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[发明专利]一种双离子湿法掺杂的三元高镍正极材料及其制备方法-CN202010653680.2有效
发明人：孙静;寇亮;张诚;张超;牛瑶;田占元;邵乐 -专利权人：陕西煤业化工技术研究院有限责任公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种双离子湿法掺杂的三元高镍正极材料及其制备方法，双离子掺杂为在前驱体内层掺杂A离子，其离子半径与锂离子接近或略大于锂离子，在前驱体外层掺杂B离子，其离子半径与过渡金属离子半径接近；三元高镍正极材料中掺杂离子A从二次颗粒中心到外层呈梯度递减分布，掺杂离子B从二次颗粒中心到外层呈梯度递增分布。本发明工艺简单可控，制备的高镍正极材料结构稳定，循环和倍率性能优异，在高电压下仍能保持较好的电化学性能。
一种离子湿法掺杂三元正极材料及其制备方法

[发明专利]用于局部高掺杂和接通是太阳能电池或太阳能电池前体的半导体结构的方法-CN201180007543.0有效
发明人：多米尼克·苏维托;简·贝尼克;乌尔里希·耶格尔 -专利权人：弗劳恩霍弗实用研究促进协会;弗赖堡阿尔伯特-路德维格大学
申请日： 2011-01-18 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于局部高掺杂和接通半导体结构的方法，所述半导体结构是太阳能电池或太阳能电池前体并且具有基区掺杂类型的硅半导体衬底(1)，所述高掺杂和接通以下述方式进行：在半导体衬底的接通面(1a)上的半导体衬底(1)中形成多个基区掺杂类型的局部高掺杂区域并且在接通面(1a)上或者在一个或多个完全或部分覆盖接通面(1a)的中间层上敷镀一个金属的接通层(7)，以便在所述高掺杂区域上在接通层(7)与半导体衬底(1)
用于局部掺杂接通太阳能电池半导体结构方法

[发明专利]一种高镍三元正极材料及其制备方法-CN201811434241.1在审
发明人：吕姚;王燕超;林若虚;杨俊;凌仕刚;沙金;苏迎春;张溪 -专利权人：天津国安盟固利新材料科技股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种高镍三元正极材料及其制备方法，该高镍三元正极材料由基体和包覆层形成，基体由高镍三元前驱体、锂源和掺杂剂制得，掺杂剂为含M’的化合物，M’为掺杂元素，M’选自金属元素和/或非金属元素中的一种或几种制备方法包括：将高镍三元前驱体、锂源和掺杂剂混合；进行一次烧结，后处理得到掺杂的高镍三元正极材料基体；将掺杂的高镍三元正极材料基体与包覆材料混合；进行二次烧结，后处理得到高镍三元正极材料。本发明的高镍三元正极材料经过多元掺杂和表面包覆共改性，晶格稳定，由该高镍三元正极材料制得的锂离子电池具有优异的倍率性能、循环稳定性和安全性能。
一种三元正极材料及其制备方法

[实用新型]快恢复二极管-CN201220105064.4有效
发明人：贾会霞 -专利权人：深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度，所述第一N型掺杂半导体层的宽度为5um至50um、掺杂浓度为5e12/cm3-5e14/cm3。
恢复二极管

[发明专利]高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe₂纳米片的复合材料及其制备方法-CN201410391036.7有效
发明人：毕恩兵;陈汉;韩礼元 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01B1/04 文献下载
摘要：一种高氮掺杂石墨烯与超薄MoSe₂纳米片的复合材料及其制备方法，通过将溶解于水和乙二醇的钼源、硒源和低氮掺杂石墨烯充分混合后，在作为活性剂的乙二胺作用下进行溶剂热反应，使得超薄MoSe₂纳米片均匀生长到石墨烯上的同时，低氮掺杂石墨烯被深度掺杂，最终得到高氮掺杂石墨烯‐超薄MoSe₂纳米片复合材料。本发明合成的高氮掺杂的石墨烯/硒化钼纳米片同时具备高导电、高催化等优良性能，可以广泛应用于光催化及化学催化、太阳能电池及其他新能源电池的电极、超级电容器电极材料上。
掺杂石墨超薄 mose sub 纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]一种分阶段元素替代实现制备高Al均匀四氧化三钴方法-CN202210575676.8有效
发明人：刘文泽;于杨;许开华;段小波;胡美林;赵亚强;陈颖 -专利权人：荆门市格林美新材料有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C01G51/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种分阶段元素替代实现制备高Al均匀四氧化三钴方法。本发明通过制备过程中，采用优选元素Mg来替代部分Al，从侧面解决高Al掺杂分布不均匀和偏析的问题；并通过分阶段的加入不同组成的原料来解决二元高Al掺杂元素分布不均匀的问题。在初始阶段加入钴铝混合盐与镁盐，避免了同时进料时Mg的掺杂对成核时Al分布均匀性的影响，后期生长速度较快，以Co盐、Al盐和Mg盐的共沉淀掺杂方式进行反应，进一步地实现了镁和高铝掺杂元素尤其是高铝掺杂的均匀分布
一种分阶段元素替代实现制备 al 均匀氧化方法

[发明专利]快恢复二极管及制作该二极管的方法-CN201210066150.3有效
发明人：贾会霞 -专利权人：深圳市立德电控科技有限公司
申请日： 2012-03-11 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：一种快恢复二极管，包括一N型高掺杂硅衬底、一第一N型掺杂半导体层、一第二N型掺杂半导体层、一二极管阳极层，所述第一N型掺杂半导体层位于第二N型掺杂半导体层和N型高掺杂硅衬底之间，所述第一N型掺杂半导体层的掺杂浓度低于第二N型掺杂半导体层的掺杂浓度。
恢复二极管制作方法

