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[发明专利]一种采用复合介电层的大口径液晶透镜阵列-CN201710714951.9有效
发明人：王琼华;窦虎;储繁;郭玉强;孙玉宝 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-08-19 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提出一种采用复合介电层的大口径液晶透镜阵列。该液晶透镜阵列由上至下包括上基板、公共电极、高介电层、液晶层、复合介电层、像素电极和下基板。所述的液晶层采用向列相液晶材料。所述的复合介电层包括高介电层和凸起材料层，且两种材料相溶，本发明对于复合介电层提出了一套完整的工艺生产流程。
一种采用复合介电层口径液晶透镜阵列

[发明专利]一种具有高介电常数和低介电损耗的柔性复合介电材料-CN201310306710.2无效
发明人：马育红;张先宏;杨万泰 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2013-07-20 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高介电常数和低介电损耗的柔性复合介电材料。该材料由含氟聚合物基体和氟硅烷表面改性的无机钛酸盐介电填料的纳米纤维组成；其中含氟聚合物在复合材料中的体积分数为75v%-95v%，氟硅烷改性的BaTiO3或MgTiO3纳米纤维在复合材料中的体积分数为该材料能显著提高复合介电材料的介电常数，并同时降低其介电损耗，克服了现有的有机/无机复合技术在获得高介电常数的同时会导致介电损耗增大的缺点。
一种具有介电常数低介电损耗柔性复合材料

[发明专利]整合结构-CN201310150648.2无效
发明人：黄昭元;何岳风;杨名声;陈辉煌 -专利权人：艾芬维顾问股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种整合结构，包含:衬底，具有第一介电层与第二介电盖层依序设置于衬底上;金属栅极晶体管，具有设置于该衬底上的高介电常数栅极介电层、嵌于该第一介电层之内的栅电极以及位于该衬底内的源极/漏极;第一金属接触件，贯穿该第一介电层且与该源极/漏极直接接触;及硅穿孔，贯穿该第二介电盖层、该第一介电层与该衬底。
整合结构

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201410060803.6有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法，在不同的工艺步骤中实现PMOS的高k介电层和高k盖帽层与NMOS的高k介电层和高k盖帽层的制造，因而可以分别调整NMOS和PMOS的等效氧化层厚度，有利于提高半导体器件的性能并且，该方法去除了高k介电层位于栅极沟槽的侧壁上的部分，可以避免在NMOS和PMOS的栅极交界位置产生高k介电层的残留，因而相对现有技术可以降低栅极电阻。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法-CN201410663946.6有效
发明人：杨文龙;林家齐;陈高汝;迟庆国;刘刚 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：铌酸钾钠/聚偏二氟乙烯高介电薄膜的制备方法，涉及一种高介电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有介电材料介电常数低、脆性大、加工温度高且与集成电路加工技术不相容的问题。，用自动涂膜器将聚偏二氟乙烯溶液均匀的刮在洁净的玻璃板上，将玻璃板放入真空干燥箱；五、将抽完真空膜的玻璃板放入烘箱中，加热；六、放入蒸馏水中浸泡，将膜揭下，依次用蒸馏水、丙酮和无水乙醇清洗，烘干，即得高介电薄膜该高介电薄膜在频率为10Hz时，介电常数高达250。本发明用于制备高介电薄膜。
铌酸钾钠聚偏二氟乙烯高介电薄膜制备方法

[发明专利]一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法-CN201310208992.2无效
发明人：刘晓杰;李爱东;高墨昀;李学飞;吴迪 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高密度单层纳米晶存储器的制备方法，先用ALD方法在干净的半导体衬底上生长一层3~10nm厚的高介电隧穿层，形成高介电薄膜；接着将3～8nm粒径可控、单分散好的金属纳米颗粒浸渍涂覆或旋涂在高介电薄膜上，自组装成有序排列的单层纳米颗粒点阵；最后再利用ALD方法在单层纳米颗粒点阵表面覆盖一层10~30nm厚度的高介电材料控制层。本发明利用湿化学法在合成大小可控、单分散性好的金属纳米颗粒方面的优势，通过廉价的浸渍涂覆或旋涂的方法，在ALD沉积的超薄高介电膜层上自组装单层有序金属纳米颗粒点阵，然后再ALD生长一层厚度为10～30纳米的高介电薄膜控制层
一种超高密度单层纳米存储器制备方法

[发明专利]介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件-CN201310013154.X有效
发明人：姜晟馨;金斗永;崔畅学 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： B32B18/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电组合物和使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件，所述介电组合物包括具有由ABO3表示的钙钛矿结构的介电颗粒，其中当沿从所述介电颗粒的中心到颗粒边界的方向上画出虚线时，从介电颗粒的中心开始与介电颗粒的0.75%至0.95%相对应的区域中稀土元素含量基于以100at%的B位离子为0.5at%至2.5at%，因此使用该介电组合物制造的多层陶瓷电子部件可具有优异的可靠性并保证高介电常数。
组合使用制造多层陶瓷电子部件

[实用新型]具高介电特性胶膜-CN201721599315.8有效
发明人：蔡中维;陈和仁 -专利权人：威达邦有限公司
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具高介电特性胶膜，包括一基板、一晶片及一保护胶膜，该基板具有一上表面及一下表面，该上、下表面分别形成于该基板的两侧，该晶片设置于该上表面并与该基板相电性连接，该保护胶膜对应贴覆于该上表面并覆盖所述晶片，其中该保护胶膜是高介电材料及无机材料及有机树脂材料所混合的胶膜。
基板保护胶膜上表面胶膜晶片高介电有机树脂材料本实用新型高介电材料电性连接无机材料下表面贴覆覆盖

