“高纯氩气”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3533257个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种快速生长超薄大尺寸单晶过渡金属硫/硒化物的方法-CN202011531495.2在审
发明人：沈俊;鄢江兵;湛立;王旭;张鑫;崔恒清 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：该方法为：S1:一定量高纯硫于石英舟中放置于小石英管的上游；一定量高纯WO3粉体于石英舟中放置于小石英管的下游；并将硅或二氧化硅衬底氧化层面向下放置于放置高纯WO3粉体的石英舟表面；S2:调节氩气和氢气尽可能清除管内氧气；S3:开始加热，氩气保持40±0.05sccm；达到预设温度后，调节氩气和氢气流量，气压保持为常压；
一种快速生长超薄尺寸过渡金属硒化物方法

[发明专利]一种磁制冷用稀土钬铜合金的制备方法-CN202110482569.6在审
发明人：刘帅兵;韩小亮;洪威;王德盛;崔红岩;张永健 -专利权人：福建省长汀金龙稀土有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁制冷用稀土钬铜合金制备方法，包括以下步骤：步骤一：原材料准备；步骤二：原材料预处理,高纯稀土金属钬与无氧铜重量配比为40:60到60:40；步骤三：装炉，将预处理完成的原材料按照高纯稀土金属钬—无氧铜—高纯稀土金属钬的顺序依次加入钨坩埚中；步骤四：抽真空、测压升；极限真空度≤0.1pa，压升≤5pa/min；步骤五：氩气洗炉,抽真空完成后充入氩气至‑0.03Mpa，排净设备内残余空气，重复步骤四，完成后充入氩气至‑0.06Mpa；步骤六：烘炉,在氩气保护状态下进行烘炉操作，预热坩埚；步骤七：熔炼，使钨坩埚及炉料平稳升至1200~1500℃；步骤八：精炼，待坩埚内物料完全熔化后，继续加热精炼，温度控制在
一种制冷稀土铜合金制备方法

[发明专利]基于B2相及纳米有序相双析出强化的孪生诱导塑性高熵合金及其制备方法-CN202310112395.3在审
发明人：赖敏杰;支辉辉;雒毅华;李金山 -专利权人：西北工业大学;西北工业大学深圳研究院
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于B2相及纳米有序相双析出强化的孪生诱导塑性高熵合金及其制备方法，该高熵合金的组成元素及原子百分比为：19%~21%Mn，9%~11%Ni，5%~7%Si，5%~7%Al，0%~4%C，余量为Fe及不可避免的杂质元素，所述合金的制备方法如下，采用纯度不低于99.9%的纯Fe、纯Mn、纯Ni、纯Al、纯Si、纯C为原料，通过真空感应熔炼获得铸锭，将铸锭在氩气保护下进行均匀化处理，切割成板材经多道次冷轧，将冷轧后薄板在氩气保护下进行950℃保温1 h以上的固溶处理，然后水冷淬火。本申请提供的高熵合金制备成本低，具有高强度、高塑性、低密度等优点，在航天航空、先进核能、生物工程、先进装备制造及国防工业等领域具有广泛的应用前景。
基于 b2 纳米有序析出强化孪生诱导塑性合金及其制备方法

[发明专利]一种废钼靶的回收利用方法及其钼钛合金的制备方法-CN202211288776.9在审
发明人：王成铎;景奔;李松杰;何季麟;孙本双;李庆奎 -专利权人：郑州大学
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C22B34/34 文献下载
摘要：将废钼靶进行加热、熔化焊料，使钼靶坯与背板解绑，刮除钼靶坯残留焊料；处理后所得钼靶坯的焊接面进行打磨处理、加工成块状；所得钼块依次进行酸洗、高纯水清洗、烘干，得到高纯钼块。将回收所得高纯钼块或市售高纯钼块和高纯钛块进行配料，配料后加入熔炼炉中关闭炉门，反复操作抽真空、充氩气，反复操作后关闭真空泵，充入高纯氩气进行通电熔炼，反复熔炼后得到低氧、致密合金，即钼钛合金。通过本发明回收废钼靶，能够将废钼靶中铟含量降至1ppm以下，满足显示领域的要求；利用本发明制备得到的钼钛合金氧含量低、致密度高，能够有效提升其变形加工和使用性能。
一种废钼靶回收利用方法及其钛合金制备

