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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]保护浅沟槽隔离区的方法-CN201310253617.X有效
发明人：沈萍;马旭;曹亚民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及高压集成电路领域，尤其涉及一种保护浅沟槽隔离区的方法。本发明公开了一种保护浅沟槽隔离区的方法，应用于高压集成电路的工艺，在制备高压器件和低压器件时，在生长高压器件的栅氧化物前，通过在低压器件区上制备氮化物作为STI的保护层，以避免STI在后续的湿法工艺形成凹陷缺陷，进而增大产品的良率，且该工艺步骤改动较少，与现有工艺流程兼容性强，容易实现对器件性能的改善。
保护沟槽隔离方法

[发明专利]高压金属栅极器件的制造方法-CN202111320661.9在审
发明人：唐小亮;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压金属栅极器件的制造方法，经过正常工艺的栅极金属沉积之后，进行栅极金属的CMP工艺时，先进行第一次CMP工艺将栅极金属预先减薄到一定厚度，然后沉积一层阻挡介质层，过光刻打开大面积的高压栅极区域，通过蚀刻把除大面积的高压栅极区域之外的阻挡介质层去除，在对栅极金属进行第二次CMP工艺时，由于高压栅极区域的大面积栅极金属的表面有阻挡介质层，研磨偏慢，不会造成CMP碟形下凹。该高压金属栅极器件的制造方法，不但不存在大块栅极金属的碟形下凹问题，同时也能避免因影响栅极介质层而导致影响高压器件的电性。
高压金属栅极器件制造方法

[发明专利]高压互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法-CN202210464863.9在审
发明人：翁武得;熊志文;杨大勇 -专利权人：立锜科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种高压互补式金属氧化物半导体元件及其制造方法。高压互补式金属氧化物半导体元件包括：半导体层、多个绝缘区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压N型阱区与第二高压N型阱区、以同一离子注入工艺步骤形成的第一高压P型阱区与第二高压P型阱区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一漂移氧化层而形成的第一漂移氧化区与第二漂移氧化区、以同一蚀刻工艺步骤蚀刻一多晶硅层，而形成的第一栅极与第二栅极、N型源极与N型漏极、以及P型源极与P型漏极。
高压互补金属氧化物半导体元件及其制造方法

[发明专利]变压器高压引接线制作工艺流程及其制作装置-CN201510554749.5有效
发明人：杨玉明;董涛;霍宪峰;于鹏坤;许鑫;周方友;袁静;薛晓燕;王晶晶 -专利权人：国网山东夏津县供电公司
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01F41/04 文献下载
摘要：本发明公开了变压器高压引接线制作工艺流程及其制作装置，主要涉及电力工程施工工艺流程领域。包括变压器高压引接线制作工艺流程和变压器高压引接线制作装置，所述变压器高压引接线制作装置包括工作台，所述工作台上设置曲线器、曲线定形器、绝缘子支架、避雷器固定支架和绝缘线支架。本发明的有益效果在于它是在变压器高压引接线制作装置上完成变压器高压引接线的装配制作，再统一运到施工现场安装，能够减少过多的高空作业，降低施工难度，提高现场作业进度，减少安全隐患，能够规范化制作工艺流程，
变压器高压接线制作工艺流程及其装置

[发明专利]一种高压真空断路器组装工艺-CN201811044929.9在审
发明人：张斌;潘龙飞 -专利权人：河南长征电气有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01H69/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压真空断路器组装工艺，其组装工艺包括以下步骤：A、加工高压真空断路器的各零部件及其模具；B、对高压真空断路器进行组装调试；C、采用灌封技术在高压真空断路器零部件之间的空隙中灌封硅橡胶；D、对高压真空断路器进行智能控制回路的设计及编程；E、利用检测装置对装配好的高压真空断路器进行性能检测，并将不良品排出。本发明通过本工艺，不仅提高了高压真空断路器的组装效率，也保障了其整体性能，同时本工艺中各个组装步骤之间连贯流畅，不存在窝工的现象发生，提高了其生产效率，从而降低了其生产制造成本，符合企业自身的利益。
高压真空断路器组装工艺灌封零部件硅橡胶生产制造成本智能控制回路检测装置生产效率性能检测组装步骤组装效率编程连贯模具装配调试组装加工

