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[发明专利]一种高硼硅耐热玻璃器皿的生产工艺-CN201910460355.1在审
发明人：张学新 -专利权人：张学新
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：一种高硼硅耐热玻璃器皿的生产工艺，属于玻璃生产工艺技术领域。在高硼硅耐热玻璃半成品开口处放置彩色玻璃管，在1200度高温火焰下将两者融合，得到带有过渡口的高硼硅耐热玻璃器皿；自然冷却至0‑10度；然后在1小时内升温至580度，取出得到高硼硅耐热玻璃过渡口产品。本发明产品为双颜色玻璃制品，在过渡口部及底部染色，物美价廉且多样化，可以用于玻璃杯子、双层水杯、水瓶、水壶、餐具等玻璃器皿；可以进行二次加工，500度以上不炸裂。
耐热玻璃高硼硅过渡口器皿生产工艺玻璃生产工艺彩色玻璃管炸裂玻璃杯子玻璃器皿二次加工高温火焰双层水杯颜色玻璃开口处染色水瓶半成品水壶餐具取出融合

[发明专利]高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用-CN201910127975.3有效
发明人：屈雪平 -专利权人：佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃材料领域，公开了高硼硅玻璃的制备方法和高硼硅玻璃及其应用，该方法包括：将高硼硅玻璃组合物混合后依次进行熔融，成型，在550‑650℃下保温1‑4h，冷却至室温，并在680‑750℃下晶化1由该方法获得的玻璃的最大抗弯强度能够达到96.2MPa，玻璃表面硬度能够达到8.04GPa；且在260℃和0℃冷热冲击作用下不发生开裂，高处落下多次(3次)也不发生开裂，具有明显提高的使用安全性。而且，高硼硅玻璃不生锈，也不会导致中毒等问题，特别适用于制备玻璃锅具。
高硼硅玻璃制备方法及其应用

[发明专利]一种含镁高硅钙质胶磷矿的选矿方法-CN202011562282.6有效
发明人：朱军;段湛健;任亚林;浦绍广;王佳才;龙辉;吴相荣 -专利权人：贵州川恒化工股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种含镁高硅钙质胶磷矿的选矿方法，包括以下步骤：a)将含镁高硅钙质胶磷矿破碎后加水搅拌成一次矿浆，进行第一次旋流分级，分别得到一次细矿和一次粗矿；b)将步骤a)得到的一次粗矿加水进行一次磨矿，得到二次矿浆；然后将所述二次矿浆加水搅拌后，进行第二次旋流分级，分别得到二次细矿和二次粗矿；c)将步骤b)得到的二次粗矿加水进行二次磨矿，得到三次矿浆；d)将步骤c)得到的三次矿浆与步骤a)得到的一次细矿在浮选机中混合
一种含镁钙质磷矿选矿方法

[发明专利]一种搪瓷炉架用高铬废钢生产配方和工艺方法-CN202210447681.0有效
发明人：王超;勾建;王艳山;楚希伟;李大鹏 -专利权人：保定市东利机械制造股份有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C22C33/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种搪瓷炉架用高铬废钢生产配方和工艺方法，S1、将球铁屑、石墨化增碳剂、高铬(Cr≥1％)钢屑、普通碳素钢废钢、灰铁回炉料按顺序依次加入中频电炉熔炼；S2、依次加入硅铁和锰铁，待全部融化后，取样进行红外碳硫分析和光谱化学分析；S3、检验化学成分合格后，将铁水静置；S4、将铁水倒入周转包，将硅钡孕育剂倒入浇注机内剩余铁水的表层，将周转包内铁水倒入浇注机进行一次孕育；S5、一次孕育后的铁水由浇注机浇注进砂型，同时使用硅锶孕育剂进行二次随流孕育。本发明采用上述结构的一种搪瓷炉架用高铬废钢生产配方和工艺方法，搪瓷爆瓷率降低到0.01％以下，变形量小于1mm，断裂比例小于0.02％，显著降低了产品料废率。
一种搪瓷炉架用高铬废钢生产配方工艺方法

[发明专利]一种锂离子电池复合负极材料及其制备方法-CN201110161175.7有效
发明人：郭华军;赖浚;李新海;王志兴;彭文杰;胡启阳;张云河 -专利权人：中南大学
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01M4/1395 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳复合负极材料及制备方法，采用两次喷雾干燥一次烧结处理制备该材料，其制备方法为：1)将有机碳源溶于适量溶剂中，加入硅源和分散剂分散均匀，再加入石墨化碳分散一定时间，均匀分散的悬浮液一次喷雾干燥后，得到球形核材料；2)将有机碳源溶于适量溶剂中，加入制备的球形核材料后，分散均匀，再把均匀分散的悬浮液二次喷雾干燥，所得粉末转入保护性气氛中烧结，随炉冷却，即得锂离子电池硅碳复合负极材料。本发明简单易行，实用化程度高，制备的硅碳复合材料具有可逆容量大、容量可设计、循环性能和大电流放电能力好、振实密度高等优点。
一种锂离子电池复合负极材料及其制备方法

