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[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置-CN201711350580.7在审
发明人：刘伟;唐彬 -专利权人：南昌欧菲光学技术有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜，包括至少一层高阻抗层以及至少一层低阻抗层，高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，高阻膜的方块阻抗为10⁵～10¹²Ω/□，相同厚度的高阻抗层的方块阻抗大于相同厚度的高阻膜的方块阻抗，相同厚度的低阻抗层的方块阻抗小于相同厚度的高阻膜的方块阻抗。高阻抗层与低阻抗层交错层叠设置，且位于高阻膜最外两层中的至少一层为高阻抗层，从而可以得到阻抗介于高阻抗层与低阻抗层之间的高阻膜。该多层复合结构的高阻膜可以用于替代具有与其具有相同阻抗的单层高阻膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。
高阻阻抗高阻抗层低阻抗层电子装置交错层叠复合膜两层多层复合结构铟锡氧化物膜二氧化锡膜氧化锌膜阻抗层替代

[发明专利]一种宽频阻抗变换器-CN201510904034.8有效
发明人：韦利跃;韦晓娟 -专利权人：韦晓娟
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H04R1/28 文献下载
摘要：其变换器本体包括有数量为3‑5层的高阻端层及与高阻端层依次层状设置的低阻端层，所述高阻端层及低阻端层之间还设置有绝缘隔离层；每一个高阻端层包括3个以上依次串联的高阻端，每一个低阻端层包括依次串联的且与每一个高阻端层包括的高阻端数量相同的低阻端；所述高阻端层的末高阻端与下一层高阻端层的首高阻端电连接；每一个低阻端层的首低阻端依次电连接，每一个低阻端层的末低阻端依次电连接。
一种宽频阻抗变换器

[发明专利]一种半导体器件的隔离制备方法-CN202111575095.6在审
发明人：刘佳佳;胡泽先;谭永亮;吕鑫;马杰;刘相伍 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底表面依次生长高阻外延层、介质膜层；对介质膜层的与有源区对应的部分进行刻蚀，露出高阻外延层；对露出的高阻外延层进行指定深度的刻蚀；在高阻外延层的刻蚀区域外延生长器件层。本发明能够通过设置高阻外延层，在高阻外延层刻蚀凹槽，在凹槽内生长器件层，高阻外延层保护器件层的侧面，减少了侧面漏电。
一种半导体器件隔离制备方法

[发明专利]高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层的制备方法-CN201611236592.2有效
发明人：何金良;孟鹏飞;胡军;谢清云;蒙小记;胡小定;王锋 -专利权人：清华大学;西安西电避雷器有限责任公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01C17/06 文献下载
摘要：一种高通流容量的高梯度氧化锌压敏电阻高阻层的制备方法，包括坯体、高阻层，所述高阻层包裹于所述坯体外侧，所述高阻层配方包括ZnO、Fe
一种通流容量梯度氧化锌压敏电阻高阻层制备方法

[实用新型]一种可提高PN结反向击穿电压的装置-CN201120559840.3有效
发明人：秦明;张睿 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可提高PN结反向击穿电压的装置包括第一低阻半导体层、高阻半导体层、第二低阻半导体层和第一绝缘抗反射涂层及第二绝缘抗反射涂层；第二低阻半导体层位于第一绝缘抗反射涂层的内侧面，高阻半导体层位于第二低阻半导体层的另一侧面正下方；第二低阻半导体层与高阻半导体层形成主PN结，第二低阻半导体层与第一低阻半导体层形成辅PN结；第一低阻半导体层的掺杂浓度小于高阻半导体层的掺杂浓度；第二低阻半导体层与高阻半导体层的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层与第二低阻半导体层的接触面积；第二低阻半导体层的深度小于高阻半导体层的深度。
一种提高 pn 反向击穿电压装置

