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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有电阻测量结构的三维集成电路及其使用方法-CN201210270706.0有效
发明人：陈卿芳;陆湘台;林志贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种三维集成电路(3DIC)包括具有至少一个有源器件的顶部芯片和具有导电布线层和通孔的中介层。3DIC进一步包括：多个导电连接器，被配置成电连接顶部芯片和中介层。3DIC进一步包括：顶部芯片或中介层中的至少一个上方的导电线。导电线沿着平行于顶部芯片或中介层的外部边缘的顶部芯片或中介层的周长设置。导电线被配置成电连接导电连接器。3DIC进一步包括：位于顶部芯片或中介层中的至少一个上方的至少一个测试元件。测试元件被配置成电连接至多个导电连接器。本发明还提供了一种具有电阻测量结构的三维集成电路及其使用方法。
具有电阻测量结构三维集成电路及其使用方法

[发明专利]用于中介层的去耦电容器-CN201310559850.0无效
发明人：翟军 -专利权人：辉达公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供用于中介层的去耦电容器。本发明的实施例总地涉及用于封装集成电路的中介层。中介层包括电容性器件用于减少耦连到中介层的临近的集成电路之间的信号噪声和泄漏。电容性器件由掺杂的半导体层形成。在一个实施例中，中介层包括具有相反的导电性的掺杂区的衬底。第一和第二氧化层安置在掺杂区之上。安置在第二氧化层中的第一互连电耦连到第一导电性的掺杂区，并且安置在第二氧化层中的第二互连电耦连到第二导电性的掺杂区。还公开了利用掺杂的半导体层的附加的电容性器件。
用于中介电容器

[发明专利]模造玻璃模仁及其制造方法-CN200710200525.X无效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-04-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C03B11/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种模造玻璃模仁，包括底材、中介层及保护膜，其中中介层位于该底材上，保护膜位于该中介层上，该保护膜具有一模造凹槽的模造面，其中该底材的材料为氮化硅，该中介层的材料为硅材料，本发明还提供了一种制造所述模造玻璃模仁方法
玻璃及其制造方法

[发明专利]模造玻璃模仁及其制造方法-CN200710200554.6无效
发明人：陈杰良 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-04-10 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： C03B11/08 文献下载
摘要：本发明是关于一种模造玻璃模仁，包括底材、中介层及保护膜，其中中介层位于该底材上，保护膜位于该中介层上，该保护膜具有一模造凹槽的模造面，其中该底材的材料为碳化硅，该中介层的材料可为硅材料，本发明还提供了一种制造所述模造玻璃模仁方法
玻璃及其制造方法

[发明专利]具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法-CN201610649629.8有效
发明人：施信益;吴铁将 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2016-08-10 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：具有侧壁保护重布层中介层的半导体封装及其制造方法，本发明公开了一种半导体封装，包含一重布层中介层，具有一第一面、相对于第一面的一第二面，及延伸于第一面与第二面之间的一垂直侧壁；至少一半导体晶粒，设在重布层中介层的第一面上；一模塑料，设在第一面上，模塑料包覆半导体晶粒以及重布层中介层的垂直侧壁；以及多个焊锡凸块设在第二面上。
具有侧壁保护重布层中介半导体封装及其制造方法

[实用新型]一种芯片封装结构-CN202222192731.3有效
发明人：瞿宏宇;潘远杰;周祖源 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片封装结构，所述芯片封装结构通过在中介层板材中的划片区下表面形成具有一定厚度的防翘曲层，通过防翘曲层为中介层板材提供弯曲压强，减少中介层板材的翘曲，并进一步减少封装制程中因基板板材翘曲造成的良率损失；并且，中介层板材中的封装区下表面形成有缓冲层，依靠缓冲层，可以避免封装区下凹弯曲，进而造成良率损失；本发明结构简单，成本低，易于推广使用。
一种芯片封装结构

[发明专利]一种量子点聚合物复合膜及其制备方法-CN202010460127.7在审
发明人：张建兵;王康;蓝新正;张道礼 -专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于复合功能薄膜制备领域，公开了一种量子点聚合物复合膜及其制备方法，其中量子点聚合物复合膜包括至少一层量子点复合层和至少一层中介层，量子点复合层和中介层交替形成；量子点复合层是由量子点材料和高分子聚合物材料复合形成；中介层是由高分子聚合物材料构成；量子点复合层和中介层中所采用的高分子聚合物材料互不相容。本发明通过对量子点聚合物复合膜的细节结构组成进行改进，并对相应制备方法的整体工艺流程设计、各工艺细节参数条件进行控制，利用由高分子聚合物材料构成的中介层参与构建量子点聚合物复合膜，每两层量子点复合层之间均被中介层隔开
一种量子聚合物复合及其制备方法

[发明专利]具有用于改善连接性的重组裸片中介层的集成电路以及相关制造方法-CN202180052629.9在审
发明人：金钟海;A·帕蒂尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/10 文献下载
摘要：一种具有用于改善连接性的重组裸片中介层的集成电路(IC)，具有安装在外部上表面上的至少一个器件或组件，该外部上表面耦合到封装内的中介层中的裸片。中介层可以具有互连结构，其中第一互连结构具有第一节距的过孔，并且第二互连结构具有大于第一节距的第二节距的过孔。以这种方式，中介层充当一种器件，该器件能够允许具有这些节距的其他器件的导电耦合以支持这些器件与中介层内的其他器件之间的互连。
具有用于改善连接重组中介集成电路以及相关制造方法

