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[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910575177.7在审
发明人：陈思颖;邱雅文;赵晟博;詹易哲;廖志评;王永豪;薛森鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
高压退火退火加压环境半导体结构半导体装置高压干式工艺气体退火工艺湿式蒸汽

[发明专利]一种小流量过流部件液流试验台装备-CN202110603827.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：星河动力（北京）空间科技有限公司;北京星河动力装备科技有限公司;四川星河动力空间科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01M10/00 文献下载
摘要：其中所述纯水系统与工艺系统中的高压水管连接，为工艺系统提供去离子水试验介质；所述配气系统与工艺系统连接，为工艺系统中的气动阀门提供驱动气，并为工艺系统提供前端试验压力；所述测量系统采集试验数据；所述控制系统控制工艺系统阀门的开关；所述工艺系统包括：高压工艺气模块、高压纯水模块、工艺管路模块；所述高压工艺气模块由高压空气压缩机和高压压力容器组成，高压空气压缩机增压空气，高压压力容器储存高压空气；所述高压纯水模块由高压压力容器、安全阀、液位计组成，高压压力容器储存去离子水的试验介质，安全阀保障系统安全运行，液位计测量显示容器内液位位置。
一种流量部件试验台装备

[实用新型]一种小流量过流部件液流试验台装备-CN202121195926.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：星河动力（北京）空间科技有限公司;北京星河动力装备科技有限公司;四川星河动力空间科技有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01M10/00 文献下载
摘要：其中所述纯水系统与工艺系统中的高压水管连接，为工艺系统提供去离子水试验介质；所述配气系统与工艺系统连接，为工艺系统中的气动阀门提供驱动气，并为工艺系统提供前端试验压力；所述测量系统采集试验数据；所述控制系统控制工艺系统阀门的开关；所述工艺系统包括：高压工艺气模块、高压纯水模块、工艺管路模块；所述高压工艺气模块由高压空气压缩机和高压压力容器组成，高压空气压缩机增压空气，高压压力容器储存高压空气；所述高压纯水模块由高压压力容器、安全阀、液位计组成，高压压力容器储存去离子水的试验介质，安全阀保障系统安全运行，液位计测量显示容器内液位位置。
一种流量部件试验台装备

[发明专利]一种避免高压涡轮叶片工艺通道产生钎焊裂纹的工艺方法-CN201711447609.3有效
发明人：杜应流;程耀先;郝大伟;施长坤;吴小林;杨家博 -专利权人：安徽应流航源动力科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： B23K1/008 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免高压涡轮叶片工艺通道产生钎焊裂纹的工艺方法，其包括以下步骤：1)在高压涡轮叶片工艺通道内预制混合物料，所述混合物料由D15钎料与Rene 80组成；2)以高压涡轮叶片上的榫头上端面为基准面，将注射混合物料的针头由高压涡轮叶片工艺通道向下深入至60mm处；3)混合物料由针头注入高压涡轮叶片工艺通道内壁，即向高压涡轮叶片工艺通道进行填料，填满混合物料后，将针头沿高压涡轮叶片工艺通道的内壁做一个90度的旋转，在高压涡轮叶片工艺通道的内壁的另一处再次进行填料，共需进行4次，直至高压涡轮叶片工艺通道的内壁四周全部填料完成。本发明不仅可以达到封闭高压涡轮叶片工艺通道的目的，同时更有效的避免了钎缝裂纹的产生。
高压涡轮叶片工艺通道混合物料内壁针头钎焊裂纹内壁四周基准面上端面钎缝钎料填满预制榫头注射封闭

[发明专利]具有雾化功能的进气引管装置-CN201410672279.8在审
发明人：戚顺银;李振明 -专利权人：唐山亚捷机械有限公司
申请日： 2014-11-22 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： C21D1/74 文献下载
摘要：包括：工艺氮气进口阀门及低压工艺氮气进气管，工艺液体进口阀门及工艺液体进液管，还包括高压氮气进口阀门及高压氮气进气管；所述的高压氮气进气管和所述的工艺液体进液管分别通过三通结构形式与一个高压气体混合管连接，所述的高压气体混合管下部通过密封接头套装入所述的低压工艺氮气进气管内，且高压气体混合管下端口安装有使液体雾化的管头堵板。本发明使工艺液体进入炉内前与高压工艺氮气混合，加速工艺液体的流动，撞击堵板后雾化，解决了液体直接滴落到工件或炉内构件上、滴注孔容易堵塞的弊端，且高压氮气吹扫减少炭黑的形成。
具有雾化功能进气引管装置