[实用新型]一种用于特殊气体输送的钢瓶架-CN201921508178.1有效
发明人：甘万;杨欣;江福荣 -专利权人：上海盛韬半导体科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： F17C13/00 文献下载
摘要：一种用于特殊气体输送的钢瓶架，包括：架子和工艺气体供应单元，工艺气体供应单元与架子上部连接。其中，工艺气体供应单元包括：入口阀、高压隔离阀、调压阀、高压端过滤器、低压端过滤器、高压出口隔离阀、低压出口隔离阀、管路和压力表。本实用新型与传统技术相比，通过增设新型的工艺气体供应单元结构，实现手动惰性气体的快速运输，操作方便，节约成本。
一种用于特殊气体输送钢瓶

[发明专利]一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路-CN201610150614.7有效
发明人：程新红;李新昌;吴忠昊;徐大伟;羊志强;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI工艺的电池管理芯片电路，所述电池管理芯片电路包括高压多路选通器MUX、电压基准电路、Sigma‑delta ADC（包括模拟调制器以及数字滤波器）、SPI通讯电路、以及功能控制电路与电压值寄存器所述电池管理芯片电路为基于SOI高压工艺集成，尤其是所述电池管理芯片电路采用的高压MOS管为基于SOI工艺的高压MOS器件单元。另外，本发明重点突出了高压多路选通器MUX与Sigma‑delta ADC的接口电路‑斩波电路的设计，以阐述本发明采用SOI工艺设计与流片时会带来电路设计难度降低以及版图面积减小等诸多优势。
一种基于 soi 工艺电池管理芯片电路

[发明专利]钛磁铁矿选矿工艺-CN201910246349.6有效
发明人：李国洲;邢伟;段云峰 -专利权人：中冶北方（大连）工程技术有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B03B7/00 文献下载
摘要：本发明属于选矿技术领域，提供了一种钛磁铁矿选矿工艺，包括三段破碎与大粒度干选工序、高压辊磨与细粒干选机闭路、铁选矿子工艺和钛选矿子工艺；原矿经三段破碎与大粒度干选工序后，粒度为0‑20mm的破碎产品给入高压辊磨与细粒干选机闭路中的高压辊磨，高压辊磨的0‑5mm的产品给入细粒干选机，细粒干选机的干选中矿返回高压辊磨形成闭路，细粒干选机的干选精矿给入铁选矿子工艺，铁选矿子工艺的精矿为铁精矿；铁选矿子工艺的尾矿给入钛选矿子工艺，钛选矿子工艺的精矿为钛精矿
磁铁矿选矿工艺

[发明专利]低压馏出物加氢处理工艺单元的高压改造-CN201080017067.6无效
发明人：威廉·厄尼斯特·刘易斯;威廉·M·格雷戈里 -专利权人：埃克森美孚研究工程公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C10G45/02 文献下载
摘要：一种用于将低压馏出物加氢处理工艺单元改造成高压馏出物加氢处理工艺单元的节省成本的方法。增加高压热进料泵，更换炉膛的管子用于更高的压力，将低压反应器更换成高压反应器，在反应器出口处增加高压减压阀，并且将低压循环压缩机更换成高压循环压缩机。
低压馏出物加氢处理工艺单元高压改造

[发明专利]在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法-CN201010503966.9有效
发明人：熊涛;罗啸;陈瑜 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-10-12 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种在SONOS非挥发性存储器工艺中嵌入高压器件的方法，其为将高压器件区的栅氧化层的生长放在所有低压器件及SONOS非挥发性存储器制造工艺之前；在ONO介质层形成之后的刻蚀步骤中，同时去除高压器件区栅氧化层上的采用本发明的方法，实现了将高压器件在SONOS非挥发性存储器工艺中的嵌入。
sonos 挥发性存储器工艺嵌入高压器件方法