[发明专利]双镶嵌结构制作方法-CN200910194919.8有效
发明人：周鸣;牛孝昊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种双镶嵌结构制作方法，包括：在基底上依次形成第一介电材料层和第二介电材料层，其中，所述第二介电材料层覆盖所述第一介电材料层，且所述第二介电材料的硬度大于所述第一介电材料的硬度；分别在所述第一介电材料层和所述第二介电材料层中，形成沟槽和管孔，并在所述沟槽和所述管孔中沉积金属材料；去除多余的金属材料的同时，去除所述第二介电材料层，使所述第一介电材料层表面具有低厚度的所述第二介电材料层或不具有所述第二介电材料层。本发明在不增加工艺复杂度的情况下，减小硬度小的第一介电材料层被刮伤或磨损的几率，保证了器件不仅具有良好的介电性能，还具有高稳定性、高产品良率以及良好的传输性能。
镶嵌结构制作方法

[发明专利]一种氰乙基纤维素基高介电纳米复合膜及其制备方法-CN201610290761.4在审
发明人：王飞俊;王明华;邵自强;周家贵;范宗清;王亚龙;刘川渟;刘燕华;周振文 -专利权人：北京理工大学;北京北方世纪纤维素技术开发有限公司;湖北金汉江精制棉有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C08L1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种氰乙基纤维素基高介电纳米复合膜及其制备方法；目的是提供一种具有高介电常数、低介电损耗、良好机械性能和热性能的可降解的高介电柔性纳米复合膜及其制备方法。采用本发明方法制备的高介电柔性纳米复合膜制备氰乙基纤维素是可再生资源，复合膜的介电性能较高，介电损耗较低，可以应用于电子、电机和电缆行业，并且在人工肌肉、吸波材料和药物缓释等领域也有一定的应用前景，且生产方法安全
一种乙基纤维素基高介电纳米复合及其制备方法

[发明专利]一种高功率芯片绝缘封装局部场强优化方法及设备-CN202211341594.3有效
发明人：穆海宝;姚欢民;邵先军;陈孝信 -专利权人：西安交通大学;国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本申请公开了一种高功率芯片绝缘封装局部场强优化方法及设备，用以解决如下技术问题：现有的介电功能梯度结构中介电常数的分布方式与材料参数的选取存在不合理性。方法包括：构建高功率芯片对应的二维仿真模型，并基于变密度优化算法在所述二维仿真模型的硅凝胶内构建介电功能梯度结构；通过所述介电功能梯度结构，构建所述高功率芯片对应的局部场强优化模型；提取所述局部场强优化模型中的可调整参数，并确定所述可调整参数的取值范围；对所述介电功能梯度结构对应的介电功能梯度区域进行调整。
一种功率芯片绝缘封装局部场强优化方法设备

[发明专利]软介电材料的介电击穿电场强度和介电系数的测量系统-CN202211024423.8在审
发明人：贾攀;周健友;仲政 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种软介电材料的介电击穿电场强度和介电系数的测量系统，包括驱动机构、介电系数测量模块和击穿电场强度测量模块；击穿电场强度测量模块包括变压器、数据采集卡、俯视拍摄相机；测量过程中数据采集卡向变压器输入低电压，经过变压器放大为高电压，将高电压接入软介电材料形成回路电流，将回路电流峰值对应的电压作为介电击穿电压；通过俯视拍摄相机记录的电极面积的变化确定薄膜厚度的变化；根据介电击穿电压和薄膜厚度的变化，确定介电击穿电场强度；介电系数测量模块包括LCR表和俯视拍摄相机；通过LCR表测量两个电极之间的电容；通过俯视拍摄相机记录测量过程中电极面积的变化；通过电容和电极面积的变化，确定介电系数。
软介电材料击穿电场强度系数测量系统

[发明专利]一种制备高介电薄膜的方法-CN201310199062.5有效
发明人：刘江萍;陈骁;何流;王锦梅;徐晓薇 -专利权人：刘江萍
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C08L81/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高介电聚合物复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：将主材料A与一定量的第一溶剂充分混合，获得第一浆料；将具有高介电常数、低损耗的有机介电材料B与一定量的第二溶剂混合分散，获得第二浆料；将第一浆料和第二浆料充分混合后，获得第三浆料；真空容器中静置熟化第三浆料，获得混合均匀的凝胶态高介电有机复合材料；将凝胶态复合材料加入到挤出机中，加热挤出，待熔膜挤出后通过冷却辊骤冷，再将挤出冷却膜通过拉伸成膜机双向拉伸，最后通过150℃热定型后，制得高介电聚合物复合薄膜。该薄膜具有高介电常数值、高击穿电压值和低介电损耗值。
一种制备高介电薄膜方法

[发明专利]半导体结构和形成方法-CN201010227409.9有效
发明人： S·A·科恩;A·格里尔;T·J·小黑格;刘小虎;S·V·源;T·M·肖;H·肖芭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法-CN200710001664.X有效
发明人：林蔚伶;温景发;李文熙;胡堂祥;王俊杰;李正中 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-01-09 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法。该电子元件包括基板，第一电极层设置于基板上。多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中第一介电层与第二介电层之间互溶且实质上无界面存在。
具有混合高介电材料电子元件及其制造方法