[发明专利]一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件-CN202011401007.6在审
发明人：曹小强 -专利权人：成都博思微科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件，包括第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第二P+掺杂区、第二N+掺杂区、第一触发结构和电阻R，其中：所述第一P+掺杂区一端连接PAD端，一端连接第一N+掺杂区；所述第一N+掺杂区两端分别连接第一、第二P+掺杂区；所述第二P+掺杂区两端分别连接第一、第二N+掺杂区；所述第二N+掺杂区一端连接第二P+掺杂区，一端连接接地端；所述第一触发结构连接端通过触发结构与本发明的有益效果：使NPN的BE结正偏，开启可控硅；采用堆叠SCR原理，实现双向电压保护和高维持电压，实现Latch‑up免疫。
一种具有维持压低触发电压 esd 特性 scr 器件

[发明专利]一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器-CN201911357237.4有效
发明人：陈代高;肖希;王磊;张宇光;胡晓;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种高带宽高响应度的锗硅光电探测器，涉及光电探测技术领域，包括硅波导、硅衬底、轻掺杂硅区、重掺杂硅区、锗吸收区、外延硅区、外延硅掺杂区、第一电极和第二电极；硅波导用于传播入射光；硅衬底用于接收硅波导传播的入射光；轻掺杂硅区设于硅衬底中；重掺杂硅区设于轻掺杂硅区中；锗吸收区设于轻掺杂硅区上，且锗吸收区包括远离硅波导的第一部分，第一部分在轻掺杂硅区上的投影面为圆弧状；外延硅区环绕并覆盖于锗吸收区上；外延硅掺杂区覆盖于锗吸收区的顶部；第一电极设于重掺杂硅区上，且形状与重掺杂硅区匹配；第二电极设于外延硅掺杂区上。本发明提供的锗硅光电探测器，具有高响应度和较高带宽。
一种带宽响应光电探测器

[实用新型]具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件-CN202022873491.4有效
发明人：曹小强 -专利权人：成都博思微科技有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有高维持电压低触发电压高ESD特性的SCR器件，包括第一P+掺杂区、第一N+掺杂区、第二P+掺杂区、第二N+掺杂区、第一触发结构和电阻R，其中：所述第一P+掺杂区一端连接PAD端，一端连接第一N+掺杂区；所述第一N+掺杂区两端分别连接第一、第二P+掺杂区；所述第二P+掺杂区两端分别连接第一、第二N+掺杂区；所述第二N+掺杂区一端连接第二P+掺杂区，一端连接接地端；所述第一触发结构连接端通过触发结构与本实用新型的有益效果：使NPN的BE结正偏，开启可控硅；采用堆叠SCR原理，实现双向电压保护和高维持电压，实现Latch‑up免疫。
具有维持压低触发电压 esd 特性 scr 器件

[发明专利]高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片-CN201711140219.1有效
发明人：乔丽君;张明江;孟洁;张建忠;刘毅;赵彤;王安帮;王云才 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：一种高散射掺杂光波导反馈产生混沌光的单片集成激光器芯片，包括：一DFB激光器结构A；一高散射掺杂光波导结构C；一非掺杂光波导结构B，其连接A和C。本发明利用高散射的掺杂光波导随机反馈产生混沌激光，消除了混沌激光器的时延特征，并采用单片集成结构，结构更紧凑，稳定性更好。
散射掺杂波导反馈产生混沌单片集成激光器芯片

[发明专利]集成结势垒肖特基二极管的沟槽型MOSFET器件及制造方法-CN202310502237.9在审
发明人：于霄恬 -专利权人：海科（嘉兴）电力科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：器件包括：外延层与位于外延层顶部的MOSFET结构；MOSFET结构包括：若干个元胞、第一高掺杂P型区域、沟槽；元胞包括阱区、源极区域、第二高掺杂P型区域、包含预设数量个第三高掺杂P型区域的结势垒肖特基区域、JFET区域；阱区与外延层形成第一PN结；源极区域与阱区形成第二PN结；阱区与第二高掺杂P型区域环绕结势垒肖特基区域；沟槽位于各元胞之间，第一高掺杂P型区域包裹沟槽底部；第一高掺杂P型区域与外延层形成第三PN结；阱区与相邻的第一高掺杂P型区域形成JFET区域。
集成结势垒肖特基二极管沟槽 mosfet 器件制造方法

[发明专利]高功率发光装置-CN200810108805.2有效
发明人：林锦源 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率发光装置，具有未人为掺杂掺杂物的未掺杂型半导体层，未掺杂型半导体层包含周期结构。
功率发光装置

[发明专利]高功率发光装置-CN201110347878.9有效
发明人：林锦源 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率发光装置，具有未人为掺杂掺杂物的未掺杂型半导体层，未掺杂型半导体层包含周期结构。
功率发光装置

[发明专利]一种新型的高压VDMOS器件及其制备方法-CN202110336336.5在审
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的高压VDMOS器件及其制备方法，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，N型重掺杂源极区，P型重掺杂源极区，NISI源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，NISI漏极区，栅极电极，源极电极和漏极电极；NISI漏极区设在N型重掺杂衬底下表面，NISI漏极区下表面形成漏极电极，N型重掺杂衬底上设有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上设有两个P型阱区，P型阱区上设有N型重掺杂源极区和P型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区和P型重掺杂源极区上表面设有NISI源极区，P型阱区和N型轻掺杂缓冲区上设有高K绝缘层，高K绝缘层上设有栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设有栅极电极，N型重掺杂源极区和P型重掺杂源区上设有源极电极
一种新型高压 vdmos 器件及其制备方法

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