[实用新型]水平井高压旋流解堵工艺管柱-CN201220653262.4有效
发明人：王显荣;李广辉;王斌;郭玉强;孙香秋;杨淑英;纪丽娜;刘连杰;赵旭亮;常鹏梅;杨凯;刘玉;施昆松;林丽娜;肖素梅 -专利权人：中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： E21B21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水平井高压旋流解堵工艺管柱，该水平井高压旋流解堵工艺管柱采用水平井高压旋转式水射流技术为主要手段，同时与其它配套工具组合的水平井高压旋流解堵工艺管柱的设计，速度控制装置与喷射装置是本设计管柱的主要配套工具
水平高压旋流解堵工艺管柱

[发明专利]发动机高压转子连接工艺参数的多目标智能优化方法-CN202310166180.X在审
发明人：付玄;衣昕;赵勇;喻琳镨;谭天;尚腾;刘介金 -专利权人：中国航发四川燃气涡轮研究院
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G06F30/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种发动机高压转子连接工艺参数的多目标智能优化方法，包括构建各轮盘的有限元实体模型；柔性区域和刚性区域划分；柔性体空间位姿和刚性体空间位姿；获取高压转子整体空间位姿；构建高压转子几何误差传递模型；构建高压转子不平衡量计算模型；采用多目标智能算法，利用高压转子几何误差传递模型和高压转子不平衡量计算模型，对高压转子的连接工艺参数进行多目标智能优化，获得转子连接工艺参数。本发明的方法能获得最优的转子装配同心度和不平衡量分布，可以有效提高航空发动机高压转子装配的一次合格率和装配质量。
发动机高压转子连接工艺参数多目标智能优化方法

[发明专利]一种组合馏分油加氢处理方法-CN201210432672.0有效
发明人：王喜彬;郭蓉;曾榕辉;蒋立敬 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2012-11-03 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C10G65/00 文献下载
摘要：较难脱除杂质的中间馏分油采用传统的中高压加氢工艺加工，生成物料与两相加氢原料一同进入热高压分离器，新鲜氢气从热高压分离器底部补入，热高压分离器顶部分离出气相进入冷高压分离器，热高压分离器流出的混合液相物料直接进入两相加氢反应器进行反应冷高压分离器分离出的气相作为循环氢，冷高压分离器分离出的液相进入分馏系统。本发明将传统加氢工艺和两相加氢工艺有机结合起来，根据各自的优点，加工不同原料，获得了综合加工效果。
一种组合馏分加氢处理方法

[发明专利]SOI高压器件-CN200710050657.9无效
发明人：方健;周贤达;张波;乔明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：SOI高压器件，属于电子技术领域中的SOI高压半导体器件。本发明提供的SOI高压器件包括二极管、LDMOS和LIGBT，其主要技术方案是将常规实心形状的阴极/漏极/集电极改成环形形状的阴极/漏极/集电极，使SOI高压器件工作于截止状态时的纵向电场分布的更加均匀，从而提高SOI高压器件击穿电压。本发明摒弃了通常采用的以提高I层耐压为途径来提高SOI高压器件纵向耐压的方式，通过改变器件局部结构以提高顶硅层耐压为途径同样达到提高SOI高压器件纵向耐压的效果，本发明可与常规CD工艺全兼容，与常规SOI高压器件的制备工艺相比不增加工艺难度及成本，具备很强的可实施性。
soi 高压器件

[发明专利]固体物质悬浮和引入高压工艺中的方法-CN200580008255.1无效
发明人： P·努尼里奇;H·迪尔克斯;M·伯克 -专利权人：乌德高压技术有限公司
申请日： 2005-03-16 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： D06B23/20 文献下载
摘要：固体物质悬浮和引入到高压工艺中，例如着色剂颜料悬浮和引入到高压工艺中的方法，所述工艺中使用超临界流体作为工艺介质并存在大于150巴的压力。该固体物质的悬浮在低压下在完全独立的悬浮过程中进行。借助于泵将悬浮液引入高压工艺中。
固体物质悬浮引入高压工艺中的方法

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