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[其他]人高生长剂制造技术-CN85107718无效
发明人：张春富 -专利权人：张春富
申请日： 1985-10-18 - 公布日： 1987-04-22 - 主分类号： A61K35/78 文献下载
摘要：能促进人脑垂体生长激素的分泌，能使人体加速长高的人高生长剂。本发明中草药配制的人高生长剂，不但能使人体加速长高，同时还可促进人脑智力发育，提高人的记忆力、视力，生长毛发，性器官发育，女性乳房发育，防治骨折疏松背驼，活血生肌，消除劳累，强壮人体，中老年人使用可抗老还童另外，还可适用其它动物生长。
生长制造技术

[发明专利]高生长流感病毒-CN202080020116.5在审
发明人： T·穆斯特尔;A·阿斯佩隆德;M·沃尔舍克 -专利权人：蓝天免疫疗法有限责任公司;维瓦尔第生物科学有限公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： A61K39/145 文献下载
摘要：本发明提供了在PB2、PB1、M1和/或NS2蛋白中包含氨基酸修饰的高生长流感重配病毒和高生长流感重配病毒载体，其与未经修饰的流感病毒相比展现出高度增加的生长速率。
生长流感病毒

[发明专利]高次团粒植物生长基质-CN201010588782.7无效
发明人：张卫 -专利权人：青岛高次团粒环保科技有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高次团粒植物生长基质，其组分的重量比为天然纤维1100-1500份，腐殖质900-1000份，高次团粒剂30-45份，天然粘土剂30-40份，种子140-160份，肥料100-150份，在植物生长基质中添加珍珠岩，具有饱和吸水时重量轻的特点，有效解决了坡地结构的荷载问题，避免喷播材质过重而剥落；产品的多孔性特点极大促进了植物的虚根系生长和发育，对树木有着极好的固定作用，同时克服了树木主根对建筑结构的破坏
团粒植物生长基质

[实用新型]LED高聚植物生长灯-CN201420218236.8有效
发明人：蓝庆武;杨帆;朱晓月 -专利权人：南宁立节节能电器有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： F21S2/00 文献下载
摘要：LED高聚植物生长灯，其特征在于，包括灯座、风扇、独立电源、灯罩、LED发光体、散热铝板、铝基板和智能控制器；LED发光体用导热硅胶固定安装在铝基板上，铝基板、灯座和散热铝板平行安装；壳体内装有风扇和独立电源
led 植物生长

[实用新型]植物高生长量测量装置-CN202222505644.9有效
发明人：李冬妍;翁国盛;赵利群 -专利权人：黑龙江省森林植物园（黑龙江省森林植物研究所）
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01B5/02 文献下载
摘要：植物高生长量测量装置，属于植株生长量测量技术领域。本实用新型是为了解决现有植物高生长量采用皮尺或卷尺测量，由于测量起点不固定并且与植株形状难匹配而造成测量数据误差大的问题。本实用新型用于植株生长量测量。
植物生长测量装置

[外观设计]植物生长灯（高功率LED）-CN202130030644.6有效
发明人：朱继强 -专利权人：深圳市艾博特照明有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：植物生长灯（高功率LED）。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于室内植物生长照明灯具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
植物生长功率 led

[发明专利]高阻硅外延片生长方法及生长设备-CN202111423875.9有效
发明人：王群;龚逸品;茅艳琳;李鹏;王江波 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种高阻硅外延片生长方法及生长设备，属于半导体器件制备技术领域。先对高阻硅衬底依次进行F等离子体处理与N等离子体处理，F等离子体对高阻硅衬底的表面进行处理，一方面F等离子体不易渗入高阻硅衬底中出现高阻硅衬底电性出现问题的情况；另一方面F等离子体可以增强高阻硅衬底表面的电负性在后续N等离子体处理的过程中，N等离子体处理与F等离子体处理在高阻硅衬底的表面可以形成非常致密且绝缘的保护层。有效避免了后续生长的AlN缓冲层、GaN外延层及PN半导体中Al原子或Ga原子混合或者掺杂进高阻硅衬底中，保证了高阻硅衬底的绝缘状态，减少了高阻硅衬底的寄生电容区，降低了射频器件在应用中引入的损耗。
高阻硅外延生长方法设备

