉积粉尘二次爆炸临界确定系统方法

[实用新型]一种熔硫釜清液预处理装置-CN202222432681.1有效
发明人：李金平;陈身松;张建春;曹伟;徐永兵;韩亚辉;卓润华 -专利权人：平顶山市东鑫焦化有限责任公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：，尤其涉及一种熔硫釜清液预处理装置，包括安装在熔硫釜上部的清液出口，清液出口和搅拌沉淀槽连通，搅拌沉淀槽内还安装有搅拌机构，搅拌沉淀槽上部连通有总管道A，搅拌沉淀槽下部连通有管道B，总管道A分别连通有二次沉淀槽和缓冲槽，二次沉淀槽上部安装有二次清液排出管，二次沉淀槽下部安装有二次沉积物排出管，二次清液排出管和缓冲槽连通，二次沉积物排出管和管道B连通，并连接有压滤机构；搅拌沉淀槽、二次沉淀槽、缓冲槽、压滤机构能将清液进行系统处理，搅拌沉淀槽内的搅拌机构能够减少沉积物的沉淀堆积，总的，本实用新型具有结构系统化、能够减少沉积物的沉淀堆积的情况、预处理效果好的优点。
一种熔硫釜清液预处理装置

[发明专利]一种可以自平衡的二次保压沉积物取样器-CN201610846025.2有效
发明人：陈家旺;张永雷;孙瑜霞;郦炳杰;朱黄超 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明涉及深海沉积物的原位分析检测，旨在提供一种可以自平衡的二次保压沉积物取样器。该种可以自平衡的二次保压沉积物取样器包括二次取样机械结构部分和压力自平衡部分，其中二次取样机械结构部分包括转移部分和取样部分。本发明能根据实验需要，获取适量的带压的沉积物样品，并克服了检测平台对装置的空间和重量的要求，可直接进行原位检测分析，这样能帮助研究人员准确获取深海沉积物性质的信息，有利于后续海底沉积物的勘测和开发。
一种可以平衡二次沉积物取样

[发明专利]多孔吸液芯及其制备方法-CN201711137877.5有效
发明人：于全耀;李柏霖;王治平;邱俊隆 -专利权人：中达电子（江苏）有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：提供一种多孔吸液芯的制备方法，包括如下步骤：a)配制第一次电沉积电解液，为包括0.5‑1.8mol/L硫酸和0.1‑0.5mol/L硫酸铜的水溶液；b)配制第二次电沉积电解液，为包括0.2‑0.9mol/L硫酸和0.4‑0.9mol/L硫酸铜的水溶液；c)采用表面活性剂和碱性化合物的混合溶液对金属基底表面进行清洗，再用稀盐酸活化，然后清洗干净；以及d)将处理后的基底在所述第一次电沉积电解液中进行第一次电沉积，然后在所述第二次电沉积电解液中进行第二次电沉积；其中，第二次电沉积所用电流小于第一次电沉积电流。
次电沉积电解液多孔吸液芯硫酸铜制备硫酸配制清洗金属基底表面表面活性剂碱性化合物多孔结构混合溶液基底表面毛细力渗透度稀盐酸活化基底排布传输

[发明专利]优选地但非排他地用于眼镜的部件等的用于在由金属制成的材料上形成装饰和/或标识的方法-CN202180084877.1在审
发明人：菲利波·邦法努佐;戴维德·格切勒;亚力山德罗·多诺利 -专利权人：陆逊梯卡有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B44C1/22 文献下载
摘要：一种用于在由金属制成的材料上形成装饰和/或标识的方法，该方法优选地但非排他地用于眼镜的部件等，该方法包括以下步骤：‑从至少部分地由金属材料制成的基板(1)开始，执行第一次电沉积和第二次电沉积，在基板(1)上沉积第一层材料和第二层材料(3，4)，其中，第一次电沉积和第二次电沉积中的至少一次电沉积的材料是贵金属；‑至少部分地去除由第二次电沉积产生的表面层(4)，使得由第一次电沉积产生的下方的层(3)基本不变
优选排他用于眼镜部件金属制成材料形成装饰标识方法

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