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[发明专利]一种高纯碳化硅粉及其制备方法-CN201910483306.X有效
发明人：靳婉琪;耶夫亨·布乐琴科;王超;贾河顺;王雅儒 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅粉及其制备方法，属于半导体材料制备领域。该高纯碳化硅粉的制备方法包括下述步骤：提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作为初碳化硅粉料；将初碳化硅粉料重结晶，制得碳化硅多晶块；将碳化硅多晶块除碳提纯，制得高纯碳化硅粉；所述重结晶的温度不低于2500℃。本申请通过重结晶的方法提高制得的高纯碳化硅粉的纯度，无需经过湿法冶金或酸洗步骤除杂，污染小、毒性小、操作性高；并且纯碳化硅粉在600‑799℃下通氧气的除碳提纯步骤使得碳化多晶块的去碳效果好、制得的高纯碳化硅粉的氧化程度低，高纯碳化硅粉用于生长碳化硅单晶的氧杂质影响小；该制备方法可制得纯度不低于99.9999％的高纯碳化硅粉，且高纯碳化硅粉的粒度可控。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
一种高纯碳化硅衬底

[发明专利]一种高纯碳化硅原料的制备方法-CN201210202086.7有效
发明人：陈建军;王辉;孔海宽;忻隽;刘熙;肖兵;杨建华;施尔畏 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C01B31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的高温氧化，形成二次碳化硅料；所述二次碳化硅料在高真空炉中经过800-1600℃高温真空脱气，形成三次碳化硅料；所述三次碳化硅料经过湿法化学冶金处理，得到高纯碳化硅原料。
一种高纯碳化硅原料制备方法

[发明专利]深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法-CN201910152688.8在审
发明人：李显坪;陈琦;唐宝发 -专利权人：扬州中天利新材料股份有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法，涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术领域，特别是碳化硅半导体用高纯碳化硅的深度提纯方法。利用碳化硅的高温难挥发的特性，在900～1200℃的条件下，含杂碳化硅粉体中杂质元素硼、铝、铁、钛、钒等与HCl气体生成低沸点的氯化物而蒸发出来，从而降低含杂碳化硅粉体中的硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素的含量，以此实现了深度去除已过到一定高纯度的碳化硅粉体中硼、铝、钛、铁、钒等杂质元素的方法，从而提升高纯碳化硅粉体的质量，用于碳化硅单晶的良率得以提高。
高纯碳化硅杂质元素碳化硅粉体粉体去除高纯硅工业化生产技术氯化物碳化硅半导体高温合成法碳化硅单晶低沸点高纯度高纯碳碳化硅提纯挥发良率蒸发生产

[发明专利]一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法-CN201811204726.1有效
发明人：高超;刘家朋;刘鹏飞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法，属于碳化硅单晶、单晶衬底领域。该大尺寸高纯碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：将装填碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于密闭保温结构的腔内，移至晶体生长装置内；后经除杂阶段、长晶阶段，制得高纯半绝缘碳化硅单晶。将高纯半绝缘碳化硅单晶经切割、研磨和抛光制得半绝缘碳化硅单晶衬底。该大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的制备方法中使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场，可制得4‑12寸的大尺寸碳化硅单晶、单晶衬底，且制备的大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的电阻率均匀、内应力小。
一种尺寸高纯碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]碳化硅单晶的连续长晶方法-CN201811302584.2有效
发明人：李加林;李宏刚;刘家朋;李长进;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅单晶的连续长晶方法，所述方法以高纯碳化硅粉料为原料按照物理气相传输法生产碳化硅单晶，在所述生产碳化硅单晶过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料中发生碳化的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料持续补充原料，实现碳化硅单晶连续生长。本发明方法在保证大尺寸单晶连续生长、抑制碳化硅粉料边缘碳化、提高粉料质量、降低碳化硅单晶杂质含量、提高碳化硅单晶品质等方面具有重要作用。
碳化硅单晶粉料高纯碳化硅双层腔室碳化物理气相传输法底角大尺寸单晶碳化硅粉料方法使用高纯硅烷腔室壁碳颗粒圆弧形生长壁侧开孔坩埚生产补充申请保证