[发明专利]电子封装结构及其制造方法-CN202210873689.3在审
发明人：王金胜;谭瑞敏;林文禹;王择威;陈君合;马光华 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：电子封装结构包括电路基板、中介层、芯片、线路结构以及同轴导电件。中介层设置于电路基板上，其中中介层具有穿槽。芯片设置于穿槽中且位于电路基板上，以与电路基板电性连接。线路结构设置于中介层上。同轴导电件贯穿中介层，以将线路结构与电路基板电性连接。同轴导电件包括第一导电结构、第二导电结构以及第一绝缘结构。第二导电结构环绕第一导电结构。第一绝缘结构设置于第一导电结构与第二导电结构之间。
电子封装结构及其制造方法

[发明专利]图像传感器模块-CN201680047033.9有效
发明人：鹤冈美秋;浅野雅朗;前川慎志 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：图像传感器模块具有：中介层基板，其具有第一面和与第一面相反侧的第二面，该中介层基板具有透光性并且具有多个贯穿孔；图像传感器，其配置在与中介层基板的第一面对置的位置，在中介层基板侧具有配置有多个光电转换元件的受光面，该图像传感器经由多个贯穿孔中的电极而与外部电路连接；以及透镜单元，其配置在与中介层基板的第二面对置的位置。
图像传感器模块

[发明专利]封装堆叠构造及其制造方法-CN201710090714.X有效
发明人：王启安;徐宏欣;陈裕纬 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种封装堆叠构造，包括第一封装结构、中介层、导热层以及第二封装结构。第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体。第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。中介层配置在第一封装结构上，且与第一封装结构电性连接。导热层夹置在第一封装结构与中介层之间，且覆盖第一芯片的至少部分上表面。导热层与第一芯片以及中介层直接接触。第二封装结构配置在中介层上，且与中介层电性连接。本发明还提供一种封装堆叠构造的制造方法。本发明提供的封装堆叠构造及其制造方法能够有效地提升散热效率并防止接点断裂等问题。
封装堆叠构造及其制造方法

[实用新型]一种三维芯片封装结构-CN201721271536.2有效
发明人：陈彦亨;林正忠 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种三维芯片封装结构，包括封装基板及电性连接于所述封装基板上方的三维芯片模块，其中，所述三维芯片模块包括穿孔硅中介层，所述穿孔硅中介层包括绝缘基板及多个上下贯穿所述绝缘基板的导电柱，所述导电柱与所述封装基板电性连接；至少一个裸片，所述裸片正面朝下装设于所述穿孔硅中介层上；塑封层，覆盖所述裸片及所述穿孔硅中介层。所述封装结构采用封装基板、穿孔硅中介层、裸片堆叠的封装形式，并采用塑封层实现裸片的保护，其中，裸片与穿孔硅中介层可通过导电凸块及重新布线层连接。
一种三维芯片封装结构

[发明专利]具有蒸气室的半导体立体封装结构-CN202111081599.2在审
发明人：吴智孟 -专利权人：创新服务股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本发明提供一种具有蒸气室的半导体立体封装结构，一个盖子结合一个底板围成一个蒸气室，在蒸汽室封装多个配置半导体晶片的中介层堆叠的三维结构体。每个中介层周边有一组凸部，两个凸部间隔一个凹部，全部的中介层以凸部接触该组网，从上层中介层到下层中介层的凹部成为连到蒸气室的一个流道。每个中介层的顶面和底面也有毛细结构，引导两层中介层高温的气体经由流道到蒸气室，成为热循环的一部分。
具有蒸气半导体立体封装结构

[实用新型]半导体装置-CN202321313457.9有效
发明人：吕孟昇;蔡尚纶;陈硕懋;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一第一裸片封装部件、电性耦接到第一裸片封装部件的一第一侧的一第二中介层、电性耦接到第一裸片封装部件的一第二侧的具有一电压调节器电路的一第三中介层、以及分别电性耦接到第二中介层的一光学部件和一高频宽存储器裸片第一裸片封装部件还包括一双面半导体裸片，其第一侧电性耦接至第二中介层，以及其第二侧电性耦接至第三中介层。第一裸片封装部件还包括一模制材料以及形成在模制材料中的一封装体穿孔，使得封装体穿孔提供了第二中介层和第三中介层之间且绕过双面半导体裸片的一电性连接。
半导体装置

[发明专利]一种芯片封装结构及芯片封装方法-CN202211238271.1在审
发明人：缪富军;郝沁汾 -专利权人：无锡芯光互连技术研究院有限公司;芯光智网集成电路设计(无锡)有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片封装结构及芯片封装方法，芯片封装结构包括第一基板、第一类芯片、第一中介层、至少一层芯片包封层和外接引脚；第一基板包括容纳槽和多个第一导电通孔；第一类芯片位于容纳槽内；第一中介层位于第一基板的一侧；第一中介层包括重布线层，重布线层中与第一基板接触的第一介质层具有填充容纳槽的部分；芯片包封层位于第一中介层远离第一基板的一侧；芯片包封层包括塑封料和第二类芯片；第一类芯片、第二类芯片均与第一中介层电连接，第一中介层与第一导电通孔电连接；外接引脚位于第一基板远离第一中介层的一侧，且与第一导电通孔电连接。
一种芯片封装结构方法

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