[发明专利]一种氮化镓高铝组分的外延生长方法-CN202011232482.5有效
发明人：尹宝堂;姚青;张容川;朱静;王伟华 -专利权人：辽宁百思特达半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种氮化镓高铝组分的外延生长方法；包括以下步骤：衬底处理、生长氮化镓成核层、生长氮化镓模板层、生长氮化镓缓冲层、生长多个多量子阱应力传递层以及生长GaN盖层。本发明的目的在于提供一种氮化镓高铝组分的外延生长方法，能够实现高阻值。
一种氮化镓高铝组分外延生长方法

[发明专利]一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统-CN202310426650.1在审
发明人：陈宁;李天亦;桂卫华;阳春华;刘洪臻;刘红杰;陈嘉瑶;李彬艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高镍正极材料晶粒生长过程的模拟方法及系统，根据高镍正极材料烧结实验所获取的晶粒生长数据，获得不同温度不同时间下的一次晶粒分布规律；根据一次晶粒分布规律，通过机理方程MSE匹配建立最符合实验材料的晶粒生长机理公式；通过平均粒径与温度和时间的关系，辨识出高镍正极材料的晶粒生长活化能；根据晶粒生长机理公式与晶粒生长活化能，获得高镍正极材料晶粒生长参数，获得不同温度下的高镍正极材料晶粒生长速率；根据所需要模拟的高镍正极材料晶粒生长过程特点，建立概率对冲元胞自动机，提出晶粒生长速率规则，在元胞自动机中实现晶粒生长。
一种正极材料晶粒生长过程模拟方法系统

[发明专利]一株耐高糖、高酒精和高酸酿酒酵母ATCC9763的筛选和应用-CN201110116971.9无效
发明人：魏华;陈廷涛;许恒毅;徐锋;万翠香;汪孟娟;熊顺强;姜淑英 -专利权人：南昌大学
申请日： 2011-05-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C12N1/18 文献下载
摘要：一株耐高糖、高酒精和高酸酿酒酵母ATCC9763的筛选和应用，其应用如下：1、利用该酿酒酵母耐受高糖、高酒精和生长快速等特点，可应用于葡萄酒发酵和生产；2、利用该酿酒酵母产气量大、生长快等特点，可应用于酸面团发酵生产；3、利用该酵母耐高酸，需/厌氧皆可生长等特点，可应用于动物饲料发酵生产；4、利用该酿酒酵母生长快，需/厌氧皆可生长等特点，可用作基因工程菌株。本发明的优点是：来源于农家自制葡萄酒的酿酒酵母ATCC9763，具有耐高酸、高糖、产气量大、生长迅速等特点，可应用于葡萄酒生产，酸面团发酵和动物饲料发酵；此外，因该酿酒酵母生长迅速，需/厌氧皆可生长，可作为良好的工程候选菌株
一株耐高糖酒精酿酒酵母 atcc9763 筛选应用

[发明专利]非共晶成分共晶高熵合金获得全共晶组织和性能调控方法-CN202210285537.1在审
发明人：彭鹏;李升渊;冯小宁;徐远丽;张旭东;马智锟 -专利权人：兰州大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种非共晶成分共晶高熵合金获得全共晶组织和性能调控方法，根据AlCoCrFeNi2.1共晶高熵合金样品实际浓度、熔点以及两相的生长温度定向利用最高界面温度准则和界面响应函数，建立不同生长速度与两相生长温度的预测关系；通过定向凝固得到不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金；将不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金组织与利用最高界面温度准则和界面响应函数，建立不同生长速度与两相生长温度的预测关系进行对比；对不同生长速度下定向凝固共晶高熵合金进行拉伸性能测试。该方法利用最高界面温度准则和界面响应函数来预测合金凝固过程中的竞争生长现象，从而判断合金最终凝固组织。
非共晶成分共晶高熵合金获得全共晶组织性能调控方法