[发明专利]一种碳化硅晶体的位错识别方法-CN202010042808.1在审
发明人：张九阳;李霞;高宇晗;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶体的位错识别方法，所述方法包括以下步骤：(1)将碳化硅晶体在碱性腐蚀剂中进行腐蚀；(2)腐蚀完成后，观察位错腐蚀坑形貌，从而将碳化硅晶体中刃位错、螺位错和基平面位错识别；所述碳化硅晶体包括高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅，其中，高纯碳化硅的腐蚀时间为5～7min，氮掺杂碳化硅的腐蚀时间为7～9min。本发明通过优化碱性腐蚀的腐蚀时间，将高纯碳化硅和氮掺杂碳化硅的腐蚀时间控制在少于10min，就能将高纯碳化硅或氮掺杂碳化硅中的刃位错、螺位错和基平面位错三种位错准确区别开来；腐蚀时间短且能将晶体中的三种位错准确识别出来
一种碳化硅晶体识别方法

[发明专利]一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法-CN201811302559.4有效
发明人：李加林;李宏刚;李长进;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;高超 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C01B32/977 文献下载
摘要：本申请公开了一种提升高纯碳化硅粉料合成效率的方法，所述方法包括如下步骤:S1、将高纯碳粉和高纯硅粉混匀，获得原料；S2、将所述原料置于坩埚的腔室中，按照高温自蔓延法反应合成高纯碳化硅粉料。在所述合成高纯碳化硅粉料过程中，使用高纯硅烷与所述高纯碳化硅粉料发生碳化后的碳颗粒反应再次形成高纯碳化硅粉料；所述坩埚还具有双层腔室壁、双层腔室壁侧壁设有开孔、腔室壁底角部为圆弧形设计。本发明方法使获得高纯碳化硅粉料的过程快捷易操作，且可有效抑制粉料碳化，大大提高合成效率，降低成本。
一种提升高纯碳化硅合成效率方法

[发明专利]一种高纯碳化硅及其制备方法-CN202310047510.3在审
发明人：李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 -专利权人：江苏吉星新材料有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B27/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种高纯碳化硅及其制备方法，该制备方法包括：(1)将碳化硅粉料进行除碳处理，得到第一碳化硅粉料；(2)将所述第一碳化硅粉料进行超声清洗处理并干燥，得到第二碳化硅粉料；(3)将碳粉、硅粉与所述第二碳化硅粉料进行混料处理，得到混合料I；(4)采用三阶段程序升温法将所述混合料I进行反应，得到高纯碳化硅。本发明提供的制备高纯碳化硅的方法，能够提高碳化硅晶体的纯度，并且能够提高大粒径碳化硅晶体的收率占比。
一种高纯碳化硅及其制备方法

[发明专利]一种高纯碳化硅晶舟的提纯方法、高纯二氧化硅涂层碳化硅晶舟及其生产工艺-CN202310028539.7在审
发明人：闫永杰;唐倩 -专利权人：南通三责精密陶瓷有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及晶舟技术领域，具体公开了一种高纯碳化硅晶舟的提纯方法、高纯二氧化硅涂层碳化硅晶舟及其生产工艺。本申请中反应烧结碳化硅晶舟基材依次经高温初纯化、卤化物处理、高温后纯化、酸洗浸泡后得到的成品高纯碳化硅晶舟，硼含量从初始的1000‑2000ppm降至500ppm‑600ppm，金属杂质总量从初始的4000然后再进一步利用高纯二氧化硅涂层对提纯后的高纯碳化硅晶舟进行表面包覆，得到成品高纯二氧化硅涂层碳化硅晶舟。本申请制得的成品高纯二氧化硅涂层碳化硅晶舟表面纯度在6N以上，基体纯度为4N左右；同时具有耐温性能好、承载强度高的特点，契合目前晶舟的应用需求。
一种高纯碳化硅提纯方法二氧化硅涂层及其生产工艺