[发明专利]一种声表面波滤波器结构及制备方法-CN202310864870.2在审
发明人：刘绍侃;陈小兵;蒋燕港;李强 -专利权人：北京中讯四方科技股份有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种声表面波滤波器结构及制备方法，涉及声表面波滤波器技术领域，包括衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器，衬底层、第一高阻层、第二高阻层、低阻层、压电层以及叉指换能器从下到上依次设置，衬底层采用高纯度单晶硅，第一高阻层采用氮化铝，第二高阻层采用碳化硅，低阻层采用二氧化硅，压电层采用钽酸锂，叉指换能器采用铜或铝铜合金。本申请提供的声表面波滤波器结构具有传输损耗低、高机电耦合系数、高温度稳定性以及耐高功率的优点，能够满足5G和6G通信技术的发展。
一种表面波滤波器结构制备方法

[发明专利]具有消除静电的高阻层的触控显示装置及其制备方法-CN201510688504.1有效
发明人：张迅;张伯伦;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有消除静电的高阻层的触控显示装置及其制备方法。通过在彩色滤光片基板远离液晶层的表面形成高阻层，并将高阻层与电极电连接，形成触控模组。由于高阻层直接形成在彩色滤光片基板表面，无需再使用一层玻璃承载高阻层，相比传统的具有消除静电的高阻层的触控显示装置，减少了一层ITO玻璃及用来粘合的光学胶，从而上述具有消除静电的高阻层的触控显示装置较薄另外，高阻层的材料包括氧化石墨、氧化锡、表面活性剂及交联剂，可以起到消除静电的作用，提高触控的灵敏度。
显示装置及其制备方法

[实用新型]一种具有抗干扰的高阻显示板-CN201720197749.9有效
发明人：欧健勋 -专利权人：惠州市恒数电子科技有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型为一种具有抗干扰的高阻显示板，包括基板和抗干扰的高阻膜层，所述抗干扰的高阻膜层镀在所述基板上，所述抗干扰的高阻膜层采用氧化锌锡材料，且所述抗干扰的高阻膜层的厚度为49.5nm‑50.5nm；本实用新型的显示板既可以“防静电”，又可以“抗干扰”，而且，本实用新型把抗干扰的高阻膜层镀在基板上，做到抗干扰的高阻膜层和基板的完美融合。
一种具有抗干扰显示

[发明专利]一种基于冻土保护的一体化热诱导结构-CN201611037968.7在审
发明人：江磊;袁玉乔 -专利权人：南京方迅功能路面技术有限公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： E01C3/06 文献下载
摘要：一种基于冻土保护的一体化热诱导结构是由低热阻层（5）、高热阻层（6）、和一组高导热棒（2）,或低热阻封层（4）、高热阻封层（7）和一组高导热棒（2）组成的冻土保护结构，其中，低热阻层或低热阻封层的导热系数高于高热阻层或高热阻封层，高导热棒上端位于路表的低热阻层内或低热阻封层下表面，下端位于路基顶的高热阻层内或高热阻封层上表面。结构在路面中建立高导热通道，并控制两端的热导率，在夏季，诱导进入路面的热量沿高导热通道回流至路表，大幅度减少进入路基的热量；在冷季，加速路基内热量向外传递，减少路基内积热，冷却冻土路基。
低热阻高热阻封层高导热冻土保护路基热诱导路表道路使用寿命导热系数冻土路基冻土稳定黑色路面通道回流重大意义一体化热导率上表面下表面上端冷季内积下端病害冻土冷却诱导传递维护

[发明专利]一种新型低电容TVS结构及其制作方法-CN202010954549.X在审
发明人：王洋;施锦源 -专利权人：深圳市鸿泰集成电路技术有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供了一种新型低电容TVS结构及其制作方法，该新型低电容TVS结构包括高阻衬底，高阻衬底通过三重扩散工艺形成第一掺杂层及位于第一掺杂层上方的高阻层，高阻层设有沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构将高阻层分为左通道、中间通道和右通道，中间通道形成第二掺杂层，右通道内形成阱区，阱区内、左通道和中间通道内均形成第三掺杂层；采用三重扩散工艺的方式形成高阻层，获得超低电容TVS结构，相对于外延技术获得的高阻层，本发明所述方法实现难度小且制作成本低，所形成的TVS结构具有低电容和高浪涌的性能。
一种新型电容 tvs 结构及其制作方法