[发明专利]一种采用三段法从空气中制备高纯氩气的方法-CN202310717621.0在审
发明人：李玉雪;戚励 -专利权人：碳和科技（北京）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C01B23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种采用三段法从空气中制备高纯氩气的方法，以空气为原料，采用第一段变压吸附装置、第二段变压吸附装置与第三段催化脱氧装置串联操作；第一段变压吸附装置包括第一段吸附塔，用于脱除氧气、二氧化碳和水，得到富含氮气和氩气的中间气；第二段变压吸附装置包括第二段吸附塔，用于进一步脱除氮气，得到富含氩气的气体，该气体中还含有微量氧气；第三段催化脱氧装置包括脱除氧气系统和脱除二氧化碳系统，脱除氧气系统采用碳燃烧的方法，脱除富含氩气的气体中的微量氧气，生成二氧化碳；脱除二氧化碳系统进一步脱除二氧化碳，得到高纯氩气。本发明采用非低温法，可实现随时制备氩气，使得氩气的获得更便捷，效率更高。
一种采用三段法空气制备高纯方法

[发明专利]一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法-CN202011366770.X有效
发明人：周敏;陈均优;张庆猛;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

[发明专利]磷化锗锌多晶体的合成装置与方法-CN201010564898.7无效
发明人：吴东;王彪;申亮;徐洪远;王云华 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：该合成方法包括：将锌、锗按化学计量重量配比为1∶1～1∶11充分混合研磨均匀，置入合成坩埚，将合成坩埚置于反应管的一端，再将反应管放入水平合成炉中，用高纯氩气反复清洗3-5遍，在蒸发器内加入过量的磷并密闭在氩气环境下；持续缓慢通入高纯氩气，使炉腔升温至400-900℃区间的某一恒定温度，同时缓慢加热蒸发器使磷缓慢升华；当磷蒸发器内剩余的磷少于冷凝器内沉积的磷时，撤走磷蒸发器的加热元件，使磷蒸发器的温度冷凝至10℃以下，随后，加热冷凝瓶内的磷，使之缓慢升华，将氩气接入冷凝瓶，如此反复，直至反应完成。本发明具有合成速率高、产物纯度高、反应完全、产出率高、安全防爆等优点。
磷化多晶体合成装置方法

[实用新型]一种利用多套空分制取的粗氩提取高纯液氩的装置-CN201420837938.4有效
发明人：孙健;李玲;韩一松;王定伟;徐庆;韩帅;谭芳;张华涛;夏鸿雁 -专利权人：杭州杭氧股份有限公司
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： F25J3/04 文献下载
摘要：一种利用多套空分制取的粗氩提取高纯液氩的装置，所述的装置包括—用于获得产品液氩的提纯系统，一与所述粗氩Ⅰ塔中部位置相连通的原料粗氩气或粗液氩输入系统，至少—台用于液体回流的循环液氩泵和一台循环液氧泵；利用在一套空分装置中增加氩提取装置，将多套带增效塔空分中的粗氩气或粗液氩提取成纯液氩；它可以有效将粗氩气或粗液氩提取为纯液氩产品，变废为宝；同时对比与每套空分装置增加提氩系统减少了设备，降低投资成本。
一种利用多套空分制取提取高纯装置

[发明专利]含水高纯氩气监测系统及方法-CN201710427036.1有效
发明人：沈雪;龙雷;张万良;林博群;肖友军;郑庆圭 -专利权人：中国船舶科学研究中心(中国船舶重工集团公司第七0二研究所)
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： G01N9/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种含水高纯氩气监测系统及方法，该系统包括安装于充氩容器的采样口与出气口之间的并依次相连的探视罐、球阀B、分水排水器、干燥器、过滤器、取样泵、节流阀、流量计B、微量氧分析仪、单向阀，所述球阀B
含水高纯监测系统方法