[实用新型]一体式硅铝低氮真空热水机-CN201820237928.5有效
发明人：陶明飞 -专利权人：山东华科热力科技有限公司
申请日： 2018-02-10 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： F24H1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一体式硅铝低氮真空热水机，包括机体，所述的机体包括燃烧换热模块和喷淋强化换热模块,喷淋强化换热模块位于燃烧换热模块的上方，燃烧换热模块设置有燃烧室和铸硅铝热交换器，铸硅铝热交换器包括一次热媒通道和烟道，喷淋强化换热模块设置有管束和壳腔，管束位于壳腔内，燃烧换热模块的一次热媒通道和喷淋强化模块的壳腔通过循环泵和管道连接成一次热媒循环通道，所述的一次热媒循环通道处于负压状态；本实用新型一体式硅铝低氮真空热水机换热效率高
硅铝换热模块喷淋真空热水机强化换热低氮壳腔燃烧一次热媒通道本实用新型热交换器循环通道一次热媒管束燃烧室热效率负压状态管道连接模块设置集约化循环泵烟道

[发明专利]一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法-CN201510721444.9有效
发明人：周虎;王红超;严利均;刘身健 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过对被刻蚀硅在每次刻蚀前进行两次钝化，并且第一钝化步骤是在高压条件下进行，第二钝化步骤是在低压高偏置功率的条件下进行；通过第一钝化步骤能够确保聚合物快速地分布在被刻蚀硅的开口侧壁上，通过第二钝化步骤能够确保聚合物均匀地分布在被刻蚀硅的开口底部。本发明公开的一种在高宽比硅刻蚀中用于提高侧壁刻蚀效果的方法，通过在每次刻蚀钱进行两次钝化，能够确保聚合物均匀分布在被刻蚀硅的开口侧壁、底部，从而确保再次刻蚀后的硅侧壁不会出现条纹状或洞状的粗糙面，提高了刻蚀后的硅的侧壁光滑度
一种刻蚀用于提高侧壁效果方法

[发明专利]负极材料、二次电池和电子装置-CN202211231104.4有效
发明人：胡光武 -专利权人：宁德新能源科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请提供了一种负极材料、二次电池和电子装置。本申请的负极材料包括硅碳复合颗粒，该硅碳复合颗粒包括单质硅、碳化硅和碳材料，其中，硅碳复合颗粒的第一区域中碳化硅晶粒的数量为a，第二区域中碳化硅晶粒的数量为b，5≤a/b≤10，其中，第一区域是指从硅碳复合颗粒表面到硅碳复合颗粒中心方向50nm的区域，第二区域是指从硅碳复合颗粒中心到硅碳复合颗粒表面方向100nm的区域。本申请的负极材料具有高的克容量和低的体积膨胀，进而使得包含该负极材料的二次电池具有较高的能量密度和优异的循环性能。
负极材料二次电池电子装置

[发明专利]一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法-CN202210463712.1有效
发明人：罗大伟;高子杰;邓佳宝;荣科 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种炉外精炼去除工业硅熔体中磷、硼杂质的方法，属于高纯硅生产领域。本发明采用无机氯化锌作为除杂媒介，在高温下迅速分解为锌离子和氯离子，在与硅熔体接触的过程中杂质磷、硼会与锌离子和氯离子发生反应生成低熔点和高熔点的化合物，低熔点的化合物在硅炉外精炼的高温下挥发逸出工业硅熔体，而高熔点的化合物随着硅凝固后偏析与晶界处，破碎后采用酸洗除去，或者下沉到硅熔体最底部，当硅熔体凝固后，通过切除硅锭底部位置的沉积层除去。本发明方法操作简单，能耗低，只需加入氯化锌一种物质一次性即可除去硅中的磷、硼，且不引入新的杂质，加入的除杂媒介氯化锌来源广泛，成本低，除磷、硼后的硅符合太阳级硅对杂质含量的要求。
一种精炼去除工业硅熔体中磷杂质方法