[实用新型]一种新型低电容TVS结构-CN202021991152.X有效
发明人：王洋;施锦源 -专利权人：深圳市鸿泰集成电路技术有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种新型低电容TVS结构，该新型低电容TVS结构包括高阻衬底，高阻衬底通过三重扩散工艺形成第一掺杂层及位于第一掺杂层上方的高阻层，高阻层设有沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构将高阻层分为左通道、中间通道和右通道，中间通道形成第二掺杂层，右通道内形成阱区，阱区内、左通道和中间通道内均形成第三掺杂层；采用三重扩散工艺的方式形成高阻层，获得超低电容TVS结构，相对于外延技术获得的高阻层，本实用新型的实现难度小且制作成本低，所形成的TVS结构具有低电容和高浪涌的性能。
一种新型电容 tvs 结构

[发明专利]带高阻层的肖特基二极管及其制备方法、功率二极管模块-CN202110532590.2有效
发明人：徐光伟;刘琦;周选择;龙世兵;赵晓龙 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种带高阻层的肖特基二极管及其制备方法、功率二极管模块，其中，带高阻层的肖特基二极管包括自下至上依次设置的第一掺杂层、第二掺杂层、高阻层；阴极电极、阳极电极；其中，第二掺杂层与第一掺杂层的载流子浓度不同；高阻层包括N型氧化镓层，载流子浓度包括0～1×1016cm‑3；阴极电极设置在第一掺杂层下表面，阴极电极与第一掺杂层形成欧姆接触；阳极电极设置在高阻层上表面，阳极电极与高阻层形成肖特基接触。
带高阻层肖特基二极管及其制备方法功率模块

[发明专利]多晶硅高阻结构及其制作方法-CN201711367190.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：胡佳威
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶硅高阻结构及其制作方法。所述多晶硅高阻结构包括衬底、形成于所述衬底上的多晶硅高阻、形成于所述衬底上且环设于所述多晶硅高阻外围与所述多晶硅高阻间隔设置的多晶硅低阻、形成于所述衬底、所述多晶硅高阻与所述多晶硅低阻的钝化层、贯穿所述氧化层且对应所述多晶硅高阻的第一接触孔、贯穿所述钝化层且对应所述多晶硅低阻的第二接触孔、形成于所述钝化层上的金属层，所述金属层包括第一部分及第二部分，所述第一部分经由所述第一接触孔连接所述多晶硅高阻，所述第二部分经由第二接触孔连接多晶硅低阻
多晶硅高阻结构及其制作方法

[发明专利]一种多值阻变存储器及其制备方法-CN201210564552.6无效
发明人：黄如;陈诚;蔡一茂;张耀凯 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种多值阻变存储器及其制备方法。一种多值阻变存储器，包括位于衬底上的下电极，位于所述下电极上的中间层，以及位于所述中间层上的上电极，其中，所述中间层包括至少两层阻变层，相邻两阻变层之间通过中间电极层隔离，所述至少两层阻变层可在外加电压作用下依次由低阻态转变为高阻态本发明实施例中的多值RRAM通过设置多层阻变层，并使这多层阻变层在外加电压作用下可以依次由低阻态转变为高阻态，实现了该RRAM的多阻值存储，而且，由于各阻变层在不同的阻态之间的转变比较好控制，某一阻变层由低阻态转变为高阻态时也不会影响其他阻变层的阻态
一种多值阻变存储器及其制备方法

[实用新型]一种车载触摸显示屏的高阻膜-CN202221795727.X有效
发明人：王国昌;张晓岚;谢丑相;籍龙占 -专利权人：杭州朗旭新材料科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车载触摸显示屏的高阻膜，涉及触控高阻膜技术领域，包括顺次排布的高阻层、缓冲层和减反层，所述高阻层、所述缓冲层和所述减反层均采用真空磁控溅射工艺沉积，所述高阻层的材料为ATO材料，所述缓冲层的材料为氮氧化硅，所述减反层的材料为低折射率材料。
一种车载触摸显示屏高阻膜

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