[发明专利]高纯氩气的制备装置和方法-CN200710050706.9无效
发明人：吴彤;熊永扬 -专利权人：四川普瑞净化设备有限公司
申请日： 2007-12-05 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C01B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯氩气的制备装置和方法。氩气的净化分为三步进行：第一级用碳质脱氧剂脱氧，第二级用分子筛脱除水、一氧化碳和二氧化碳等，而其分子筛可以自动再生，两级净化后除去氩气中85％以上杂质，第三级用合金吸气剂脱除N2和THC等，这样，一方面延长合金吸气剂寿命，另一方面可以使用廉价的3N级氩气作原料，从而降低生产成本。
高纯制备装置方法

[实用新型]高纯氩气专用压缩机系统-CN201220457866.1有效
发明人：陈崇文 -专利权人：浙江海天气体有限公司
申请日： 2012-09-08 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高纯氩气专用压缩机系统，其解决了能保证送气管网内的压力稳定的技术问题。
高纯专用压缩机系统

[发明专利]一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法-CN201610308537.3有效
发明人：陈秀芳;徐现刚;彭燕;胡小波 -专利权人：山东大学
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法。该方法包括：高纯SiC粉料的合成和采用物理气相传输法进行晶体生长，在合成料和晶体生长过程中同时降低浅能级杂质浓度，对保温材料进行高温预处理，避免硼杂质融入；硅粉和碳粉原料放在有覆层的石墨坩埚中进行SiC合成；对得到的高纯SiC粉料进行预处理，下籽晶，抽真空，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，进行晶体生长，然后快速降温增大点缺陷，再慢速降温至室温，消除应力。本方法设备投资小，安全性高，无污染。
一种应力高纯绝缘 sic 制备方法

[发明专利]一种电-氢冶金极短流程制备高纯铁水的系统及方法-CN202111296395.0有效
发明人：张俊;沈朋飞;周和敏;王锋;何鹏;徐洪军 -专利权人：钢铁研究总院;钢研晟华科技股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： C21B13/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种电‑氢冶金极短流程制备高纯铁水的系统及方法，属于高纯铁水制备技术领域，解决了现有高纯铁水冶炼时，冶炼流程长且耗能高的技术问题。该电‑氢冶金极短流程制备高纯铁水的系统包括真空感应单元、氩气喷吹单元、氢气喷吹单元、配料单元和配料喷吹单元；真空感应单元内从上至下依次为熔渣层、渣‑铁混合层和铁水层；氩气喷吹单元和氢气喷吹单元均与第三容纳层连通
一种冶金流程制备高纯铁水系统方法

[发明专利]一种高温加压掺铁硒化锌晶体的制备方法-CN202210630361.9有效
发明人：夏士兴;张丰发;林鹏;周龙;谢文强;许聪;付秋月;马天慧;叶光超;唐佳禄 -专利权人：黑龙江工程学院
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：制备方法：一、将高纯硒化锌粉末和高纯硒化亚铁粉末混合均匀，然后置于石墨坩埚内，再将装有混合物料的石墨坩埚置于晶体炉内，将晶体炉抽真空排气，并通入高纯氩气；二、晶体生长，且升温、保温及降温过程中同时向晶体炉内通入氩气
一种高温加压掺铁硒化锌晶体制备方法

[发明专利]一种多晶硅晶圆炉内碳素保温毡表面除磷的方法-CN201510986410.2在审
发明人：陈照峰;余盛杰 -专利权人：苏州宏久航空防热材料科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：其特征在于，将空置的多晶硅晶圆炉抽真空，炉内气压稳定在5~50Pa，保压0.5~1h后开始以5~8℃/min的升温速率将炉内温度缓慢升至1500~1700℃，当炉内温度升至1000~1200℃后，开始通入高纯氩气，氩气流量为300~500ml/min，炉内气压仍稳定在5~50Pa，当炉内温度升至1500~1700℃后，保温保压1~2h后，开始通入高纯氯气，氯气流量为500~1000ml/min，通入高纯氯气后，加大真空泵抽力，将炉内气压降低到10^-1~1Pa，保温保压5~10h后，停止通入高纯氯气，15~30min后开始降温，继续通入氩气直到炉内温度下降至200~400℃。
一种多晶硅晶圆炉内碳素保温表面方法