[发明专利]一种处理低镁高铁铝硅钙质胶磷矿的双反中矿正浮选方法-CN201910668158.9有效
发明人：刘云涛;郑光明;沈维云;李防;郝旭涛;刘连坤;朱排场;宋文义;杨勇;刘养春;李丰 -专利权人：中蓝连海设计研究院有限公司;宜都兴发化工有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B03D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理低镁高铁铝硅钙质胶磷矿的双反中矿正浮选方法，属选矿技术领域。该方法在弱酸性条件下进行脱硅脱铁铝反浮选，粗选精矿再进行脱镁反浮选，槽内产品为磷精矿；脱硅脱铁铝反浮选粗选尾矿再经一次或多次扫选，泡沫产品为高硅高铁铝尾矿，槽内产品为脱硅脱铁铝中矿，经浓密脱水设备，提高矿浆浓度后进行正浮选作业本发明工艺可以处理中低品位磷矿，并通过双反浮选和中矿正浮选组合工艺得到不同等级磷精矿，满足下游不同酸法加工用磷矿石要求，同时去除镁、硅、铁、铝等杂质，资源利用率高。
一种处理低镁高铁铝硅钙质磷矿双反中矿正浮选方法

[发明专利]非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池及非水电解质二次电池用负极的制造方法-CN202211456461.0在审
发明人：高桥广太;广濑贵一;松野拓史 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明为一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，该非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于：所述负极活性物质颗粒含有包含硅化合物(SiOx：0.5≤x≤1.6)的硅化合物颗粒，所述硅化合物颗粒含有Li化合物，所述硅化合物颗粒的至少一部分被碳材料所覆盖，所述硅化合物颗粒的表面或所述碳材料的表面或该两个表面的至少一部分被含有具备甲硅烷基的化合物的层所覆盖由此，提供一种对水系浆料的稳定性高且为高容量，且同时循环特性及初次效率良好的非水电解质二次电池用负极活性物质。
水电二次电池负极制造方法

[发明专利]非水电解质二次电池用负极活性物质及其制备方法以及包含其的非水电解质二次电池-CN201880036598.6有效
发明人：高桥广太;广濑贵一;松野拓史 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明为一种非水电解质二次电池用负极活性物质，其包含负极活性物质颗粒，该非水电解质二次电池用负极活性物质的特征在于：所述负极活性物质颗粒含有包含硅化合物(SiOx：0.5≤x≤1.6)的硅化合物颗粒，所述硅化合物颗粒含有Li化合物，所述硅化合物颗粒的至少一部分被碳材料所覆盖，所述硅化合物颗粒的表面或所述碳材料的表面或该两个表面的至少一部分被含有具备甲硅烷基的化合物的层所覆盖由此，提供一种对水系浆料的稳定性高且为高容量，且同时循环特性及初次效率良好的非水电解质二次电池用负极活性物质。
水电二次电池负极活性物质及其制备方法以及包含

[发明专利]一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法-CN202210731188.1有效
发明人：母志强;姜文铮;赵佳;李卫民;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
一种应力氮化压电薄膜生长方法

[发明专利]非水电解液二次电池用负极材料及非水电解液二次电池-CN201210357167.4有效
发明人：谷口一行;中西铁雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种非水电解液二次电池用负极材料以及使用此非水电解液二次电池用负极材料的非水电解液二次电池，所述非水电解液二次电池用负极材料的容量高，且初次充放电效率及循环特性优异，并且安全性、可靠性较高为了解决此课题，本发明提供一种非水电解液二次电池用负极材料及使用此非水电解液二次电池用负极材料的非水电解液二次电池，该非水电解液二次电池用负极材料包含硅系活性物质的粒子，所述非水电解液二次电池用负极材料的特征在于：上述硅系活性物质的粒子，由含有全氟聚醚基的有机硅化合物的被膜所包覆。
水电二次电池负极材料

[发明专利]用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法以及使用所述硅纳米线和/或纳米带的锂电池和阳极-CN201480055273.4在审
发明人： X·孙;Y·胡;X·L·李;R·李;Q·杨 -专利权人： SPI公司
申请日： 2014-10-03 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C30B29/60 文献下载
摘要：本发明提供用于大量生产硅纳米线和/或纳米带的方法。本发明方法是采用蚀刻剂的化学蚀刻工艺，所述蚀刻剂相对于硅相优先从多相硅合金蚀刻并去除其它相，且允许获得残余的硅纳米线和/或纳米带。在蚀刻前，所述硅合金在所述多相硅合金的微结构中包含或经处理以包含一维和/或二维硅纳米结构。当被用作二次锂电池的阳极时，通过本发明方法生的硅纳米线或纳米带展现高储存容量。
用于大量生产纳米方法以及使用锂电池阳极