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[发明专利]GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法-CN201410640054.4有效
发明人：马欢;田艳红;牛凤娟 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法，所述外延片的结构从下至上依次为衬底，低温GaN缓冲层，第一高温非掺杂GaN层，第二高温非掺杂GaN层，在第二高温非掺杂GaN层上为AlGaN/GaN超晶格层，在AlGaN/GaN超晶格层上为高温N型GaN层，在高温N型GaN层上为应力释放层，MQW保护层，P型电子阻挡层，高温P型GaN层，在高温P型GaN层上为接触层，高温N型GaN层中周期性插入SiN掩膜/N型GaN层，SiN掩膜/N型GaN层的周期数为5～20，本发明的优点是第一，显著提高抗静电能力；第二，有效增强载流子的复合效率；第三，提升LED的内量子效率。
gan 化合物半导体 led 外延生长方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法-CN201610624671.4有效
发明人：李红丽;万林;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：该方法包括在衬底上生长缓冲层、三维成长层、u‑GaN层、n型层、应力释放层、有源层和p型层，n型层包括第一n‑GaN高温层、第二GaN低温层和第三n‑GaN高温层，第二GaN低温层的生长温度低于第一n‑GaN高温层的生长温度且低于第三n‑GaN高温层的生长温度，通过第二GaN低温层的生长温度低于n‑GaN高温层和第三n‑GaN高温层的生长温度，第二GaN低温层可以阻断晶体的生长缺陷继续延伸，提高外延片抗静电能力
一种氮化发光二极管外延制备方法

[发明专利]紫外GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610114803.9有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/GaN超晶格层；低温InGaN/AlGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层。本发明采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合
紫外 gan led 外延结构及其制造方法

[发明专利]LED外延结构及其生长方法-CN201410634596.0在审
发明人：张宇;苗振林;牛凤娟 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2014-11-12 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED外延结构，包括：蓝宝石衬底；低温缓冲层，位于所述蓝宝石衬底之上；高温GaN层，位于低温缓冲层之上；高温N型GaN层，位于高温GaN层之上；过渡层，位于高温N型GaN层之上，其中过渡层为Si3N4/GaN超晶格层和不掺杂的GaN层交替排列的过渡层，该过渡层的厚度为30-120nm；发光层，位于过渡层之上，发光层包括交替排列的掺杂In的InxGa(1-x)N层和不掺杂的GaN层；P型AlGaN层，位于发光层之上；以及，高温P型GaN层，位于P型AlGaN层之上。本发明提供的LED外延结构减少了高温N型GaN层和发光层之间的应力。
led 外延结构及其生长方法

[实用新型]紫外GaN基LED外延结构-CN201620155376.4有效
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种紫外GaN基LED外延结构，LED外延结构依次包括：衬底；位于衬底上的低温缓冲层；位于低温缓冲层上的高温u‑GaN层；位于高温u‑GaN层上的高温n‑GaN层；位于高温n‑GaN层上的低温AlGaN/GaN超晶格层，低温AlGaN/GaN超晶格层包括层叠设置的低温AlGaN层和低温GaN层。本实用新型采用低温AlGaN/GaN超晶格层取代传统的InGaN/GaN应力释放层，通过调整低温AlGaN/GaN超晶格层的生长工艺，可以沿着位错缺陷产生V‑pits，从而阻挡载流子在位错缺陷处产生非辐射复合
紫外 gan led 外延结构

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN201510454406.1有效
发明人：周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了LED芯片外延生长方法，LED芯片包括自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层。方法包括在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层；在浅量子阱层上生长出有源层MQW，有源层MQW为低温多量子阱结构；在有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构；在AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层；在低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构；在P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层；在高温P型GaN层上生长P型接触层；以及降温得到LED芯片外延结构。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法-CN201410382375.9有效
发明人：金施耐;许桢;金东植 -专利权人：上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用化学蚀刻的GaN基板的制作方法。所述制作方法为：低温GaN层在基板上部生长；在低温GaN层上生长高温GaN层；把已经生长了高温GaN层的基板泡在蚀刻溶液中；低温GaN层经蚀刻后消融，则高温GaN层从基板上自然分离，即得GaN基板。本发明是在低温下利用HVPE的方法生长GaN后，高温下GaN厚膜生长完成后做化学蚀刻，再加上利用蚀刻反应形成低温GaN层的界面空隙，由GaN自发分离制作自支撑GaN基板。本发明利用化学的反应，最小化对GaN厚膜的损坏，工艺简单，节约资源，降低生产成本。
一种利用化学蚀刻 gan 制作方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310347702.2有效
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-12 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，未掺杂的高温GaN层不完全覆盖未掺杂的低温GaN层，露出凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层；在露出的凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附着二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和凸出部的顶部的未掺杂的低温GaN层上附著的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法及外延片-CN201510253813.6有效
发明人：从颖;姚振;韩杰;陈柏松;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：所述生长方法包括依次在衬底上生长低温缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、高温有源层、低温有源层、电子阻挡层、P型层；低温InGaN阱层的生长温度、生长速率低于高温InGaN阱层的生长温度、生长速率，低温GaN垒层的生长温度、生长速率低于高温GaN垒层的生长温度、生长速率；低温InGaN阱层的厚度大于高温InGaN阱层的厚度，低温GaN垒层的厚度大于高温GaN垒层的厚度；低温InGaN阱层的Ⅴ/Ⅲ比与低温GaN垒层的Ⅴ/Ⅲ比不同，高温InGaN阱层的Ⅴ/Ⅲ比与高温GaN垒层的Ⅴ/Ⅲ比相同。
一种发光二极管外延生长方法