[发明专利]一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法-CN202210219884.4在审
发明人：李国强 -专利权人：广州市众拓光电科技有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种p型GaN层的生长方法和外延结构及其生长方法，涉及半导体材料技术领域；包括周期循环生长的本征GaN层和高掺GaN层，或低掺GaN层和高掺GaN层；所述p型GaN层的生长方法包括以下步骤：1)生长本征GaN层或低掺GaN层，生长温度为850‑950℃；2)在所述本征GaN层或低掺GaN层上生长高掺GaN层；3)在所述高掺GaN层上周期循环生长本征GaN层/低掺GaN层和高掺GaN层，得到p型GaN层本发明的高掺GaN层为低温下通Mg源生长p‑GaN后高温退火，得到的p型GaN层能改善p型层材料的质量，有效改善了有源发光层延伸的Pits、表面粗糙等缺陷，提高Mg的激活效率，减少接触电阻。
一种 gan 生长方法外延结构及其

[发明专利]高纯半绝缘SiC单晶的制备方法-CN202010691891.5有效
发明人：杨昆;路亚娟;牛晓龙;刘新辉;张福生 -专利权人：河北同光科技发展有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，涉及SiC单晶的生长制备技术领域，用于解决现有技术中针对石墨部件及多晶原料所吸附氮气在高温生长过程中解吸附而导致高纯半绝缘SiC单晶产率下降的技术问题。本发明所述的高纯半绝缘SiC单晶的制备方法，将籽晶及SiC多晶原料分别置于生长腔的两端，采用物理气相传输方法生长单晶，其包括两次生长过程：第一次生长采用假片籽晶，第二次生长籽晶采用单晶SiC晶片，且第二次生长温度较第一次生长温度低本发明主要应用于高纯半绝缘单晶的制备中。
高纯绝缘 sic 制备方法

[发明专利]一种采用蟹壳粉调控基质增进高羊茅建坪效果的方法-CN201610065302.6在审
发明人：多立安;赵树兰;韦平 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明公开了蟹壳粉在提高草坪高羊茅植物初期生长，促进高羊茅植株迅速生长方面的应用；其中蟹壳粉的添加量为1-3%（W/w）。本发明优选蟹壳粉的添加量为1%。实验结果表明：蟹壳中主要成分是碳酸钙和甲壳素，甲壳素及其衍生物可作为植物生长调节剂。蟹壳粉和土壤混合后，对草坪高羊茅植物的初期生长表现为低比例添加促进。低比例添加蟹壳粉，高羊茅生长茂盛，植株迅速生长。
一种采用蟹壳调控基质增进高羊茅建坪效果方法

[发明专利]一种具有极化诱导掺杂高阻层的GaN基HEMT结构及生长方法-CN201410505205.5有效
发明人：张连;张韵;闫建昌;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基HEMT外延结构及其生长方法，该外延结构沿外延生长方向依次包括：衬底、缓冲层、高阻层、沟道层和势垒层，其中：缓冲层外延生长在衬底上；高阻层外延生长在缓冲层上，其中，高阻层为极化诱导掺杂；沟道层外延生长在高阻层上；势垒层外延生长在沟道层上。本发明通过极化诱导掺杂实现无掺杂杂质的高阻层，从而降低器件缓冲层漏电，缓解由于缓冲层掺杂而加剧的电流崩塌，实现提高器件击穿电压、改善器件动态导通电阻可靠性的目的。
一种具有极化诱导掺杂高阻层 gan hemt 结构生长方法

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