[实用新型]具有雾化功能的进气引管装置-CN201420705093.3有效
发明人：戚顺银;李振明 -专利权人：唐山亚捷机械有限公司
申请日： 2014-11-22 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： C21D1/74 文献下载
摘要：包括：工艺氮气进口阀门及低压工艺氮气进气管，工艺液体进口阀门及工艺液体进液管，还包括高压氮气进口阀门及高压氮气进气管；所述的高压氮气进气管和所述的工艺液体进液管分别通过三通结构形式与一个高压气体混合管连接，所述的高压气体混合管下部通过密封接头套装入所述的低压工艺氮气进气管内，且高压气体混合管下端口安装有使液体雾化的管头堵板。本实用新型使工艺液体进入炉内前与高压工艺氮气混合，加速工艺液体的流动，撞击堵板后雾化，解决了液体直接滴落到工件或炉内构件上、滴注孔容易堵塞的弊端，且高压氮气吹扫减少炭黑的形成。
具有雾化功能进气引管装置

[发明专利]一种超高压BCD半导体工艺以及超高压BCD器件-CN201210150791.7有效
发明人：吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-05-15 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超高压BCD工艺，该超高压BCD工艺可实现多种半导体器件的集成，超高压BCD器件包括：做在N型外延上的高压LDMOS、高压浮动盆结构、低压PMOS管、低压NMOS管、低压VNPN管、VDNMOS、齐纳二极管、低压NLDMOS、LPNP以及对称的漏极延伸EDPMOS，该工艺具有N型埋层，N型埋层贯穿P型衬底以及N型外延，高低压结构之间形成有PN结对通隔离结构。本发明提供的高压BCD工艺集成了多种电压水平的器件，并且其中的高压浮动盆结构，能够为桥式电路的应用提供工艺平台支持。
一种超高压 bcd 半导体工艺以及器件

[实用新型]具有单层衬底结构的高压晶体管-CN88213133.8无效
发明人：李思敏 -专利权人：北京市半导体器件研究所
申请日： 1988-09-15 - 公布日： 1990-03-28 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：具有单层衬底结构的高压晶体管，包括高压VDMOS晶体管，高压VVMOS晶体管，高压JFET晶体管，高压BJF晶体管，高压GAT晶体管，高压BJFET晶体管，其衬底是具有单一高阻薄层结构的硅单晶片，属半导体器件技术领域其制作工序是采用常规工艺直接在高阻硅单晶衬底上制造高压晶体管，然后采用晶片减薄工艺和薄片加工工艺，降低导通电阻。这种工艺的特征在于把薄硅片同底托片粘接在一起形成复合片，对复合片进行加工。
具有单层衬底结构高压晶体管

[发明专利]一种高密度亚微米高压BCD半导体器件及其工艺方法-CN201210244066.6无效
发明人：吕宇强;邵凯;陈雪萌;杨海波 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种高密度亚微米的超高压BCD半导体工艺集成的器件，该高压BCD工艺实现的集成器件可包括：超高压LDMOS、中压NLDMOS、中压FDPMOS、高压JFET、低压NMOS、低压PMOS、齐纳二极管、多晶电阻、PIP电容、双极晶体管NPN管以及双极晶体管PNP管，所述高密度亚微米高压BCD半导体器件直接做在P型衬底上，所述超高压LDMOS的源极和栅极沿漏极中心对称。本发明还提供了一种制造高密度亚微米高压BCD半导体器件的工艺方法。本发明提供的高密度亚微米高压BCD半导体工艺不仅可提高高压器件的面积效率，同时可集成亚微米的低压器件，是一种高性能、低成本的高压集成芯片制造工艺。
一种高密度微米高压 bcd 半导体器件及其工艺方法

[发明专利]一种基于高压磨料水射流的钢轨修复工艺-CN202210854727.0在审
发明人：宋博学;谭清泽;杨国哲;姜兴宇;韩清冰;刘同明;李惠泽;刘伟军 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B24C1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于高压磨料水射流的钢轨修复工艺，属于先进制造与自动化技术领域。分析主要工艺参数对最大切割深度影响规律，明晰高压磨料水射流对钢轨材料的加工机理，采用田口实验方法，探明高压磨料水射流修复钢轨最优工艺参数组合，通过钢轨轨顶面修复实验验证优化工艺参数组合有效性；针对高压磨料水射流各工艺参数之间相互作用存在复杂非线性问题，探析主要工艺参数对加工结果影响规律，揭示其对加工结果影响程度。本发明对高压磨料水射流加工钢轨材料加工机理进行探究，得到工艺参数最优组合，进行实验验证。综合评价结果表明，所研究的基于高压磨料水射流的钢轨修复工艺可有效修复钢轨表面病害，修复后钢轨表面质量符合钢轨修复要求。
一种基于高压磨料水射流钢轨修复工艺