[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN201310368837.7有效
发明人：邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 -专利权人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光二极管制造方法，包括以下步骤提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附著的二氧化硅纳米球上生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法-CN201811288866.1有效
发明人：苏晨;王慧;肖扬;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。所述方法包括：提供衬底，所述衬底为图形化蓝宝石衬底，所述图形化蓝宝石衬底的底宽等于或大于2.9微米；在所述衬底上沉积缓冲层；在所述缓冲层上沉积GaN成核层，所述GaN成核层包括高温低压GaN层和低温高压GaN层，所述高温低压GaN层位于所述缓冲层与所述低温高压GaN层之间；顺次在所述GaN成核层上沉积GaN高温填平层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。
一种 gan 发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种LED外延结构及其生长方法-CN201611155227.9有效
发明人：林传强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明的第一目的在于提供了一种LED外延结构及其生长方法，具体包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂的u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长多周期量子阱MQW发光层、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层、生长P型GaN接触层、降温冷却，该生长p型GaN层先通过低温N₂气氛生长P型GaN层；再高温H₂气氛生长P型GaN层；最后通过高温N₂/H₂混合气体生长P型GaN层，从而降低LED的工作电压，提高LED的发光效率。本发明的第二目的在于提供用此外延结构生长方法生产的LED外延结构，该结构将传统的高温p型GaN层价格改变为低温N₂气氛、高温H₂气氛、高温N₂/H₂混合气体的变气氛p型GaN层结构，使LED光功率受到P层空穴浓度的限制，驱动电压受到P层空穴迁移率的限制的问题。
一种 led 外延结构及其生长方法

[实用新型]一种新型GaN基LED结构-CN201320881509.2有效
发明人：杨晓杰;李晓东 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种新型GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上，还包括高掺杂Mg的p⁺-GaN层，和高掺杂Si的n+型GaN层，高温生长p型GaN外延层可以显著提高其晶体质量及其中Mg的活化率以及空穴浓度和迁移率，避免了在量子阱(MQW)有源区上高温生长p型GaN外延层对量子阱的破坏；在n⁺-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外延层的点缺陷的形成和发光淬灭现象，p⁺-GaN层有助于提高空穴电流的注入效率并降低工作电流,可以同时提高晶体质量和发光效率
一种新型 gan led 结构

[发明专利]一种提高GaN基LED芯片发光效率的外延生长方法-CN201810858663.5有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2018-07-31 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高GaN基LED芯片发光效率的外延生长方法，包括：生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长低掺杂Si的n型GaN层、生长发光层、生长低温p型GaN层、生长p型AlGaN层、生长新p型GaN层、生长高温p型GaN接触层、降温冷却，其中生长新p型GaN层依次包括生长高温P型GaN‑1层、NH
生长发光效率外延生长空穴不掺杂GaN层降温冷却退火处理低掺杂电离率发光层空位裂解掺杂引入

[发明专利]紫外GaN基LED外延结构及其制造方法-CN201610114866.4在审
发明人：冯猛;陈立人;刘恒山 -专利权人：聚灿光电科技股份有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外GaN基LED外延结构及其制造方法，LED外延结构依次包括：衬底；低温缓冲层；高温u‑GaN层；高温n‑GaN层；低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层；高温p‑AlGaN电子阻挡层；高温p‑GaN层。本发明通过设计紫外GaN基LED外延结构中的量子阱发光层结构，降低了材料中自发和压电极化效应的影响，能够提升紫外LED器件的内部量子效率。
紫外 gan led 外延结构及其制造方法

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