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[实用新型]一种4.0系数玻璃太阳能集热管外置螺纹焊接装置-CN201820692136.7有效
发明人：周玉春 -专利权人：东海县飞亚电光源有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C03C27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种4.0系数玻璃太阳能集热管外置螺纹焊接装置，包括高硼硅玻璃管，所述高硼硅玻璃管的内部开设有玻璃管管腔，且玻璃管管腔的内部设置有真空玻璃管，所述高硼硅玻璃管的一端设置有外置焊接螺纹管，且外置焊接螺纹管远离高硼硅玻璃管的一端焊接有短颈，所述外置焊接螺纹管的外表面设置有螺纹，所述高硼硅玻璃管靠近外置焊接螺纹管的内表面设置有玻璃与可伐金焊接点。本实用新型中，外置焊接螺纹管与高硼硅玻璃管经高温焊接后膨胀系数变得一致，可保障焊接点不炸裂，相较于采用过度玻璃方法焊接而言，可一次焊接完成高硼硅玻璃管和外置焊接螺纹管的高温熔封操作，结构新颖，具有很好的实用性
高硼硅玻璃管外置焊接螺纹管玻璃玻璃太阳能集热管本实用新型螺纹焊接焊接点真空玻璃管高温焊接内部设置膨胀系数一次焊接一端设置炸裂内表面螺纹短颈可伐熔封

[发明专利]一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法-CN200710075696.4无效
发明人：牛丽红 -专利权人：深圳大学
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，包括步骤：A1.按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；A2.将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；A3.在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。本发明设备成本低，工艺过程简单，技术难度小，整个制备时间相对较短，所沉积的材料二次电子发射系数高，是制作硅微通道板二次电子发射层方法的一大进步。
一种制作通道二次电子发射方法

[发明专利]氧化亚硅负极材料、电极及其制备方法和应用-CN201910692144.0有效
发明人：潘福森;童磊;沈龙;吴志红;丁晓阳;李虹 -专利权人：宁波杉杉新材料科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化亚硅负极材料、电极及其制备方法和应用。其包括以下步骤：在惰性气氛的条件下，将预浸渍的硅负极材料进行第一次热处理、第二次热处理后即得；预浸渍的硅负极材料为锂化溶液与氧化亚硅的混合液干燥后所得粉料；第一次热处理中第一包覆剂为含氟元素且能在500℃以下释放或分解出含氟气体的物质；第二次热处理中第二包覆剂为含碳有机气体或者500℃以下能够气化形成含碳气体的固态含碳有机物或者液态含碳有机物。本发明制备方法工艺简单可行，可实现规模化生产；本发明硅碳负极材料不仅具有高容量和高首效、循环性能好，还具有环境友好、使用方便的特性；本发明的硅碳负极材料可以用于锂离子电池、固态电池等领域。
氧化负极材料电极及其制备方法应用

[发明专利]低紫外吸收多孔和无孔高硅氧玻璃的制备方法-CN200410067899.5无效
发明人：陈丹平 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： C03C4/08 文献下载
摘要：一种低紫外吸收多孔和无孔高硅氧玻璃的制备方法，该方法的要点是添加氧化剂、两次熔融法、重复酸处理以制备出低过渡金属离子含量的多孔高硅氧玻璃，再、还原烧结，制备出低紫外吸收的无孔高硅氧玻璃。本发明方法制备的玻璃熔融温度不高，生产成本低，可以制备成块状、管状、棒状和纤维等多种形状，以适应各种应用的需要，并具有高光学质量、热光稳定性和物理化学特性好，紫外吸收低等特点。
紫外吸收多孔无孔高硅氧玻璃制备方法

[发明专利]改性硅材料及制备方法、负极材料、负极极片、二次电池、电池模块、电池包及用电装置-CN202180091154.4在审
发明人：官英杰;赵玉珍;马晴岩;温严;黄起森;赵丰刚 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请提供了一种具有核壳结构的改性硅材料、制备改性硅材料的方法、负极活性材料、负极极片、二次电池、电池模块、电池包和用电装置；其中，一种具有核壳结构的改性硅材料，包括内核、包覆内核的第一包覆层和包覆在第一包覆层外的第二包覆层，内核为单质硅和/或硅合金，第一包覆层包含硅氧化合物，第二包覆层包含氟化锂、碳酸锂和碳，改性硅材料中锂元素与碳元素的重量比为6％～52％。本申请改性硅材料的克容量高、导电性好，使得电池的首次库伦效率高、循环性能好。
改性材料制备方法负极二次电池模块用电装置

