专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种含硼量子点纳米复合固态电解质及其制备方法-CN202110071308.5有效
  • 张锦芳;李晓峰;李莹;刘斌;胡胜亮 - 中北大学
  • 2021-01-19 - 2022-08-23 - H01M10/0565
  • 本发明公开了一种含硼量子点纳米复合固态电解质及其制备方法,含硼量子点纳米复合固态电解质由含硼量子点、聚氧化乙烯基体和锂盐复合组成。与现有的量子点纳米复合电解质相比,含硼量子点的加入除了可以降低PEO基体的结晶度外,还能提供许多路易斯酸位点,这些路易斯酸位点可有效提高锂盐的离解度和对锂盐中阴离子的吸附,大幅提高PEO基体的电导率因此,含硼量子点纳米复合固态电解质在室温25℃和高温100℃下都表现出优异的电导率。与现有制备技术相比,本发明通过简单的水热反应制备了含硼量子点,并与PEO基体、锂盐混合均匀流延成膜即得含硼量子点纳米复合电解质。该制备工艺简单,原料成本低,环保绿色,有利于大规模生产。
  • 一种含硼碳量子纳米复合固态电解质及其制备方法
  • [发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN201780000763.8有效
  • 寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 - 株式会社日立高新技术
  • 2017-01-31 - 2021-08-24 - H01L21/3065
  • 本发明提供等离子处理方法及其处理装置,在对使用了含硼的无定形膜的层叠膜进行蚀刻时,通过实现选择比、蚀刻速率而能够进行连贯加工,通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化,进而具有垂直加工的形状控制性本发明是通过对具有含硼的无定形膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法,其特征在于,使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形膜进行等离子蚀刻
  • 等离子处理方法以及装置
  • [发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置-CN202010515418.1有效
  • 寺仓聪志;森政士;荒濑高男;岩濑拓 - 株式会社日立高新技术
  • 2017-01-31 - 2023-08-29 - H01L21/3065
  • 本发明提供等离子处理方法及其处理装置,在对使用了含硼的无定形膜的层叠膜进行蚀刻时,通过实现选择比、蚀刻速率而能够进行连贯加工,通过简化掩模成膜工序来实现包括前后工序在内的高处理量化,进而具有垂直加工的形状控制性本发明是通过对具有含硼的无定形膜的层叠膜进行等离子蚀刻来形成掩模的等离子处理方法,其特征在于,使用氧气、含氟气体、卤素气体和四氟化硅气体的混合气体或者氧气、含氟气体、卤素气体和四氯化硅气体的混合气体来对所述含硼的无定形膜进行等离子蚀刻
  • 等离子处理方法以及装置
  • [发明专利]低k氮化硼膜-CN202280013114.2在审
  • 沈泽清;戚波;A·B·玛里克;N·K·英格尔 - 应用材料公司
  • 2022-01-05 - 2023-10-03 - H01L21/02
  • 半导体处理的示例性方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硼和氮的前驱物。基板可设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可包括生成含硼和氮的前驱物的电容耦合等离子体。所述方法可包括在基板上形成含硼和氮的层。所述含硼和氮的层可由低于3.5或约为3.5的介电常数表征。
  • 氮化

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