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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110573593.0在审
发明人：郑宜骅;邱雅文;詹易哲;谭伦光 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成源极/漏极结构，在源极/漏极结构上方形成包括一个或多个介电层的第一层间介电(ILD)层，在第一ILD层中形成第一开口以至少部分地暴露源极/漏极结构，在第一开口的内壁上形成牺牲层，在牺牲层上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成导电层，以形成与源极/漏极结构接触的源极/漏极接触件，去除牺牲层以在第一绝缘层和第一ILD层之间形成空间，以及在源极/漏极接触件和第一ILD层上方形成第二绝缘层以覆盖空间的上部开口，从而形成气隙。本发明的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN202110221093.0在审
发明人：邱雅文;詹易哲;谭伦光;潘正扬;赵晟博;梁品筑;陈弘耀;余德伟;李益诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L29/161 文献下载
摘要：在一种制造半导体器件的方法中：形成具有从设置在半导体衬底上方的隔离绝缘层凸出的沟道区的鳍部结构；实施清洁操作；以及形成位于沟道区上方的外延半导体层。清洁操作和形成外延半导体层在同一腔室中实施，而不破坏真空。本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和半导体器件。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910575177.7在审
发明人：陈思颖;邱雅文;赵晟博;詹易哲;廖志评;王永豪;薛森鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种半导体结构的形成方法，以及在形成半导体装置时进行高压退火工艺的方法与其装置。高压退火工艺可为高压干式高压退火工艺，其中退火的加压环境包括一或多种工艺气体。高压退火工艺可为湿式退火工艺，其中退火的加压环境包括蒸汽。
高压退火退火加压环境半导体结构半导体装置高压干式工艺气体退火工艺湿式蒸汽

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