[发明专利]一种多晶硅还原生产工艺及装置-CN201210348552.2有效
发明人：陈喜清;银波;潘小龙;陈朝霞;张伟;刘桂林 -专利权人：特变电工新疆硅业有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原生产工艺，包括步骤：a1、将液态三氯氢硅通过三氯氢硅汽化器汽化得到气态三氯氢硅；a2、与步骤a1同时，将氢气预热得到热氢气；a3、将气态三氯氢硅和热氢气按照氢过量的配比通过静态混合器混合均匀本发明工艺流程能耗低、多晶硅沉积速度高、三氯氢硅一次转化率高。本发明同时公开了一种多晶硅还原生产装置。
一种多晶还原生产工艺装置

[发明专利]一种含硅废水的电絮凝除硅工艺及系统-CN202011063029.6在审
发明人：焦伟丽;何辉 -专利权人：东莞市三人行环境科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： C02F9/06 文献下载
摘要：本发明涉及含硅废水处理技术领域，具体涉及一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，1)将含硅原水收集至原水收集池中，再将原水收集池中含硅原水通过气液混合泵泵入电絮凝装置中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池中静置分层；2)将步骤1)中经过沉淀池沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池沉降分层后的上层清液送入中间水池进行二次沉降；3)将步骤2)中经过中间水池二次沉降后的上清液送入多介质过滤器中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用本发明的含硅废水的电絮凝除硅工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理，实用性高。
一种废水絮凝工艺系统

[实用新型]平板可控硅组绝缘底壳-CN201320535483.6有效
发明人：张福贵;魏广智;程道星;朱卫东;孟苗苗;王瑞芳 -专利权人：焦作华飞电子电器股份有限公司
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平板可控硅组绝缘底壳，它包括壳体，在所述壳体上设有中间套管和预留孔，预留孔内嵌有高导热绝缘块，高导热绝缘块与壳体的底面平齐。采用上述方案的本实用新型可使大直径可控硅组合使用，壳体和中间套管采用绝缘材料一次浇注成型，高导热绝缘块既能满足绝缘要求又能实现导热要求，并且可承受大直径可控硅安装所需要的较大压紧力。
平板可控硅绝缘

[发明专利]一种非水电解质二次电池负极材料用硅氧化物-CN201711385351.9有效
发明人：廖云龙;杨茂萍;齐美洲 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种非水电解质二次电池负极材料用硅氧化物，其是通过使SiO气体和含锂气体共同沉积而获得的含锂硅氧化物，且所述含锂硅氧化物的含锂量为0.1‑20％。本发明含锂硅氧化物性能优异，可提高非水电解质二次电池的性能，体积膨胀较小、循环性能较为优良，还具有高首次库伦效率、高容量的优异性能。本发明原料易得，成本低廉，可广泛应用于工业化生产。
一种水电二次电池负极材料氧化物

[发明专利]一种固相硅凝胶SG泡沫材料的改性方法-CN202111248921.6在审
发明人：胡涛;朱瑞;胡兴元 -专利权人：乌鲁木齐益好天成新型节能材料有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： C09D183/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅凝胶SG泡沫材料的改性方法。由高含氢硅油与甲醇与渗透剂复配的改性液，经喷涂至固相硅凝胶SG泡沫材料上，经过静置，SG泡沫材料充分吸收改性液，并完成部分反应，之后再经高温完全反应。经上述改性的SG泡沫裸板由冻融循环5次以上，提升到50次以上。
一种固相硅凝胶 sg 泡沫材料改性方法