[发明专利]一种碳化硅废料回收再利用的方法-CN202211723742.8有效
发明人：张文忠;浩瀚;赵新田;罗烨栋;周勋;洪志伟;黄世玺;瞿勇杰;祝真旺 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅废料回收再利用的方法，包括以下步骤：S100，收集PVT法合成高纯碳化硅粉料过程中产生的碳化硅废料，碳化硅废料选自第一废料以及第二废料中的一种或两种，第一废料为PVT法合成高纯碳化硅粉料过程中的废旧石墨纸经研磨筛分后得到的粒度为5‑80目的粉料，第二废料为PVT法合成高纯碳化硅粉过程中筛分得到的40目以下的碳化硅细料；S200，将碳化硅废料、硅粉以及石墨粉按照Si、C的摩尔比1:1～1.5:1的配比进行混合，得到混合物料；S300，以混合物料作为原料，采用PVT法合成高纯碳化硅粉。
一种碳化硅废料回收再利用方法

[发明专利]高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法-CN201910631401.X有效
发明人：高超;梁庆瑞;张红岩;柏文文;赵爱梅;宗艳民;王雅儒;刘圆圆 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。该高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法将碳化硅原料置于坩埚内升华为升华原料，所述升华原料利用坩埚内的轴向温度梯度气相传输至一级籽晶进行一级长晶，即制得所述高纯半绝缘碳化硅单晶；其中，所述碳化硅原料与所述一级籽晶之间至少设置一个过渡籽晶本申请的制备方法可以使用低纯度的碳化硅原料制得极高纯度的半绝缘碳化硅单晶，同时能兼顾提升高纯半绝缘碳化硅单晶的生长质量，制备成本低；且本申请制得的高纯半绝缘碳化硅单晶及其衬底无或少量缺陷、纯度高、质量高和均匀性好
质量高纯绝缘碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种提高大粒径碳化硅粉料占比的固相合成方法-CN202210792210.3在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;李有群;吴寒 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高大粒径碳化硅粉料占比的固相合成方法，本方法基于传统的固相合成方法，通过在原料混合时添加一定比例的小粒径高纯碳化硅粉体作为成核点，诱导碳化硅晶粒长大，实现大幅提高合成碳化硅粉料中大粒径粉料的比例与现有的高纯碳化硅原料合成方法相比，本方法合成的碳化硅原料中大粒径原料占比大幅提升，为生长碳化硅单晶所需的高纯度、大颗粒碳化硅原料合成提供了一种高效、简便的低成本新方案，具有纯度高、粒径大、操作简单、成本低等优点，能大批量制备满足碳化硅单晶生长用大粒径高纯碳化硅粉料。
一种提高粒径碳化硅粉料占相合成方

[实用新型]一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器-CN201922422102.3有效
发明人：王超;靳婉琪;热尼亚;柏文文 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备高纯碳化硅粉料的反应器，属于半导体材料制备领域。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器包括：坩埚，坩埚形成合成腔，合成腔包括原料区和位于原料区上方的合成区，原料区用于放置硅原料；石墨板组，石墨板组包括至少一个石墨板，石墨板组置于合成区，石墨板与硅原料之间设置间隙；加热炉，坩埚至于加热炉内，加热炉加热使得硅原料升华至与石墨板反应生成高纯碳化硅粉料。该用于制备高纯碳化硅粉料的反应器制得的高纯碳化硅粉料的纯度高；制得的碳化硅产品为颗粒状，不需要破碎/研磨后处理，防止了杂质的引入；且该反应器在制备高纯碳化硅粉料时不需要添加额外辅助剂维持合成反应的进行。
一种用于制备高纯碳化硅反应器

[实用新型]生产高纯碳化硅用原料硅源的提纯装置-CN201920255371.2有效
发明人：李显坪;陈琦;唐宝发 -专利权人：扬州中天利新材料股份有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C01B33/107 文献下载
摘要：生产高纯碳化硅用原料硅源的提纯装置，涉及高纯硅源/碳源得到的高纯硅和高纯碳高温合成法生产高纯碳化硅的工业化生产技术，特别是碳化半导体用高纯碳化硅的合成设备的技术领域，主要由蒸馏釜、精馏塔、冷却器、接受罐和尾气处理装置组成；选用低沸点的硅源和碳源进一步提纯确保提纯后合成高纯碳化硅原料的纯度，在此实施了硅源的提纯装置。
高纯碳化硅提纯装置高纯硅提纯硅源工业化生产技术尾气处理装置高温合成法合成设备低沸点高纯碳接受罐精馏塔冷却器原料硅蒸馏釜碳化半导体合成节能生产环保

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