[发明专利]四槽式超声渣铁表面除渣工艺-CN200810200004.9有效
发明人：胡治春;李希军;田月平 -专利权人：中冶宝钢技术服务有限公司
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： B08B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种四槽式超声渣铁表面除渣工艺，包括如下工艺步骤：(1)首先在高纯渣铁加工区域修建四个槽，依次为浸泡槽、高压预喷淋槽、超声清洗槽和高压终喷淋槽，所述高压喷淋槽和高压终淋槽内分别设置高压喷淋装置，所述超声清洗槽内安装超声波振盒；(2)把钢渣块放入浸泡槽内浸泡；(3)把浸泡好的钢渣块放入高压预喷淋槽进行预高压喷淋；(4)高压喷淋后钢渣进行超声波清洗；(5)对超声波清洗后的钢渣进行高压喷淋。通过采用上述除渣工艺，渣铁除渣率达到98％。并且，这种工艺提高了超声清洗效率，符合工业化连续大生产的要求，相比传统渣铁加工工艺具有成本低、效果好等优点。
四槽式超声表面工艺

[实用新型]六面顶压机用液压系统-CN201821533206.0有效
发明人：谷水军 -专利权人：郑州睿军机电设备有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： F15B13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及六面顶压机用液压系统，它包括阀板本体，所述的阀板本体内从左到右依次设置有第一超高压液控单向阀、第二超高压液控单向阀、第三超高压液控单向阀、二位七通阀、第四超高压液控单向阀、第五超高压液控单向阀、第六超高压液控单向阀，所述的阀板本体内部还依次设置有第一工艺孔、第二工艺孔、第三工艺孔、第四工艺孔、第五工艺孔、第六工艺孔；本实用新型具有结构合理、安装方便、工序简单、使用效果好的优点。
超高压液控单向阀工艺孔本实用新型六面顶压机液压系统依次设置二位七通阀安装方便阀板本体体内部体内

[发明专利]一种高压釜的控制方法、系统及终端设备-CN201810107301.2在审
发明人：董清世;李述尾;邹虎 -专利权人：信义玻璃工程（东莞）有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明适用于自动化技术领域，提供了一种高压釜的控制方法、系统及终端设备，所述高压釜的控制方法包括：设置工艺参数以及对应的工艺参数编号，工艺参数包括生产工艺参数和空烧参数，工艺参数编号包括第一工艺参数编号和第二工艺参数编号，获取用户选择的工艺参数编号，若检测到用户选择第一工艺参数编号，则根据生产工艺参数对夹层玻璃进行高压处理，若检测到用户选择第二工艺参数编号，则根据空烧参数进行空烧。本发明通过用户选择的工艺参数编号获取生产工艺参数或空烧参数，控制高压釜根据生产工艺参数或空烧参数进行相应的操作，从而降低了高压釜内部吸附的有机质含量，避免损坏夹层玻璃，有效提高了夹层玻璃的生产合格率。
高压釜空烧生产工艺参数夹层玻璃终端设备自动化技术领域有机质含量编号获取高压处理检测吸附合格率生产

[发明专利]用于借助于高压放电将松散材料碎片化和/或细化的方法和设备-CN201580075462.2有效
发明人： J·卡佩勒;R·米勒-西伯特 -专利权人：泽尔弗拉格股份公司
申请日： 2015-02-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于借助于高压放电将松散材料(1)碎片化和/或细化的方法。根据该方法，由该材料(1)形成环形的或弧形的材料流(4)，并且将所述材料流以沉入工艺液体(5)中的方式引导经过高压电极装置(2)，借助所述高压电极装置产生穿过材料流(4)的高压击穿，其方式为：高压电极装置的高压电极借助高压发生器(3)被加载高压脉冲。在此，在高压电极装置(2)的上游将材料(1)输送至材料流(4)并且在高压电极装置(2)的下游将材料(1)从材料流(4)引离。通过根据本发明的方法进行连续的工艺是可行的，其中，将材料(1)引导经过工艺区的速度和对所述材料加载高压击穿的强度能够在宽的范围中调节，并且可能从工艺区中排出的未充分工艺处理的材料(1)能够以极短的路径且实际上在没有附加空间需求的情况下重新输送给工艺区
用于借助于高压放电松散材料碎片细化方法设备

[发明专利]气化和氨生产的一体化-CN200680011836.5无效
发明人： C·A·施米德特 -专利权人：伊斯曼化学公司
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： C01C1/04 文献下载
摘要：本申请描述利用来自气化工艺的氢制氨和一体化这两个工艺的蒸汽系统的方法和系统。气化工艺提供高压纯化氢和高压饱和蒸汽。高压氢降低氨工艺的总压缩要求。此外，高压饱和蒸汽能通过回收来自氨合成的热量而被转化为过热蒸汽并能用来驱动压缩和致冷需要的汽轮机。
气化生产一体化

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