[发明专利]用于土壤污染修复的巯基接枝且光催化剂负载的高硅氧玻璃纤维的制备方法-CN201510419948.5有效
发明人：韩君;徐愿坚;周建强;赵明阳;杨立鹏;王献德;李亚静;张如意;温琦;邢阳;周敏;高涛 -专利权人：北京新源环境有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： C03C25/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于土壤污染修复的巯基接枝且光催化剂负载的高硅氧玻璃纤维的制备方法，首先将巯丙基三甲氧基硅烷经过纯化后，均匀分散在有机溶剂中与高硅氧玻璃纤维反应，得到表面接有巯基的高硅氧玻璃纤维以提高其对重金属离子的吸附性能；然后利用此多尺度增强高硅氧玻璃纤维与光催化剂颗粒浸入Na3PO4溶液中处理，后经过滤、洗涤和干燥，生成多尺度增强体巯基接枝且光催化剂负载高硅氧玻璃纤维的复合材料。本发明的有益效果在于，提供一种工艺简单、成本低、适用范围广、无二次污染的用于土壤污染修复的巯基接枝且光催化剂负载的高硅氧玻璃纤维的制备方法。
用于土壤污染修复巯基接枝光催化剂负载高硅氧玻璃纤维制备方法

[发明专利]硅-石墨复合负极材料、负极片、二次电池-CN202110141798.1在审
发明人：陈功锋 -专利权人：恒大新能源技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明属于二次电池技术领域，尤其涉及一种硅‑石墨复合负极材料，以及一种负极片，一种二次电池。其中，硅‑石墨复合负极材料包括重量份数的原料组分：73～98份的石墨，1～26份的SiC，1～3份的SiO。本发明硅‑石墨复合负极材料，通过石墨对SiO和SiC硅基材料体积膨胀的抑制作用，以及SiO和SiC的膨胀和首效互补效应，不但可有效降低因极片体积膨胀导致的极片掉粉，提高极片稳定性和安全性；而且高克容量的SiO和SiC硅基材料确保了负极片的能量密度和首效效率。
石墨复合负极材料二次电池

[发明专利]一种ITH结构硅铝分子筛的制备方法-CN200510059767.2有效
发明人：林民;焦永东;朱斌;郑金玉;汝迎春;刘郁东;舒兴田;宗保宁;罗一斌 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2005-03-31 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C01B39/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种ITH结构硅铝分子筛的制备方法，其特征在于该方法包括下列步骤：(1)将合成ITH结构的硼硅分子筛混合物凝胶经50～100℃赶醇，再置于120～200℃的水热条件下晶化2小时到10天，得到ITH结构硼硅分子筛；(2)将(1)得到的硼硅分子筛在室温～100℃下用酸溶液处理；(3)将(2)的产物与无机铝溶液在100～170℃下接触一次或一次以上，得ITH结构的硅铝分子筛。该方法与现有技术相比可以缩短制备时间，所得分子筛骨架铝含量高。
一种 ith 结构分子筛制备方法

[发明专利]一种硅基复合材料、制备方法以及负极和锂离子电池-CN202010237875.9有效
发明人：李硕;范协诚;袁芳伟;石佳光;胡保平;刘朗 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开一种硅基复合材料的制备方法，包括：S1,将硅的粉料、氧化硅的粉料进行第一次碳包覆处理，得到第一粉体；S2,将第一粉体进行第二次碳包覆处理，得到第二粉体；S3，将第二粉体进行筛分、除磁处理，得到硅基复合材料本发明还公开采用上述方法制备的硅基复合材料、以及包含上述硅基复合材料的锂离子电池负极和包含上述负极的锂离子电池。本发明具有首次库伦效率高、体积膨胀小等优点。
一种复合材料制备方法以及负极锂离子电池

[发明专利]一种多元硅基化合物的制备方法-CN201210268683.X有效
发明人：刘永锋;李瑞;潘洪革;贺燕萍;高明霞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元硅基化合物的制备方法，包括以下步骤：将硅与至少两种储氢化合物进行球磨混合，所得混合物在真空或惰性气体气氛下加热放氢，冷却至室温，得到多元硅基化合物；所述的储氢化合物选自碱金属氢化物和本发明多元硅基化合物的制备方法具有以下优点：制备方法过程简单、可控性强，易于操作，成本较为低廉；所得多元硅基化合物的产率高，纯度高，相均匀度好；所得多元硅基化合物用作锂离子二次电池负极材料，具有库仑效率高
一种多元化合物制备方法